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高娇娇

作品数：16 被引量：46H指数：5
供职机构：河北工业大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 9篇阻挡层
  • 9篇CMP
  • 7篇抛光液
  • 6篇抛光
  • 5篇去除速率
  • 5篇化学机械抛光
  • 5篇机械抛光
  • 5篇碱性
  • 4篇平坦化
  • 4篇化学机械平坦...
  • 3篇碟形
  • 2篇多胺
  • 2篇盐酸胍
  • 2篇铜布线
  • 2篇抛光速率
  • 2篇络合剂
  • 2篇TSV
  • 2篇铜
  • 2篇钽
  • 1篇单因素

机构

  • 16篇河北工业大学
  • 3篇河北大学

作者

  • 16篇高娇娇
  • 14篇王辰伟
  • 13篇刘玉岭
  • 6篇蔡婷
  • 5篇陈蕊
  • 4篇王胜利
  • 3篇崔晋
  • 3篇曹阳
  • 3篇张文倩
  • 2篇栾晓东
  • 2篇马锁辉
  • 1篇牛新环
  • 1篇何彦刚
  • 1篇张子生
  • 1篇王春胜
  • 1篇张乐
  • 1篇王伟超
  • 1篇潘辉
  • 1篇张宏远
  • 1篇李海龙

传媒

  • 8篇微纳电子技术
  • 3篇半导体技术
  • 1篇电镀与涂饰
  • 1篇功能材料
  • 1篇北京理工大学...
  • 1篇稀有金属

年份

  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 8篇2013
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
65纳米以下IC碱性阻挡层CMP材料与工艺的研究
集成电路(IC)发展水平是衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。化学机械平坦化(CMP)是IC制造关键工艺技术之一，是目前唯一能够实现全局和局部平坦化的技术。阻挡层CMP为铜(Cu)互连平坦化的最后工序，直接决定I...
高娇娇
关键词：化学机械平坦化材料选择抛光液
铜/钽/绝缘介质用碱性化学机械抛光液的优化被引量：3
2016年
在工作压力2 psi,抛光头转速55 r/min,抛光盘转速60 r/min,流量150 m L/L,温度22.7°C的条件下,采用一种不含H_2O_2的碱性抛光液对Cu、Ta、SiO_2绝缘介质3种材料进行化学机械抛光(CMP)。通过研究抛光液中SiO_2磨料粒径和用量、FA/O II型螯合剂和非离子型表面活性剂用量对3种材料去除速率的影响,得到了高选择性的阻挡层抛光液:SiO_2粒径为50 nm的浆料20%(质量分数),FA/O II型螯合剂0.15%(体积分数),表面活性剂3%(体积分数)。该抛光液的SiO_2/Ta/Cu去除速率之比为3.4∶1.6∶1.0。采用该抛光液抛光后,铜的表面粗糙度由5.18 nm降至1.45 nm,碟形坑和蚀坑分别由116 nm和46 nm降至42 nm和24 nm。
张文倩刘玉岭王辰伟高娇娇栾晓东
关键词：铜钽化学机械抛光去除速率
H_2O_2基的碱性阻挡层抛光液对Co CMP的影响被引量：5
2016年
由于钴(Co)具有优良的化学物理特性成为下一代极大规模集成电路阻挡层材料之一。Co在碱性抛光液中易被氧化进而钝化其表面,导致Co的去除速率降低甚至低于Cu的去除速率。针对上述问题,研究了螯合剂和H2O2对Co去除速率的影响以及不同体积分数表面活性剂对Co粗糙度的影响。优化并确定了当抛光液p H值为9,Si O2磨料质量分数为4%,螯合剂、H2O2以及表面活性剂的体积分数分别为3.0%、0.05%和1.5%时,Co和Cu的去除速率分别为56.7 nm·min-1和38.3 nm·min-1。结果表明,螯合剂和H2O2协同作用提高了Co的去除速率并降低了Co和Cu之间的电位差,有效地控制了二者之间的电偶腐蚀。
潘辉王胜利张乐王辰伟高娇娇
关键词：H2O2阻挡层去除速率
弱碱性多羟多胺抛光液稳定性被引量：2
2013年
稳定性是评估抛光液性能的重要指标之一,其关系到抛光液的寿命及能否产业化。从多羟多胺络合剂的反应原理出发,先对强碱性和弱碱性络合剂组成的抛光液进行对比。考量铜去除速率和抛光液的pH值,由这两方面随抛光液放置时间的变化规律对弱碱性多羟多胺组成的抛光液进行评估。实验结果表明,加入氧化剂后,强碱性络合剂配制的抛光液必须现配现用,否则铜去除速率和抛光液的pH值会快速下降;而弱碱性络合剂配制的抛光液在使用过程中放置时间可延长至8 h,且铜去除速率和抛光液的pH值稳定。
蔡婷刘玉岭王辰伟陈蕊高娇娇
关键词：稳定性络合剂弱碱抛光液
阻挡层CMP中盐酸胍对铜和钽抛光速率的影响被引量：5
2013年
在铜互连超大规模集成电路(ULSI)中,由于铜和钽的物理化学性质的差异造成两者的去除速率不同,导致布线晶圆表面抛光后出现碟形坑等缺陷。针对该问题,研究了盐酸胍(CH5N3·HCl)对Cu和Ta去除速率选择性的影响。根据Cu和Ta的CMP机理,通过在有氧化剂和无氧化剂环境下的实验对比,以及不同质量分数的盐酸胍对Cu和Ta去除速率选择性的影响,对盐酸胍在钽CMP中的作用进行了定性和定量分析,确定并优化了盐酸胍及氧化剂的含量,使钽的去除速率快于铜的去除速率。应用上述抛光液对300mm布线晶圆进行阻挡层抛光实验,通过对碟形坑的检测,证明了该种抛光液能够高速、有效地修正碟形坑。
李海龙刘玉岭王辰伟张宏远高娇娇
关键词：阻挡层
磷酸作为pH调节剂在阻挡层抛光过程中的应用
2013年
通过大量实验,研究了一种Ta高去除速率下的高选择性阻挡层抛光液,实现对碟形坑的有效修正以及表面粗糙度的有效降低。采用磷酸作为pH调节剂,改变pH值考察Ta和Cu选择性的变化规律,进而选取Ta高去除速率下的高选择性阻挡层抛光液。通过XP-300台阶仪及原子力显微镜等测试手段,表征此抛光液对碟形坑的修正能力及对Cu表面形貌的影响,结果表明,Ta和Cu材料的去除速率随pH值增大上升明显,可以通过调节pH值有效控制Ta和Cu的去除速率,实现Ta的去除速率明显大于Cu,并且实现碟形坑的有效修正及粗糙度的明显降低。
高娇娇刘玉岭王辰伟曹阳陈蕊蔡婷
关键词：磷酸PH调节剂高选择性
TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺被引量：5
2013年
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)技术采用铜作为互连材料,晶圆表面沉积了一层厚厚的铜膜,对铜去除速率提出了新要求。从化学机械平坦化(CMP)过程的机理出发,对影响铜去除速率的因素,如磨料、活性剂、氧化剂、螯合剂以及抛光工艺中抛头转速、转盘转速、抛光液流量、工作压力进行了单因素实验和规律分析。通过单因素实验得出,在磨料、活性剂、氧化剂和螯合剂的体积分数分别为50%,1.5%,0.5%和5%,抛头转速和转盘转速分别为105和100 r/min、抛光液流量为225 mL/min和工作压力为4 psi(1 psi=6 895 Pa)时,铜去除速率高达1.5μm/min。
蔡婷刘玉岭王辰伟牛新环陈蕊高娇娇
关键词：单因素抛光液
多羟多胺在TSV铜膜CMP中的应用研究被引量：7
2013年
对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O)在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O络合剂时,铜的去除速率仅为45.0nm/min,少量FA/O的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O含量为50mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O对铜的去除率可高达2.8μm/min,满足微电子技术进一步发展的要求。
王辰伟刘玉岭蔡婷马锁辉曹阳高娇娇
关键词：络合剂TSV化学机械平坦化抛光速率
新型碱性阻挡层抛光液的研究(英文)
2014年
为了达到Ta的高去除速率,通过实验改变碱性阻挡层抛光液中各组分的体积分数,研究各组分变化对阻挡层材料Cu和Ta抛光速率的影响。碱性阻挡层抛光液中,首先确定磨料及去离子水的比例,然后再改变盐酸胍和螯合剂等组分体积分数,得到Cu和Ta抛光速率的变化规律,便于选取此条件下阻挡层抛光液最佳配比。通过各种测试手段表征抛光液对12英寸(1英寸=2.54 cm)布线片碟形坑修正能力及铜布线表面粗糙度的影响。结果表明,Ta和Cu材料的抛光速率随各组分变化规律明显,当磨料体积分数为30%、盐酸胍体积分数为3%以及螯合剂体积分数为1%时,可以达到Ta和Cu的最大抛光速率差。优化后的新型阻挡层抛光液1 min内可以实现碟形坑的有效修正及粗糙度的明显降低。
高娇娇刘玉岭王辰伟崔晋
关键词：去除速率
CMP中新型碱性阻挡层抛光液的性能被引量：3
2015年
介绍了一种不含腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)和氧化剂的弱碱性阻挡层抛光液。通过测量抛光液的pH值、Zeta电位、黏度、粒径大小及粒径分布随放置时间的变化来研究抛光液的稳定性;该抛光液与商业阻挡层抛光液进行比较,通过测试抛光后的晶圆表面状态,发现该抛光液有利于化学机械抛光(CMP)后清洗;在E460E机台上研究抛光液中各种成分(磨料、FA/O螯合剂)和抛光液pH值对Cu,Ta和SiO2去除速率选择比的影响。实验研究结果表明该弱碱性阻挡层抛光液使用保质期长达一个月以上并且利于CMP后清洗,抛光后的晶圆表面无氧化铜结晶和BTA颗粒。抛光实验结果显示磨料、FA/O螯合剂和pH值对Cu,Ta和SiO2去除速率选择比有不同的影响,其中影响最大的是磨料质量分数。
栾晓东刘玉岭王辰伟高娇娇张文倩
关键词：阻挡层选择比
全选 清除 导出
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