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公衍生

作品数:19 被引量:65H指数:5
供职机构:中国地质大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金长江学者和创新团队发展计划湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 4篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇脉冲激光
  • 4篇脉冲激光沉积
  • 3篇铁电
  • 3篇X
  • 2篇电性能
  • 2篇电阻率
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇铁电性
  • 2篇透过率
  • 2篇微观结构
  • 2篇粉体
  • 2篇ZR
  • 2篇O
  • 2篇PB
  • 2篇TIN
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇导电
  • 1篇导电机理
  • 1篇等离子

机构

  • 8篇中国地质大学
  • 7篇武汉理工大学
  • 6篇中国地质大学...
  • 2篇中国地质大学...
  • 1篇湖北大学
  • 1篇日本东北大学
  • 1篇湖北民族大学
  • 1篇武汉烽火富华...

作者

  • 19篇公衍生
  • 6篇王传彬
  • 6篇张联盟
  • 6篇沈强
  • 3篇梁玉军
  • 2篇詹祖盛
  • 2篇何岗
  • 2篇何明中
  • 2篇彭超
  • 2篇栗海峰
  • 2篇李兆营
  • 2篇洪建和
  • 2篇江峰
  • 2篇周炜
  • 1篇徐建梅
  • 1篇赵德森
  • 1篇李永周
  • 1篇陈俊
  • 1篇刘蓉
  • 1篇严春杰

传媒

  • 3篇稀有金属材料...
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇科技信息
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇电镀与涂饰
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国表面工程
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇现代技术陶瓷
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2004
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
组合法制备Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3铁电薄膜及性能研究
2014年
为了系统地探讨Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜组成-结构-性能之间的规律,在室温和无蒸馏回流条件下,利用配制的前驱溶液PT(Pb和Ti的金属有机物溶液)和PZ(Pb和Zr的金属有机物溶液)及组合化学法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上简单快捷地制备了一系列Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜.XRD分析表明,薄膜具有钙钛矿结构,择优取向为(111),晶格参数变化规律与传统方法制备的PZT薄膜的结果一致.x=0.3的前驱体在200℃附近出现特殊的热分解现象.XPS测试结果证实薄膜成分基本符合理论值,SEM结果显示薄膜界面清晰,与基片接触良好,厚度在450 nm左右.电滞回线测试表明,富钛区样品剩余极化与矫顽场都较大;近准同型相界附近样品具有良好的铁电性,剩余极化较大且矫顽场较小;富锆区样品剩余极化与矫顽场较小,出现反铁电特征.
何岗彭超赵德森何明中洪建和栗海峰公衍生
关键词:铁电性
沉积温度对射频磁控溅射TiN薄膜结构和表面形貌的影响被引量:6
2013年
在不同沉积温度(25~400℃)下,利用射频磁控溅射技术在Si(100)基底上制备了TiN薄膜。采用x射线衍射仪和原子力显微镜研究了沉积温度对膜结构和表面形貌的影响,计算了晶面间距和晶格常数,分析了薄膜的应力性质。实验结果表明,不同沉积温度下制备的TiN薄膜主要含有(111)和(220)两种取向,以(220)为择优取向;随着温度的升高,薄膜晶化质量先提高然后趋于稳定。薄膜内应力为压应力,且随温度的升高而有所增大。随沉积温度升高,薄膜晶粒尺寸变小,表面结构更加均匀致密。
李兆营公衍生田永尚江峰张志龙
关键词:氮化钛射频磁控溅射沉积温度微观结构表面形貌
氧化铱薄膜的制备及其导电机理研究被引量:1
2011年
采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了高导电的IrO2薄膜,重点研究了退火前后其电学性能和微观结构的变化规律。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光电子能谱(XPS)和四探针法对退火前后IrO2薄膜的结构和电性能进行了表征,并利用霍尔效应研究了IrO2薄膜的导电机理。结果表明:IrO2薄膜在空气中退火后,导电性能得到提高,其中在750℃退火的电阻率达到最小值37μΩ.cm。在25~500℃范围内,IrO2薄膜的高温电阻率随着温度的升高呈线性关系逐渐增大,呈现出类似金属的导电特征。在250~400℃沉积的IrO2薄膜载流子的类型为p型;沉积温度较高(500℃)或在更高温度退火处理后,IrO2薄膜载流子的类型为n型,其导电机理以电子导电为主。
公衍生周炜梁玉军谭劲
关键词:电性能导电机理
脉冲激光沉积技术制备IrO_2薄膜的研究被引量:4
2006年
利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制得了导电氧化铱(IrO2)薄膜。讨论了沉积参数(O2分压、衬底温度)对IrO2薄膜的结构、表面形貌和导电性的影响。结果表明:20Pa为最佳O2分压、400℃~500℃为适宜的沉积温度,此条件下制得的IrO2薄膜结晶完整,组织均匀、形状一致,排列致密,其最低电阻率约为42μΩ·cm。
夏明祥王传彬公衍生沈强张联盟
关键词:脉冲激光沉积电阻率
工科非高分子材料专业高分子化学课程教学实践与探讨被引量:4
2010年
通过在非高分子材料专业对高分子化学课程的教学实践,探讨了如何提高学生学习高分子化学这门课程积极性的方法,强调了上好第一堂课、利用网络和实验教学部分的重要性。实践表明,学生的学习兴趣和教学效果得到了明显提高。
公衍生
关键词:高分子化学教学实践
组合法制备Pb(Zr_xTi(1-x))O_3组分梯度薄膜
2012年
在无蒸馏和无惰性气氛保护的条件下,快速制备了用于组合合成Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜的前驱溶液PT和PZ。采用组合法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了一系列Pb(ZrxTi1-x)O3组分梯度薄膜。经XRD分析表明,薄膜具有钙钛矿结构,择优取向为(111)。SEM结果显示薄膜厚度在500nm左右。电滞回线的测试表明,下梯度薄膜PZT-654表现出良好的铁电性能,明显优于其它薄膜。PZT-654梯度薄膜的剩余极化强度Pr为38.4μC/cm2,矫顽场Ec为75.0kV/cm,有较大的极化偏移,Poffset为12.9μC/cm2,表现出梯度铁电薄膜的特性。
彭超何岗何明中洪建和栗海峰公衍生
关键词:铁电性
微波烧结对PLZT陶瓷电学性能的影响被引量:2
2015年
采用部分共沉淀法制备锆钛酸铅镧(PLZT)粉体,分别用普通马弗炉和微波马弗炉进行烧结成瓷,对比分析不同烧结方法对PLZT陶瓷的晶体结构、微观形貌和电学性能的影响。结果表明:微波烧结和常规烧结均成功制备出钙钛矿相PLZT陶瓷。采用微波烧结得到的PLZT陶瓷样品比常规烧结的晶粒细小,尺寸更均匀,孔洞较少;在电学性能相近时,微波烧结温度远低于常规烧结,且保温时间远小于常规烧结。在1000℃进行微波烧结,陶瓷的介电常数εr和压电常数d33最大,εr为2512,d33为405 p C/N,此时,剩余极化强度为16.5 k V/cm,矫顽场为8.2μC/cm2;在1250℃常规烧结,陶瓷的介电常数最大,为2822,压电常数最大,为508 p C/N,剩余极化强度为21.6 k V/cm,矫顽场为9.6μC/cm2。
龙廉骏徐建梅公衍生武明阳崔新友
关键词:锆钛酸铅镧微波烧结压电性能介电性能
铌酸钾锂铁电薄膜的脉冲激光沉积与光学性能
2008年
以K2CO3、Li2CO3和Nb2O5为原料,采用固相反应法制备了铌酸钾锂陶瓷;以此为靶材,采用脉冲激光沉积技术在石英玻璃上沉积了铌酸钾锂薄膜,系统研究了沉积温度对铌酸钾锂薄膜组成与结构的影响。利用X射线衍射、拉曼光谱等测试手段对薄膜的结构进行表征,通过紫外-可见光分光光度计测试薄膜的光学透过率。结果表明:所制备的铌酸钾锂靶材结构致密;在衬底温度为700℃、氧分压10 Pa的条件下可以制备纯的铌酸钾锂薄膜,所得到的多晶薄膜呈(310)取向;光学性能测试显示所制备的铌酸钾锂薄膜在可见光范围内的光学透过率为90%左右。
詹祖盛公衍生王传彬沈强张联盟
关键词:透过率
材料科学与工程专业开设材料力学课程的探讨被引量:1
2011年
从材料科学与工程专业所开设的材料力学课程的特色以及该课程在专业知识体系和课程设置中的地位出发,阐述了材料科学与工程专业开设材料力学课程的必要性和重要性,并对该课程的授课内容和授课方式等注意事项进行了讨论。
周炜公衍生梁玉军
关键词:材料科学与工程专业
YVO4:Sm3+红色发光材料的熔盐法合成与光谱性能被引量:10
2009年
采用熔盐法合成了YVO4∶Sm3+红色发光材料.用X射线粉末衍射对其结构进行表征,证实样品为具有锆石结构的YVO4相;测定了样品的激发与发射光谱;分析了不同的掺杂浓度和烧结温度对样品发光强度的影响.研究结果表明,采用熔盐法合成的样品均可以产生Sm3+的特征发射,但是与其它方法相比,熔盐法合成样品位于647 nm处Sm3+的4G5/26-H9/2发射明显得到加强,从而使得样品发出明亮的红光,而不是其它合成方法获得的橙色光.当掺杂浓度为1%(摩尔分数)且在500℃下烧结5 h后,熔盐法得到的YVO4∶Sm3+荧光粉的发光强度最大.
刘蓉梁玉军吴晓勇李永周公衍生
关键词:熔盐法发光材料钐离子
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