辛传祯
- 作品数：7 被引量：8H指数：1
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- 一种无机量子点近红外光致发光器件及制备方法
- 一种无机量子点近红外光致发光器件，由发光层A、衬底、阳极电极层、发光层B和阴极电极层依次堆叠而成，其中发光层A和发光层B为单层无机量子点薄膜；该发光器件的制备方法是，通过旋涂工艺在透明衬底附有阳极电极层上制备无机量子点薄...
- 李岚辛传祯张晓松李开祥李萍罗程远陈义鹏
- 硫族半导体材料电子结构计算及其量子点电致发光器件
- 硫族半导体材料作为一类重要的半导体材料，具有良好的光电特性，被广泛地应用于显示和照明等领域。本文主要研究了ZnS和PbS两种典型的硫族半导体材料。首先采用第一性原理模拟计算方法，对闪锌矿结构的ZnS、ZnS：Er以及面心...
- 辛传祯
- 关键词：电子结构计算量子点电致发光器件
- 文献传递
- ZnS:Er电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：6
- 2012年
- 采用第一性原理平面波赝势方法,分析了ZnS及掺杂Er3+之后的电子结构,进而预测了其光学性质。结果表明,掺杂之后体系的带隙变窄,同时价带与导带之间形成一个新的中间带。随着掺杂Er3+浓度的增加,体系的绝缘性呈下降趋势,吸收光谱则发生红移现象。这一结论与前人报道的实验结果相符。
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- 关键词：电子结构光学性质第一性原理计算
- 一种无机量子点近红外光致发光器件及制备方法
- 一种无机量子点近红外光致发光器件，由发光层A、衬底、阳极电极层、发光层B和阴极电极层依次堆叠而成，其中发光层A和发光层B为单层无机量子点薄膜；该发光器件的制备方法是，通过旋涂工艺在透明衬底附有阳极电极层上制备无机量子点薄...
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- 文献传递
- PVK空穴传输层对Ndq_3近红外发光二极管性能的影响被引量：1
- 2013年
- 以PEDOT∶PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT∶PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均观察到了荧光发射,分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2能级跃迁。与参考器件对比分析认为,PEDOT∶PSS高的导电性降低了器件的串联电阻,增大了器件的工作电流;PVK与PEDOT∶PSS共同降低了空穴的注入势垒,实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外,PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度,也是器件性能提高的原因之一。
- 陈义鹏辛传祯罗程远王丽师葛林张晓松徐建萍李岚
- 关键词：空穴注入层空穴传输层
- 一种近红外无机量子点电致发光器件及制备方法
- 一种近红外无机量子点电致发光器件，由衬底、阳极电极层、发光层和阴极电极层依次堆叠而成，其中发光层为单层无机量子点薄膜，该发光器件的制备方法是，通过旋涂工艺在透明衬底的阳极电极层上，制备单层无机量子点薄膜作为发光层，最后通...
- 张晓松辛传祯李岚李开祥罗程远李萍陈义鹏
- 文献传递
- Zn_(1-x)Cd_xS三元混晶的电子结构及光学性质计算与实验验证被引量：1
- 2012年
- 基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了Zn1-xCdxS三元混晶的电子结构和光学性质。计算结果表明,Cd进入ZnS晶格后,禁带宽度变窄,硫空位(VS)缺陷能级随x值增大逐渐向费米能级移动,在紫外和可见波段的吸收截止波长随着x值增大逐渐红移。采用共沉淀法制备了Zn1-xCdxS三元混晶,XRD图谱表明形成了Zn1-xCdxS合金相,吸收光谱显示了与理论计算相符的能带和吸收截止边的移动规律,荧光光谱显示与VS相关的发射峰随x增大逐渐红移,与计算得到的VS缺陷能级的移动规律相同。
- 李萍辛传祯徐建萍张晓松李德军李岚
- 关键词：密度泛函理论电子结构光学性质
