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陈卫民
作品数:
3
被引量:6
H指数:1
供职机构:
南京大学物理学院物理学系
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
臧岚
南京大学物理学院物理学系
朱顺明
南京大学物理学院物理学系
罗志云
南京大学物理学院物理学系
韩平
南京大学物理学院物理学系
江若琏
南京大学物理学院物理学系
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X
机构
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南京大学
作者
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江若琏
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韩平
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朱顺明
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陈卫民
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程雪梅
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郑有斗
1篇
王荣华
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郑有炓
传媒
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光电子.激光
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南京大学学报...
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半导体光电
年份
3篇
2000
共
3
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Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器
被引量:5
2000年
本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70~ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96~ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V) ;讨论了 Ge组分、外延层厚度。
江若琏
罗志云
陈卫民
臧岚
朱顺明
刘夏冰
程雪梅
陈志忠
韩平
王荣华
郑有斗
关键词:
光电探测器
红外探测器
Si基Ge0.85Si0.15异质结光电二极管
2000年
采用低温生长缓冲层,高温生长GeSi外延层的方法在n型Si衬底上外延生长(i)Ge0.85Si0.15-(p)Si层,以此材料作为吸收区制备成GeSi/Si异质结pin台面光电二极管。其波长范围为0.7-1.55μm,峰值波长位于1.06μm,暗电流密度低达0.033μA/mm^2(-2V),在1.06μm和1.3μm处的响应度分别为1.8A/W(-2V)和0.066A/W(-V)。
江若琏
罗志云
陈卫民
臧岚
朱顺明
徐宏勃
刘夏冰
程雪梅
陈志忠
韩平
郑有炓
关键词:
光电二极管
异质结
硅基
SiGeC/Si异质结光电探测器(英文)
被引量:1
2000年
江若琏
陈卫民
罗志云
臧岚
朱顺明
韩平
郑有
关键词:
光电探测器
异质结
响应度
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