陈蔚金
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：赣南师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省光电子与通信重点实验室开放基金江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于液晶的一维光子晶体缺陷模的电场调控特性研究
- 在一维光子晶体中填充液晶,由于液晶具有双折射特性,又因为液晶的双折射率对电场和温度变化比较敏感,所以可以通过外加电场和温度来调控液晶的有效折射率,从而达到对光子晶体缺陷模的调控。相比其他光电材料而言光子晶体在调谐范围具有...
- 陈蔚金
- 关键词：液晶缺陷模传输矩阵法
- 文献传递
- 波长为850nm的电场调控含液晶一维光子晶体滤波器的设计
- 2013年
- 利用传输矩阵法研究了含液晶一维光子晶体的缺陷模.数值计算了ZnO层厚度或液晶层厚度为固定值,垂直入射光与电场方向间夹角θ为0°、30°、60°和90°时,含液晶一维光子晶体缺陷模的波长随液晶层厚度(或ZnO层厚度)的变化关系.结果表明:当ZnO层厚度为90.8 nm定值时,波长为850 nm光通信窗口对应的液晶层厚度范围为139 nm-158 nm;当液晶层厚度为141.7 nm定值时,波长为850 nm光通信窗口对应的ZnO层厚度范围为88.7 nm-102.3 nm.要得到缺陷模波长为850 nm,垂直入射光与电场方向间夹角θ越小,液晶或ZnO层厚度就越小.
- 陈蔚金谢应茂
- 关键词：液晶缺陷模传输矩阵法
- 含一液晶缺陷层的一维光子晶体缺陷模的电场调控特性研究被引量：1
- 2013年
- 当电场强度大于阈值时,液晶可以看成是单轴介质,其折射率可以通过电场方向来调控。在光子晶体中引入缺陷层液晶,利用传输矩阵法研究了含有一层填充不同液晶(分别为E7、5CB或BL-009)缺陷的一维光子晶体缺陷模的电场调控特性。结果表明:对应于E7、5CB或BL-009不同液晶缺陷,缺陷模波长可调量分别为43nm、34.5nm和37.1nm,电场对E7这种液晶相对于其他两种液晶可调量更大。随着垂直入射光与电场方向间夹角θ在(00,900)内增大,缺陷模波长向着短波方向漂移。这是由于有效折射率的变化及变化范围所引起的。
- 陈蔚金谢应茂
- 关键词：液晶缺陷模传输矩阵法
