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余晨辉

作品数：56 被引量：19H指数：3
供职机构：南通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 15篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 14篇探测器
  • 13篇光电
  • 11篇光电探测
  • 11篇光电探测器
  • 8篇雪崩
  • 7篇氮化镓
  • 7篇碳化硅
  • 7篇半导体
  • 6篇雪崩光电探测...
  • 6篇纳米
  • 6篇纳米线
  • 6篇功率二极管
  • 6篇二极管
  • 5篇异质结
  • 5篇日盲
  • 5篇日盲紫外
  • 5篇晶体管
  • 5篇击穿电压
  • 5篇光谱
  • 5篇常闭

机构

  • 45篇南通大学
  • 15篇中国科学院
  • 4篇西南技术物理...
  • 2篇南京信息工程...
  • 1篇广西大学
  • 1篇华东师范大学

作者

  • 56篇余晨辉
  • 9篇罗向东
  • 8篇李林
  • 7篇陆卫
  • 6篇张波
  • 4篇余丽波
  • 4篇陈效双
  • 4篇刘培生
  • 3篇李宁
  • 3篇陈平平
  • 3篇徐炜炜
  • 3篇李志锋
  • 2篇罗庆洲
  • 2篇许金通
  • 2篇王鸥
  • 2篇覃文治
  • 2篇李亚军
  • 2篇石柱
  • 2篇沈学础
  • 1篇孙玲

传媒

  • 4篇物理学报
  • 3篇红外与激光工...
  • 2篇南通大学学报...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇红外技术
  • 1篇科技信息
  • 1篇大学教育

年份

  • 1篇2024
  • 10篇2023
  • 10篇2022
  • 6篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双层掺杂层硅基薄膜太阳电池
本发明涉及一种双层结构掺杂层的硅基薄膜太阳电池，在双层结构的p型掺杂的硅层与双层结构的n型掺杂的硅层中，与本征硅层相邻较近的掺杂的硅层的光学带隙比与其相邻的离本征硅层较远的同型掺杂的硅层的光学带隙大，但其带隙差值不大于0...
余晨辉余丽波覃文治石柱王鸥
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一种日盲紫外单光子雪崩探测器
本发明公开了一种日盲紫外单光子雪崩探测器，包括雪崩光电探测器和多根纳米线；所述雪崩光电探测器为工作在盖革模式下的日盲紫外铝镓氮雪崩光电探测器；所述纳米线为负光电导效应的氮化镓纳米线；所述多根纳米线设于雪崩光电探测器的光敏...
余晨辉李林陈红富徐腾飞
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检测腔楞次效应感生电流的装置及其制作和检测方法
本发明公开了一种检测腔楞次效应感生电流的装置及其制作和检测方法，其中所述装置包括磁场发生器，置于磁场发生器所产生的磁场内的法布里‑珀罗谐振器，设置于法布里‑珀罗谐振器中心平面上的圆板，以及与法布里‑珀罗谐振器两端连接的矢...
余晨辉徐腾飞李林陈红富
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半导体二维电子气圆偏振自旋光电流的检测系统及其检测方法
本发明公开了半导体二维电子气圆偏振自旋光电流的检测系统及其检测方法，检测系统包括单色圆偏振光源、半导体二维电子气样品、压电陶瓷片、高压交流信号源、锁相放大器和电阻；所述单色圆偏振光源斜照射半导体二维电子气样品；所述压电陶...
余晨辉罗向东刘培生徐炜炜
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一种日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法，其中光电探测器的结构从下至上依次为AlN模板层、AlN缓冲层、n型Al<Sub>x1</Sub>Ga<Sub>1‑x1</Sub>N层、i型Al<Sub>x2</Sub...
余晨辉李林陈红富徐腾飞罗曼
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InAs基范德华异质结界面电荷转移特性第一性原理计算的研究进展
2023年
由低维InAs材料和其他二维层状材料堆叠而成的垂直范德华异质结构在纳米电子、光电子和量子信息等新兴领域中应用广泛。探索跨结界面的电荷转移机制对于全面理解该类器件的非凡特性至关重要。第一性原理计算在揭示界面电荷转移特性与各种能量稳定型InAs基范德华异质结的电、光、磁等原理物理特性和器件性能变化之间的内在关系方面发挥着不可比拟的作用。文中梳理、总结和探讨了近年来InAs基范德华异质结间界面电荷转移特性的理论研究工作与潜在的功能应用,提出在理论方法和计算精度方面大力发展第一性原理计算的几个途径,为更好地开展InAs基范德华异质结的基础科学研究和应用器件设计提供可借鉴的量化研究基础。
成田恬张坤罗曼孟雨欣祖源泽王奕锦王鹏余晨辉
关键词：第一性原理计算
一种高温度稳定性紫外雪崩光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种高温度稳定性紫外雪崩光电探测器及其制备方法，其中高温度稳定性紫外雪崩光电探测器，其结构从下至上依次为AlN模板层、AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型GaN吸收层、n型GaN分离层、GaN/AlN能带调制...
余晨辉李林徐腾飞陈红富
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新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究被引量：3
2012年
针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不同偏压下电流崩塌和负微分电导效应与GaN沟道层厚度的相关.研究发现具有高势垒双异质的沟道层能更好地将电子限制在沟道中,显著减小高电场下热电子从沟道层向GaN缓冲层的穿透能力.提高GaN沟道层厚度可以有效抑制电流崩塌和和负微分输出电导,进而提高器件在高场作用下的性能.所得结果为进一步优化双异质结高电子迁移率晶体管结构提供了新思路,可促进新型GaN高电子迁移率晶体管器件在高功率、高频和高温等无线通讯领域内的广泛应用.
余晨辉罗向东周文政罗庆洲刘培生
关键词：电流崩塌自加热效应
一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法
本发明公开一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法，其中该功率二极管是由碳化硅与氧化铝组成。本发明首先利用FP和Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>在SiC半导体工艺中实现横向渐变掺杂，然后将这种渐变...
余晨辉沈倪明陈红富秦嘉怡成田恬罗曼
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一种日盲紫外单光子雪崩探测器
本发明公开了一种日盲紫外单光子雪崩探测器，包括雪崩光电探测器和多根纳米线；所述雪崩光电探测器为工作在盖革模式下的日盲紫外铝镓氮雪崩光电探测器；所述纳米线为负光电导效应的氮化镓纳米线；所述多根纳米线设于雪崩光电探测器的光敏...
余晨辉李林陈红富徐腾飞
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