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郭宝海

作品数：13 被引量：31H指数：4
供职机构：大连理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金辽宁省科委资助项目更多>>
相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 6篇理学
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇离子束
  • 3篇陶瓷
  • 3篇离子
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅膜
  • 2篇陶瓷化
  • 2篇溅射
  • 2篇硅膜
  • 2篇氩
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体辅助
  • 1篇低气压
  • 1篇电弧
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学性能
  • 1篇氧化硅

机构

  • 13篇大连理工大学
  • 3篇大连海事大学
  • 2篇扬州大学
  • 2篇沈阳真空技术...
  • 1篇香港城市大学
  • 1篇电子工业部

作者

  • 13篇郭宝海
  • 5篇任春生
  • 4篇李国卿
  • 4篇马腾才
  • 4篇牟宗信
  • 3篇龙振湖
  • 3篇王德真
  • 2篇孙俊才
  • 2篇安世民
  • 2篇王洋
  • 2篇王亮
  • 2篇陆宗仪
  • 2篇黑祖昆
  • 2篇梅雨
  • 2篇夏元良
  • 2篇钟溥
  • 2篇尤竹平
  • 1篇季世军
  • 1篇李述汤
  • 1篇康宁

传媒

  • 5篇大连理工大学...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇真空
  • 1篇金属功能材料

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1993
  • 1篇1991
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
射频磁控溅射沉积SiO_2膜的研究被引量：8
1997年
研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．
刘艳红郭宝海马腾才
关键词：硅器件二氧化硅射频磁控溅射法
新型离子束增强沉积技术被引量：6
1998年
离子束增强沉积技术是近年在离子注入技术基础上发展的新型材料表面改性技术，本文简要介绍多功能离子束增强沉积设备和应用技术研究，设备具有金属离子注入、气体离子注入、离子束增强沉积、磁控溅射沉积功能，进行材料表面改性和制备各种材料薄膜科学研究。
李国卿任春生牟宗信郭宝海钟溥王洋康宁赵成修赵成修孙俊才王亮
关键词：表面改性离子束
氩辉光放电阴极区离子的能量和角分布
1993年
由蒙特卡罗方法模拟离子在氩直流辉光放电阴极位降区的运动，包括了 离子现中性原子的电荷交换碰撞和弹性散射，用到了较精确的依赖于离子能 量的电荷交换和动量输运截面，得到了阴极位降区不同位置离子的能量分布 和角分布．发现：离子由负辉光区向阴极运动过程中，离子能量分布的高能部 分逐渐增大，角分布向小角度部分压缩，阴极位降区的强电场加速和聚焦了 离子．
王德真郭宝海马腾才
关键词：辉光放电氩蒙特卡罗方法
采用MBDM法获得高性能高分子膜的研究
1996年
采用多束动态混合法在３０４不锈钢样品表面成功地制备出ＰＴＦＥ（聚四氟乙烯）和ＰＥＥＫ（聚醚醚酮）混合的高性能高分子复合膜，其结合力约７０Ｎ，耐蚀能力提高２０倍，摩擦系数达到０．０７～０．１４。
任春生龙振湖阎坤郭宝海纪宏学
关键词：离子束高聚物塑料
一种多束动态混合注入技术及其装置
本发明涉及混合离子注入，特别是涉及一种多束动态混合注入技术。;本发明采用多束注入——沉积动态混合工艺，解决了高真空电弧金属等离子体喷射沉积束与离子束动态混合过程中的真空(1)<Sup>-3</Sup>～10<Sup>-7...
龙振湖尤竹平任春生阎堃郭宝海
文献传递
一种多束动态混合注入方法及其装置
用于表面改性领域的一种多束动态混合注入方法及其装置，特征是用载能离子、电子、原子和等离子体等多种束线，各束线在高真空下采用大束斑、单独调控、同时注入沉积，对工件实施表面清洗、基底强化、建立膜—基动态混合注入过渡层和化学配...
龙振湖尤竹平任春生阎堃郭宝海
文献传递
一种新型的激光——等离子体辅助化学气相沉积装置的研究被引量：4
1997年
为探索用激光和等离子体共同辅助化学气相沉积（ＣＶＤ）过程以实现室温沉积的可能性，设计并制造了一种新型的ＣＶＤ装置，实际进行了由ＳｉＨ４－ＮＨ３－Ｎ２体系制取Ｓｉ３Ｎ４膜的试验。结果表明，激光和等离子体是可以相互促进、共同辅助ＣＶＤ过程的，且两者均处于较低的能量水平；整个沉积过程在室温下进行，仅在试样表面局部区域有升温，从而可以实现保持基体原有性能的沉积和选区沉积，拓宽ＣＶＤ的应用前景。
陆宗仪李文梅安世民郭宝海郭宝海徐军夏元良
关键词：化学气相沉积激光等离子体氮化硅膜
激光-等离子体辅助化学气相沉积工艺参数对氮化硅膜显微硬度的影响被引量：3
1997年
采用一种新的方法──激光-等离子体辅助气相沉积法（LPCVD），在自行研制的LPCVD装置上进行了SiH4-NH3-N2体系沉积Si3N4膜的工艺试验；采用正交试验法选择工艺多数，根据显微硬度评价膜层性能，并找出最佳工艺参数：激光功率密度为328W／cm2，RF电源功率为50W，氮硅流量比为10。结果表明，激光功率密度对膜层显微硬度的影响最大，RF电源功率的影响次之，氮硅流量比的影响最弱。
陆宗仪李文梅徐军夏元良郭宝海梅雨安世民
关键词：CVD氮化硅陶瓷陶瓷涂层显微硬度
射频等离子体增强磁控溅射沉积Al_2O_3膜
1993年
采用射频等离子体增强磁控溅射同步沉积，在金属表面制备了Ａｌ２Ｏ３ 膜．实验表明，采用本方法在工艺上是可行的，膜与基材结合性能好。
郭宝海王德真章玉萱马腾才
关键词：氧化铝磁控溅射沉积
低能辐照离子源设计及性能被引量：3
1999年
简要介绍了低能辐照离子源的设计及性能。采用热阴极磁约束ＰＩＧ放电，并用两极多孔加减速系统引出离子束。调试结果：离子束能量在２００－２０００ｅＶ范围内可调，最大引出束流１５０ｍＡ，灯丝工作寿命１６０ｈ。
任春生牟宗信李国卿钟溥郭宝海康宁王洋黑祖昆王亮
关键词：热阴极磁约束离子束离子源
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共2页<12>
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