2025年1月4日
星期六
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魏占涛
作品数:
36
被引量:3
H指数:1
供职机构:
西南应用磁学研究所
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发文基金:
四川省应用基础研究计划项目
博士科研启动基金
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相关领域:
理学
一般工业技术
电气工程
化学工程
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合作作者
蓝江河
西南应用磁学研究所
羊新胜
西南交通大学超导与新能源研究开...
赵勇
西南交通大学
游斌
西南应用磁学研究所
张敏
西南交通大学
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作者
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魏占涛
13篇
蓝江河
13篇
羊新胜
12篇
张敏
12篇
游斌
12篇
赵勇
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陈运茂
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2篇
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3篇
2017
2篇
2016
4篇
2015
4篇
2014
共
36
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一种小线宽、高温度系数、高饱和磁化强度石榴石型铁氧体单晶材料
本发明公开了一种小线宽、高温度系数、高饱和磁化强度石榴石型铁氧体单晶材料,其配方主成分是以摩尔百分比计的如下组分:Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>(20.8~20.2%)、In<Sub>2</Sub...
魏占涛
帅世荣
李俊
刘庆元
李阳
游斌
聂勇
肖礼康
蓝江河
一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法
本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法,属于磁性功能材料技术领域,该方法包括:以GGG或SGGG为衬底,采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜,在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理...
帅世荣
李阳
李俊
魏占涛
刘庆元
陈运茂
游斌
蓝江河
肖礼康
一种磁控溅射制备锂电池电极材料FeSe<Sub>2</Sub>薄膜的方法
一种磁控溅射制备锂电池电极材料FeSe<Sub>2</Sub>薄膜的方法,其步骤是:a、溅射准备:选取硅基片作为衬底、FeSe靶材作为溅射靶材,安装于磁控溅射室内,调整溅射靶材到衬底的距离为5‑7cm;b、溅射沉积:将真...
羊新胜
金荣
蒲小艳
赵勇
魏占涛
张敏
文献传递
一种制备高温超导涂层导体La<Sub>0.7</Sub>Sr<Sub>0.3</Sub>MnO<Sub>3</Sub>缓冲层薄膜的方法
本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La<Sub>0.7</Sub>Sr<Sub>0.3</Sub>MnO<Sub>3</Sub>缓冲层薄膜的方法,其步骤主要是:a、将硝酸镧,硝酸锶和硝酸锰按镧、锶、锰离子数量比为7:3...
羊新胜
张敏
赵勇
魏占涛
吕莉
文献传递
磁调谐滤波器用单晶谐振子铁磁共振线宽快速筛选装置及筛选方法
本发明公开了一种磁调谐滤波器用单晶谐振子铁磁共振线宽快速筛选装置,属于微波元器件测试领域,所述测试装置包括谐振器(1)、谐振子(2)、可调直流电源(3)和矢量网络分析仪(4);其中,所述定向后的谐振子(2)置于谐振器(1...
魏占涛
帅世荣
刘庆元
李阳
李俊
张平川
肖礼康
蓝江河
Bi2Se3的过渡元素掺杂效应及其与钙钛矿复合结构的特性研究
拓扑绝缘体(TI)作为一种新的量子物态,其体态是具有能隙的绝缘态,而边界或表面态则是无能隙的金属态。在众多TI材料之中,由于Bi2Se3具有一个相对较大的能隙(0.3 eV),并且其表面能带结构简单,因此常被视为研究TI...
魏占涛
关键词:
拓扑绝缘体
钙钛矿
复合结构
磁电阻效应
文献传递
一种法拉第旋光器结构及其应用
本发明公开了一种法拉第旋光器结构,属于激光光学无源器件技术领域,包括磁路(1),所述磁路(1)内的中心位置设置有环形旋光介质(3)或板条状旋光介质(4)或圆盘状旋光介质(5),本发明还公开了上述旋光器的应用,本发明根据激...
王涛
蒋行
李俊
魏占涛
一种无胶化法拉第旋光器
本发明公开了一种无胶化法拉第旋光器,属于激光光学无源器件技术领域,包括扇形磁瓦组和用于固定所述扇形磁瓦组的扇形磁瓦固定装置,在所述扇形磁瓦中心位置设置有磁光晶体和用于固定所述磁光晶体的磁光晶体固定装置;本发明解决了因分离...
王涛
蒋行
李俊
钟东灵
魏占涛
杨天颖
肖礼康
一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚膜的方法
本发明公开了一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚膜的方法,属于铁氧体单晶薄膜材料技术领域,本发明的方法为采用熔盐法制备石榴石同质衬底,并以此衬底进行液相外延,避免了异质衬底与膜之间的物理性能差异,有效减小了膜的内应力,降...
李俊
李阳
魏占涛
刘庆元
帅世荣
陈运茂
游斌
Bi1.85In0.15Se3单晶的结构及输运特性研究
2017年
主要研究了Bi_(1.85)In_(0.15)Se_3的晶体结构、微观形貌及电输运性能。样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理。样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为。拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,Mott变程跃迁模式在低温下对电阻率贡献作用的增大,导致金属-绝缘体转变的出现;而在高温区域,声子散射及电离杂质散射对载流子的作用共存。当施加外加磁场时,样品出现了与纯Bi2Se3相反的负磁电阻效应。这种反常的磁电阻行为可能跟由洛仑兹力导致的正磁电阻与自旋无序电阻率减小引起的负磁电阻之间的竞争作用有关。
张敏
魏占涛
羊新胜
关键词:
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