侯识华
- 作品数：17 被引量：30H指数：4
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学农业科学更多>>
- 基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐光滤波器被引量：1
- 2006年
- 采用表面微机械技术制作了一种1 310 nm基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐Fabry-Perot光滤波器。该滤波器的通光孔直径约为70μm,在1.4 V的调谐电压下,调谐范围达到15 nm。并采用光学传输矩阵方法,分析了斜入射对这种可调谐光滤波器透射谱的峰值半高宽的影响。
- 侯识华孙捷毛容伟吴旭明马骁宇谭满清陈良惠
- 关键词：可调谐滤波器分布布拉格反射镜FABRY-PEROT
- 离子束刻蚀法制备大功率高效率650nm AlGaInP可见光激光器(英文)
- 2004年
- 用纯 Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率 6 5 0 nm实折射率 Al Ga In P压应变量子阱激光器 .对偏角衬底 ,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面 .制备的激光器条宽腔长分别为 4 μm和 6 0 0 μm,前后端面镀膜条件为 10 % / 90 % .室温下阈值电流的典型值为 4 6 m A,输出功率为 4 0 m W时仍可保持基横模 .10 m W,4 0 m W时的斜率效率分别为 1.4 W/ A和 1.1W/ A.
- 徐云曹青孙永伟孙永伟叶晓军侯识华郭良
- 键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响被引量：1
- 2005年
- 采用一电阻层来表征键合界面处的阻抗 通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了VCSEL的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布 详细分析了键合界面阻抗对晶片键合结构垂直腔面发射激光器内部的电势分布、温度分布以及有源层中的注入电流密度、载流子浓度。
- 侯识华赵鼎叶晓军孙永伟谭满清陈良惠
- 关键词：垂直腔面发射激光器晶片键合电学特性热学特性有限差分法
- 厚度偏差对VCSEL的反射谱和反射相移的影响被引量：1
- 2004年
- 采用光学传输矩阵方法分析了厚度偏差对VCSEL的反射谱和反射相移产生的影响。结果表明,反射镜和VCSEL中各层厚度的偏大,将使反射镜的中心波长以及VCSEL的模式波长向长波方向移动,而反射镜和VCSEL中各层厚度的偏小,将使反射镜的中心波长以及VCSEL的模式波长向短波方向移动。将键合界面离有源区稍微远一些,有利于减小其厚度偏差对VCSEL的模式波长的影响。
- 侯识华赵鼎孙永伟杨国华谭满清陈良惠
- 关键词：厚度偏差垂直腔面发射激光器晶片键合反射谱反射相移
- 空间有序的量子点超晶格的红外吸收被引量：1
- 2005年
- 利用分子束外延技术,在高温下(540℃)生长了具有三维空间有序的自组织InGaAs/GaAs量子点超晶格结构,利用傅里叶变换红外光谱仪测量到了明显的垂直入射吸收峰,中心响应波长在11μm.作为对比,在低温下(480℃)生长了相同的结构,傅里叶变换红外光谱几乎没有测量到明显的垂直入射吸收峰.高分辨率X射线双晶衍射测量表明高温生长的量子点超晶格具有更好的晶体质量,原子力显微镜测量表明在高温540℃下生长的量子点具有明显的横向有序;而在低温480℃下生长的量子点并没有显示出横向有序.在进行垂直入射的吸收测量时,为了扣除量子点超晶格的周期结构带来的干涉效应,提出使用生长条件完全相同但量子点区没有掺杂的样品作为背景,提高了测量的准确性及分辨率.结果表明空间有序的量子点超晶格结构比空间无序的量子点超晶格更适宜作红外探测器结构.
- 孙永伟马文全杨晓杰屈玉华侯识华江德生孙宝权陈良惠
- 关键词：分子束外延
- 一种微机械可调谐光滤波器
- 一种微机械可调谐光滤波器，其中包括：一铟磷衬底；在铟磷衬底上制备有n型重掺杂的铟磷缓冲层；一下布拉格反射镜制作在铟磷缓冲层的上部，该下布拉格反射镜的宽度小于铟磷缓冲层，且该下布拉格反射镜位于铟磷缓冲层的中间；在该下布拉格...
- 侯识华潭满清陈良惠
- 文献传递
- 利用Molly语言实现MBE系统的复杂控制
- Molly语言是由Veeco开发,可以实现对其MBE系统的复杂控制.本文论述了臬Molly语言实现对Gen-Ⅱ MBE系统的复杂控制,并举例说明了如何让系统自动记录系统的状态,以及如何实现在特定的真空度下对进样室中的衬底...
- 孙永伟徐云倪海桥侯识华宋国峰陈良惠
- 关键词：分子束外延半导体薄膜
- 文献传递
- 高铝Al_xGa_(1-x)As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响被引量：8
- 2004年
- 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备 ,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分Alx Ga1 - x As的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响 ,结合器件结构设计确定了氧化限制层 Alx Ga1 - x-As的铝组分和最佳位置 ,并制备出了低阈值电流的 Al Ga In
- 康香宁宋国峰叶晓军侯识华陈良惠
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- GaN基蓝光激光器光场特性模拟
- 2004年
- 采用有限差分法对 Ga N基多量子阱 (MQWs)脊形激光器进行二维光场模拟 .In Ga N和 Al Ga N材料的折射率分别由修正的 Brunner以及 Bergm ann方法得到 .分析了激光器单模特性和远场发散角同器件的脊形刻蚀深度和脊形条宽的关系 .研究了在脊形上用 Si/ Si O2 膜取代传统 Si O2 介质膜这种新的脊形设计对激光器结构参数的影响 .模拟结果发现 ,脊形条宽越窄 ,脊形刻蚀深度越深 ,平行结平面方向的发散角越大 ,但由此会引起单模特性不稳定 ,两者之间有一个折衷值 .通过引入新的脊形设计 ,可以降低对器件刻蚀深度精度的要求 。
- 叶晓军朱晓鹏徐云孙永伟侯识华种明陈良惠
- 关键词：刻蚀深度发散角
- 一种微机械可调谐光滤波器
- 一种微机械可调谐光滤波器，其中包括：一铟磷衬底；在铟磷衬底上制备有n型重掺杂的铟磷缓冲层；一下布拉格反射镜制作在铟磷缓冲层的上部，该下布拉格反射镜的宽度小于铟磷缓冲层，且该下布拉格反射镜位于铟磷缓冲层的中间；在该下布拉格...
- 侯识华潭满清陈良惠
- 文献传递
