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郑鑫森: 作品数：28 被引量：19H指数：3; 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>; 发文基金：上海市科委光科技专项国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>; 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信化学工程更多>>

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镧掺杂铌锌锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备方法: 本发明涉及一种高压电性能的压电陶瓷材料——镧掺杂铌锌锆钛酸铅——以及这种新材料的制备方法，属于压电陶瓷领域。这种新型高性能压电陶瓷材料采用氧气氛热压方法制备，其烧结温度1150～1230℃，热压压强为160MPa，氧气流...; 殷庆瑞邓国初丁爱丽郑鑫森程文秀; 文献传递

SrTiO3衬底上溅射法外延生长PLZT薄膜: 2004年; 用射频磁控溅射法在SrTiO3衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO3衬底上成功制备出外延生长的、厚度达1.5μm的PLZT薄膜.; 仇萍荪程文秀何夕云郑鑫森丁爱丽

一种二维纳米氧化锌单晶片的制备方法: 本发明提出了一种新型的纳米结构半导体材料——超宽超长二维纳米氧化锌单晶片的制备方法，属于半导体纳米材料制备领域。这种二维纳米氧化锌单晶材料是在氧化铅气氛催化下，利用碳粉作为还原剂，在900℃～1000℃的高温下，采用气相...; 殷庆瑞邓国初郑鑫森仇萍荪何夕云; 文献传递

铌锌酸铅－锆钛酸铅镧透明功能陶瓷及其制备方法: 本发明涉及一种铌锌酸铅-锆钛酸铅镧透明功能陶瓷及其制备方法，属于透明陶瓷领域，其特征在于透明陶瓷组份为：(Pb1-xLax)(Zn1/3，Nb2...; 殷庆瑞郑鑫森仇萍荪丁爱丽; 文献传递

Mn掺杂(K_(0.5)Na_(0.5))_(0．96)Sr_(0．02)NbO_3无铅压电陶瓷的研究被引量：8: 2007年; 采用常压烧结方法制备了Mn掺杂的(K0．5Na0．5)0．96Sr0．02Nb1-xMnxO3无铅压电陶瓷．研究了Mn含量对该体系材料的相组成、微观结构、介电、压电和热稳定性能的影响．XRD表明随着Mn含量的增加,体系由正交相过渡到赝四方相;而且,富Na的第二相消失,得到纯净的钙钛矿相结构．在Mn含量为x=0．03和0．04时,观察到了两个温度(200和390℃)处的介电反常,这和晶格畸变引起的复晶胞结构有关．Mn含量为x=0．02时,得到综合性能优良的压电超声换能器用材料:介电常数ε33 7／ε0=479,压电常数d33=121pC／N,机电耦合系数Kp=41％,机械品质因子Qm=298,介电损耗tanδ=1．6％,居里温度Tc=391℃,谐振频率fr和机电耦合系数Kp随温度的变化率αfr(80℃)和αKp(80℃)分别为-1．85％和1．19％．; 刘涛丁爱丽何夕云郑鑫森仇萍荪程文秀; 关键词：无铅压电陶瓷

镧掺杂锆钛酸铅电控光散射透明陶瓷及其制备方法: 本发明涉及属于透明功能陶瓷材料领域，具体涉及一种镧掺杂锆钛酸铅电控光散射透明陶瓷及其制备方法。所述镧掺杂锆钛酸铅电控光散射透明陶瓷材料的通式为Pb1-xLax(Zry...; 何夕云夏彬郑鑫森仇萍荪程文秀曾霞; 文献传递

PLZT陶瓷中的光致伏特效应的研究被引量：4: 1991年; 研究了PLZT陶瓷中的体光伏特效应。采用通氧热压技术制备PLZT陶瓷。试样被切割加工成4.5×3×1mm^3并沿3mm 方向加以极化,在高于居里点的温度下以较低的电压(～250V/mm)极化。在高压球形汞灯的照射下,所研究的PLZT试样呈现较强的光致伏特效应。在4/56/44PLZT陶瓷中,其光伏电压和电流输出分别为1.2kV/cm(开路态)和0.9μA/cm^2(闭路态)。实验表明 PLZT 的光伏电流与光照强度有关而与外接电阻负载无关(在0～10~8Ω范围内);外加偏置场对极化前后的4/56/44PLZT陶瓷的光伏特性的影响的实验表明:受光照射后产生的光致激发载流子在一有效驱动电场的作用下作定向运动,从而对外表现出光伏效应的行为特征,这一有效场为材料的剩余极化场;外加偏置电场可诱发或加强材料的光伏电压和电流的输出。; 郑鑫森郑芝凤束慧君敖海宽; 关键词：电场

铌锌酸铅－锆钛酸铅镧透明功能陶瓷及其制备方法: 本发明涉及一种铌锌酸铅－锆钛酸铅镧透明功能陶瓷及其制备方法，属于透明陶瓷领域，其特征在于透明陶瓷组份为：(Pb1－xLax)(Zn1/3，Nb2...; 殷庆瑞郑鑫森仇萍荪丁爱丽; 文献传递