公共文化服务平台

黄巍: 作品数：28 被引量：5H指数：1; 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划四川省自然科学基金更多>>; 相关领域：理学轻工技术与工程自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

中远红外非线性光学晶体AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2研究进展: ＜正＞AgGaS2晶体,是Ⅰ-Ⅲ-VI2三元化合物半导体,空间群I4 2d,常温下呈黄色,熔点996℃,禁带宽度2.76eV;AgGaSe2是与AgGaS2同系列的黄铜矿类晶体,常温下呈深灰色,熔点860℃,禁带宽度1....; 赵北君朱世富何知宇陈宝军赵玲樊龙黄巍刘维佳

CdSiP2晶体生长过程中坩埚材料对晶体的影响研究: 采用X射线能谱仪(EDS)和X射线光电子能谱仪(XPS),分别测试了石英坩埚和氮化硼(PBN)坩埚生长的CdSiP单晶表面成分。测试结果表明:采用石英坩埚生长出的CdSiP晶体表面成分为Cd,Si,P,O四种元素,原子百...; 吴敬尧朱世富赵北君何知宇陈宝军黄巍孙宁林莉; 关键词：晶体生长; 文献传递

偏置磁场对自旋阀传感器性能的影响研究: 2017年; 通过测试自旋阀传感器在沿垂直于敏感轴方向施加偏置磁场条件下的磁场响应曲线,研究了偏置磁场对自旋阀传感器磁滞、非线性度和灵敏度等性能参数的影响。实验结果表明:随着偏置磁场的增加,自旋阀传感器的磁滞、非线性度和灵敏度均减小,并且灵敏度与偏置磁场大小成反比关系。研究结果可为自旋阀传感器的应用提供理论支撑。; 李健平孙宇澄童杰王辉黄巍何宁发; 关键词：灵敏度

ZnGeAs_2多晶合成与表征: 2017年; ZnGeAs_2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs_2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs_2多晶合成方法。以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料,采用双温区合成方法,辅以机械、温度振荡和梯度降温的合成工艺,合成出均匀致密的单相ZnGeAs_2多晶。经XRD和EDS分析表明:合成产物为黄铜矿结构的单相ZnGeAs_2多晶,晶胞常数为a=b=0.56745 nm,c=1.11580 nm,与标准PDF卡片(No.730397)一致;各组成元素的原子比Zn∶Ge∶AS=1.00∶0.98∶1.95,接近理想化学计量比。上述分析结果表明,合成产物可用于ZnGeAs_2单晶生长,为进一步研究ZnGeAs_2晶体的非线性光学性能和应用奠定了较好的基础。; 钟义凯赵北君何知宇黄巍陈宝军朱世富杨登辉冯波; 关键词：多晶合成

CdGeAs_2晶体退火与红外光学均匀性分析被引量：2: 2012年; 采用AIM-8800红外显微镜观察了CdGeAs2晶体的面扫描红外透过图像,分别在2.3～4μm、4～8μm和8～18μm三个波段对退火前后的CdGeAs2晶片红外透过率和面扫描红外透过图像进行了对比分析,研究了晶体的红外均匀性。结果表明,CdGeAs2晶体在多晶粉末包裹下经450℃退火150 h后,其红外透过率和红外透过均匀性都得到较大程度的改善,其中在2.3～4μm和4～8μm波段的改善效果尤为显著;分析了影响晶体红外透过率和均匀性的主要因素,探讨了改善晶体均匀性的可能途径。研究结果对于快速评判CdGeAs2晶片质量具有重要的实用价值。; 唐婧婧赵北君朱世富何知宇陈宝军黄巍刘维佳张聪; 关键词：退火红外透过率光学均匀性

AgGa_(0.7)In_(0.3)Se_2晶体热膨胀行为研究: 2015年; 采用一种新的定向方法,快速定出了Ag Ga0.7In0.3Se2晶体c轴方向,制备得到[001]、[100]方向的块状样品;采用德国Bhr公司的Win TA 100热膨胀仪对其进行测试,分别获得了晶体沿c轴、a轴方向的热膨胀系数,分析了它们随温度变化的规律以及晶体出现反常热膨胀的机制;计算出晶体的体热膨胀系数和各向异性因子,分析讨论了晶体非轴向热膨胀系数在不同温度下随cos2φ的变化规律。; 吴莉姝赵北君何知宇陈宝军朱世富黄巍杨登辉沙铭宇王文阳; 关键词：热膨胀

CdSiP_2晶体退火及对红外光学性能的影响: 2016年; 采用改进的布里奇曼法生长出Cd Si P_2单晶体,运用X射线能谱仪、傅里叶变换红外分光光度计以及红外显微镜等对在不同气氛中退火前后的Cd Si P_2晶体进行了组分元素、红外吸收系数以及红外透过均匀性测试,根据红外显微镜Mapping图像的标准差值评判了晶体的红外透过均匀性。研究结果表明,经真空、Cd Si P_2粉末包裹、P/Cd（原子比为2：1）、Cd气氛等退火后,晶体组分元素的化学计量比、红外吸收系数和红外光学均匀性都得到了不同程度的改善,其中在1.29～2.00μm,经Cd Si P_2粉末包裹退火后的晶体吸收系数改善显著,在1.92～1.98μm波段的红外透过均匀性提高了14.06%;而在Cd气氛下退火后晶体的吸收系数在2.00～6.50μm波段降低最为明显,在2.70～2.78μm波段红外透过均匀性提高了17.43%。分析讨论了在上述波段中引起晶体红外吸收和红外透过不均匀性的主要因素,研究出较为有效的Cd Si P_2晶体退火工艺。; 林莉赵北君朱世富何知宇陈宝军孙宁黄巍杨登辉钟义凯朱璞; 关键词：CD 退火热处理

中远红外非线性光学晶体AgGaS_2、AgGaSe_2和AgGa_(1-x)In_xSe_2研究进展: <正>AgGaS2晶体,是Ⅰ-Ⅲ-VI2三元化合物半导体,空间群I4 2d,常温下呈黄色,熔点996℃,禁带宽度2.76eV;AgGaSe2是与AgGaS2同系列的黄铜矿类晶体,常温下呈深灰色,熔点860℃,禁带宽度1....; 赵北君朱世富何知宇陈宝军赵玲樊龙黄巍刘维佳; 文献传递

黄铜矿结构中红外高功率非线性光学晶体及器件研究: 目前,在大量应用领域,迫切需求中远红外高功率非线性光学晶体及器件,包括红外对抗、红外遥控、卫星跟踪、激光武器以及生化材料遥控探测等。但是这类材料大尺寸高质量单晶体很难生长,因此对许多重要应用来说,能够满足应用需求的晶体和...; 朱世富赵北君陈宝军何知宇樊龙黄巍杨辉王志超

砷锗镉晶体的生长和变温霍尔效应研究: 2022年; 采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs_(2)多晶合成与单晶生长,生长出∅28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs_(2)单晶体。用金刚石外圆切割机切割出CdGeAs_(2)晶片,采用X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱仪(EDS)对合成的多晶粉末和切割出的晶片进行表征。结果表明,合成产物为单相四方黄铜矿结构的CdGeAs_(2)多晶,晶片的原子百分比接近于理想化学计量比。经傅里叶变换红外分光光度计测试发现,初生长的CdGeAs_(2)晶体在11.3μm处的吸收系数为0.117 cm^(-1),经过拟合计算得出禁带宽度为0.52 eV。通过变温(110~300 K)霍尔效应测试表明,CdGeAs_(2)晶体在110~300 K温度范围内都为p型导电,载流子浓度p_(H)和霍尔系数R_(H)随温度的升高分别升高和下降,而霍尔迁移率μ_(H)几乎不变。拟合计算出晶体中受主电离能E_(A)=0.305 eV,并进一步分析了生长晶体中可能存在的受主缺陷。; 李佳樨熊正斌肖骁刘心尧余孟秋陈宝军黄巍何知宇; 关键词：半导体晶体布里奇曼法单晶生长多晶合成