龚洪勇
- 作品数：17 被引量：27H指数：4
- 供职机构：新余学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理理学电子电信更多>>
- n-Cz-Si钝化层制备过程的热影响
- 背景介绍 晶硅异质结太阳能电池制作工艺流程 异质结太阳电池制作的热过程 n-Cz-Si沉积本征钝化层薄膜对晶硅异质结太阳电池意义 减少硅片表面复合速率和界面态面度 降低复合电流,增加开路电压提高太阳电池的转换效率!!!钝...
- 何玉平黄海宾龚洪勇宁武涛周浪
- 非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的界面钝化层研究
- 非晶硅/晶体硅异质结太阳电池在能量转换效率上具有较大的发展潜力，同时具有温度衰减系数小和弱光响应强等优点，是未来硅片太阳电池发展的重要方向，而且已为日本松下的产业化开发所证实。但该技术迄今为止为日方严密封锁，这使其研究开...
- 龚洪勇
- 关键词：晶体硅非晶硅异质结等离子体增强化学气相沉积太阳电池
- 轴向磁场下多晶硅定向凝固研究被引量：1
- 2018年
- 利用有限元软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行二维数值模拟,研究轴向磁场对多晶硅定向凝固的影响。模拟结果显示,未加磁场时多晶硅固液界面的等温线是下凹的;当线圈中加以不同的电流进行磁场模拟时,发现轴向磁场能够有效地抑制硅熔体对流,进而影响结晶时的固液界面。随着电流的增大,熔体最大流速减小,最大洛伦兹力也增大。通过试验验证,相同的工艺条件,在磁场作用下相比于没有磁场时硅锭的界面由下凹变得平滑。
- 刘志辉罗玉峰饶森林胡云张发云张发云刘杰
- 关键词：多晶硅定向凝固数值模拟轴向磁场
- 一种多晶硅铸锭用坩埚
- 一种多晶硅铸锭用坩埚，包括底部和侧壁，侧壁为方形或圆形，内底面为凸面，其中心剖视图为一圆弧形，凸面顶端与底端的高度差为20~40mm；凸面上设有若干连续的圆锥形凸出结构，圆锥形凸出结构均匀分布在坩埚内壁的底部，圆锥形凸出...
- 罗玉峰饶森林张发云胡云刘绍欢龚洪勇
- 文献传递
- 坩埚厚度对多晶硅定向凝固的影响被引量：5
- 2017年
- 运用Comsol Multiphysics有限元软件对多晶硅的定向凝固过程进行了模拟,分析了不同坩埚厚度(15、20、25 mm)对多晶硅熔化、结晶过程及晶体热应力的影响。结果表明:当坩埚厚度为15 mm时,熔化所需要的时间最短,比坩埚厚度为20 mm和25 mm时分别少31 min和74 min;结晶初期,坩埚厚度为25 mm时的固液界面最为平坦,最有利于晶体的生长;多晶硅晶体底部边缘和顶部边缘区热应力高;坩埚厚度为15 mm时,晶体内热应力最大,且随着坩埚厚度的增大,两个区域的应力都减小。
- 刘志辉罗玉峰饶森林胡云龚洪勇刘杰
- 关键词：多晶硅温度场热应力数值模拟
- 双层发射极结构改善a-Si:H/c-Si晶硅异质结太阳电池性能的实验研究
- 一、a-Si:H/c-Si异质结太阳电池 概况 松下HIT太阳电池结构发展路线 No i-layer-------单面HIT----------双面HIT(24.7 ％)-------IBC&HIT(25.6 ％)难道a...
- 黄海宾宁武涛龚洪勇周浪
- 低速率沉积非晶硅薄膜钝化Cz-Si片的研究被引量：1
- 2015年
- 采用PECVD法在低沉积速率(<1?/s)条件下制备非晶硅,双面钝化n型Cz硅片(40 mm×40 mm),钝化最好的硅片平均少子寿命值为889μs,局部最高近1600μs,用准稳态光电导法测试的平均伪开路电压i Voc达722 m V。对FTIR测试结果分析表明:非晶硅薄膜中的Si H2与Si H键的相对数量对钝化效果具有重要影响。
- 龚洪勇黄海宾高江周浪
- 关键词：氢化非晶硅PECVD钝化
- 一种突变结晶硅太阳电池的制备方法
- 一种突变结晶硅太阳电池的制备方法，采用CVD的方法在晶体硅片上低温外延制备晶硅薄膜，并采用快速热退火的工艺激活掺杂元素；采用热丝CVD或等离子辅助CVD可实现大面积均匀沉积薄膜，保证体硅太阳电池的均匀性；采用快速热退火处...
- 黄海宾周浪龚洪勇张东华汪已琳高江
- 冶金级硅料在高温处理中的金属杂质表面偏聚被引量：2
- 2012年
- 实验研究了经酸洗除杂的冶金级硅粉在空气中进行高温处理以再次造成表面杂质偏聚,然后继以二次酸洗去吸附除杂的方法。结果表明这种方法因其硅粉表面形成的硅氧化物进一步提高了金属杂质表面扩散偏聚的能力,比保护气氛条件下的高温处理有更好的偏聚效果,二次酸洗后金属杂质含量进一步降低。
- 辛超龚洪勇尹传强周浪
- 关键词：高温处理酸洗
- α-SiO_x∶H钝化Cz-Si表面的工艺优化与机制分析被引量：4
- 2014年
- 氢化非晶氧化硅(α-SiOx∶H)是一种优质的硅片表面钝化材料。采用PECVD法,以SiH4、CO2和H2作为气源制备α-SiOx∶H薄膜钝化Cz-Si表面,研究了沉积气压和CO2∶SiH4流量比对钝化效果的影响规律及作用机制。采用准稳态光电导法测试了硅片的有效少子寿命并依此计算出其表面复合速率以对薄膜的钝化效果进行定量表征,采用光谱型椭偏仪测试了样品的介电常数虚部ε2谱对样品微观结构进行了定性分析。结果表明,(1)在所研究范围内,氧掺入非晶硅薄膜使得薄膜结构趋向非晶化,沉积气压主要对薄膜中的空位浓度造成影响,而CO2/SiH4流量比的增加可增加薄膜中的H含量并改变了硅氢键的结构,从而影响薄膜的钝化效果;(2)在CO2/SiH4流量比为3.0/3.0mL/min,沉积气压为22Pa条件下获得了最优钝化效果,钝化后硅片有效少子寿命为975μs,表面复合速率为3.9cm/s。
- 黄海宾张东华汪已琳龚洪勇高江Wolfgang R.Fahrner周浪
- 关键词：PECVD氢含量
