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阙金珍

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇电路
  • 3篇EEPROM
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电荷泵电路
  • 1篇电路优化
  • 1篇优化设计
  • 1篇设计技术
  • 1篇阈值电压
  • 1篇物理模型
  • 1篇耐久
  • 1篇耐久性
  • 1篇耐久性评价
  • 1篇集成电路
  • 1篇功耗
  • 1篇功耗优化
  • 1篇IC卡
  • 1篇超大规模集成
  • 1篇超大规模集成...
  • 1篇大规模集成电...

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇阙金珍
  • 2篇刘红侠
  • 1篇郝跃
  • 1篇李蕾蕾

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
电荷泵电路功耗优化设计及改进被引量：4
2006年
通过简单的解析模型,提出了电荷泵电路功耗最小化的设计原则。利用这一原则,可以由输入和输出电压确定升压级数,使转换效率最大化。根据所需的输出电流,确定充电电容的值。通过对传统电荷泵电路的改进,消除了衬偏效应。在华虹NEC 0.35μm EEPROM CMOS工艺下进行仿真,仿真结果证明了提出的设计原则的正确性。
阙金珍刘红侠郝跃
关键词：电荷泵功耗EEPROM优化设计
隧道氧化层的击穿电荷量特性与EEPROM耐久性评价
本文利用MOS电容测试结构研究了恒定电流应力下击穿电荷量QBD的特性.研究表明QBD与电流密度和电流方向有关.QBD随着电流密度的增大而减小,正电流偏置应力下的QBD较大,通过物理模型详细解释了实验现象.论文最后给出了评...
阙金珍刘红侠李蕾蕾
关键词：EEPROM耐久性超大规模集成电路
文献传递
EEPROM隧道氧化层的退化及电路优化设计技术
随着我国市场经济的发展，IC卡得到越来越广泛的运用。卡中EEPROM存储器的优劣深刻影响IC卡的性能。隧道氧化层的退化是引起EEPROM可靠性的主要原因。本文利用MOS电容和浮栅引出的FLOTOX EEPROM单元结构研...
阙金珍
关键词：电路优化IC卡物理模型阈值电压
文献传递
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