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万丽娟

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:哈尔滨工业大学化工学院应用化学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇介孔
  • 1篇电沉积
  • 1篇英文
  • 1篇铁氧化物
  • 1篇基底
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇焙烧
  • 1篇焙烧温度
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇ITO
  • 1篇Y
  • 1篇CDS
  • 1篇EOSIN

机构

  • 3篇哈尔滨工业大...
  • 2篇黑龙江大学

作者

  • 3篇万丽娟
  • 2篇付宏刚
  • 2篇史克英

传媒

  • 1篇黑龙江大学自...
  • 1篇应用化学

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Eosin Y/有序二氧化硅复合体的光致发光性质研究(英文)
2007年
介孔复合体材料越来越受到人们的关注。通过溶胶-凝胶方法合成出Eosin Y/有序二氧化硅复合体,研究了复合体的光致发光性质。实验发现:随着Eosin Y加入量的增多,光致发光谱峰强度增强。初步探讨了荧光强度增强的机制,认为介孔材料对于Eosin Y分子的锚定作用减少了Eosin Y分子的荧光自促灭效应。
万丽娟付宏刚史克英
关键词:EOSINY光致发光
以SBA-16薄膜/ITO为基底电沉积生长“花状”CdS纳米晶体被引量:1
2008年
在酸性条件下,以导电玻璃(ITO)为基底合成SBA-16分子筛膜。所制备的SBA-16薄膜孔径均匀,具有体心立方结构(属于Im3^-m空间群)。在由CdCl2和Na2S2O2组成的电解液中,调节pH值为2~3,利用直流恒电位电沉积法,调节电位为-0.7V,沉积时间为50min,在SBA-16膜/ITO电极表面电沉积生长出“花状”CdS纳米晶体,利用SEM、TEM等技术研究了CdS纳米晶体形貌和结构,同时进行了荧光光谱测试。结果表明,电沉积合成的CdS生长在电极表面而不是生长在介孔孔道中.并能够产生荧光谱峰。
万丽娟付宏刚史克英
关键词:介孔电沉积CDS
改进EISA方法合成硅铝及铁氧化物介孔材料研究
本文采用溶剂蒸发诱导自组装(EISA)方法,合成了介孔SiO2及其复合体材料。并在EISA方法的基础上,设计了有效抑制无机盐的水解速率的氨介质EISA合成路线,制备了Al2O3、Fe2O3介孔材料,并探讨了合成机制。  ...
万丽娟
关键词:焙烧温度
共1页<1>
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