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陈卫民

作品数：3 被引量：6H指数：1
供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇光电
  • 2篇异质结
  • 2篇探测器
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 1篇英文
  • 1篇响应度
  • 1篇光电二极管
  • 1篇硅化
  • 1篇硅基
  • 1篇红外
  • 1篇红外光
  • 1篇红外光电探测...
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇二极管
  • 1篇SI
  • 1篇SI基
  • 1篇X

机构

  • 3篇南京大学

作者

  • 3篇江若琏
  • 3篇韩平
  • 3篇罗志云
  • 3篇朱顺明
  • 3篇臧岚
  • 3篇陈卫民
  • 2篇刘夏冰
  • 2篇程雪梅
  • 2篇陈志忠
  • 1篇郑有斗
  • 1篇王荣华
  • 1篇郑有炓

传媒

  • 1篇光电子．激光
  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 3篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器被引量：5
2000年
本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V) ;讨论了 Ge组分、外延层厚度。
江若琏罗志云陈卫民臧岚朱顺明刘夏冰程雪梅陈志忠韩平王荣华郑有斗
关键词：光电探测器红外探测器
Si基Ge0.85Si0.15异质结光电二极管
2000年
采用低温生长缓冲层，高温生长ＧｅＳｉ外延层的方法在ｎ型Ｓｉ衬底上外延生长（ｉ）Ｇｅ０．８５Ｓｉ０．１５－（ｐ）Ｓｉ层，以此材料作为吸收区制备成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ台面光电二极管。其波长范围为０．７－１．５５μｍ，峰值波长位于１．０６μｍ，暗电流密度低达０．０３３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ），在１．０６μｍ和１．３μｍ处的响应度分别为１．８Ａ／Ｗ（－２Ｖ）和０．０６６Ａ／Ｗ（－Ｖ）。
江若琏罗志云陈卫民臧岚朱顺明徐宏勃刘夏冰程雪梅陈志忠韩平郑有炓
关键词：光电二极管异质结硅基
SiGeC/Si异质结光电探测器(英文)被引量：1
2000年
江若琏陈卫民罗志云臧岚朱顺明韩平郑有
关键词：光电探测器异质结响应度
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共1页<1>
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