越方禹
- 作品数：31 被引量：39H指数：4
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- 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金中科院重大科研装备研制项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程医药卫生更多>>
- 一种可靠预测碲镉汞光电响应截止波长的非接触实验方法
- 一种可靠预测HgCdTe光电响应截止波长的非接触实验方法，系综合运用透射、光电流、光调制反射和光致发光多种光谱表征手段，对77K温度下材料的截止能量进行研究。结果表明：由于缺陷/杂质能级的存在，使传统的透射光谱不能准确预...
- 邵军吕翔陆卫吴俊越方禹黄炜李宁何力褚君浩
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- 金属毛细管环烯烃聚合物电介质膜太赫兹空芯光纤及制备
- 本发明公开了一种金属毛细管/环烯烃聚合物电介质膜太赫兹空芯光纤及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：将环烯烃聚合物溶解于甲苯溶剂中配制溶液；将溶液注入金属毛细管内，控制甲苯溶液从底端流出使甲苯溶液液面匀速下降，在金属毛细...
- 敬承斌付晓红王琳王旭越方禹张金中李文武胡志高杨平雄褚君浩
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- 基于步进扫描的红外调制光致发光谱的方法及装置
- 一种基于步进扫描的红外调制光致发光谱的方法及装置，该装置包括傅立叶变换红外光谱测量系统、作为激发光源的激光器、以及联结傅立叶变换红外光谱仪中探测器与电路控制板的锁相放大器、置于样品与激光器之间光路上的斩波器，从而使连续激...
- 邵军陆卫吕翔越方禹郭少令李志锋褚君浩
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- Ar^+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除被引量：4
- 2007年
- 研究了Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面的损伤,并用湿法腐蚀后处理消除损伤.Ar+刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小,而n-InP和p-InP表面明显变粗糙.刻蚀后InGaAsPL强度增加,而n-InP和p-InPPL强度都减小.用XPS分析了未刻蚀、Ar+刻蚀和湿法腐蚀后处理三种情况下样品表面原子含量.刻蚀后InGaAs表面In和Ga含量明显增加,n-InP和p-InP表面有严重P缺失.湿法腐蚀后,样品表面原子含量和未刻蚀前基本一致.
- 吕衍秋越方禹洪学鹍陈江峰韩冰吴小利龚海梅
- 关键词：INGAASINP湿法腐蚀
- 64元量子点探测器阵列的微光读出及嵌入式集成
- 本文介绍一种波长最优响应在850nm左右的高增益GaAs/InGaAs量子点光电探测器,其高灵敏度的特性可以应用于微光探测。通过增益可调的读出电路,结合嵌入式系统集成电路,可以对读出微光数据进行放大,AD转换以及读出和显...
- 陆海东王维张淑骅郭方敏越方禹沈建华
- 关键词：嵌入式系统
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- GaAs/InGaAs量子点探测器件微光读出研究被引量：1
- 2012年
- GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90%。基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具有稳定的电压偏置,高注入效率和低噪声特点的CTIA(电容互阻跨导放大器)作为列放大器读出结构,输出部分采用相关双采样(CDS)结构去除系统和背景噪声。实验结果表明,在3.5 nW的微光辐射下,器件偏压为-2.5 V时,50μm×50μm像素探测器与读出电路互联后有7.14×107V/W的电压响应率。
- 尤虎郭方敏朱晟伟越方禹范梁茅惠兵
- 关键词：量子点量子效率
- 一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法
- 本发明公开了一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法，其特点是该方法包括：将硫酸铜、硫酸锌、硫酸亚锡、硫代硫酸钠、柠檬酸钠和酒石酸钾等化学试剂按一定摩尔比溶解于去离子水溶液中；然后在金属钼背电极上电化学沉积四...
- 陶加华胡小波洪进江锦春越方禹陈少强敬承斌杨平雄褚君浩
- 金属毛细管环烯烃聚合物电介质膜太赫兹空芯光纤及制备
- 本发明公开了一种金属毛细管/环烯烃聚合物电介质膜太赫兹空芯光纤及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：将环烯烃聚合物溶解于甲苯溶剂中配制溶液；将溶液注入金属毛细管内，控制甲苯溶液从底端流出使甲苯溶液液面匀速下降，在金属毛细...
- 敬承斌付晓红王琳王旭越方禹张金中李文武胡志高杨平雄褚君浩
- 600－700nm波段傅立叶变换光致发光谱方法及装置
- 本发明公开了一种600-700nm波段傅立叶变换光致发光谱方法及装置。该装置包括具有步进扫描功能的傅立叶变换红外光谱测量系统，作为激发光源的激光器、以及连接傅立叶变换红外光谱仪中探测器与电路控制板的锁相放大器、置于样品与...
- 邵军陆卫越方禹吕翔李志锋郭少令褚君浩
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- 一种光学检测装置及其工作方法
- 本发明提供了一种光学检测装置及其工作方法，其中，光学检测装置用于检测静脉壶中血液的状态，包括：壳体，用于套设在静脉壶外侧；光检测组件，设于壳体上，光检测组件包括第一发光模块和第一感光模块，在检测时，第一发光模块发出的光线...
- 刘楠梅越方禹李川涛杨博杨积顺于敏胡伟锋范灵灵邵青
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