蒋生蕊
- 作品数：25 被引量：84H指数：4
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>
- 射频反应性溅射沉积的Cd_2SnO_4薄膜物理性质与缺陷特性研究被引量：2
- 1992年
- 在Ar+O_7混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜。用X射线衍射测量了CTO膜的结构。实验结果表明,这种薄膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度、衬底温度以及沉积后的热处理。获得的CTO膜最低电阻率为1.74×10^(-6)Ω·cm,可见光光谱区最高透射率为95％。对于氧浓度为6％、衬底温度为400℃时沉积的CTO膜,经热处理后,其光隙能由热处理前的2.37eV增大为2.64eV。
- 彭栋梁蒋生蕊
- 关键词：射频
- （Ti，Al）N薄膜光学性能的研究
- 1995年
- 研究了（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ薄膜的光学特性，对其反射和透射光谱作了仔细分析。运用Ｈａｄｌｅｙ方程，算出了一定成分（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜的折射率ｎ，消光系数ｋ随波长的变化关系。又根据透射曲线，计算出了（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜的光隙能。
- 蒋生蕊赵学应彭栋梁韩专李强
- 关键词：复折射率
- 在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜被引量：7
- 2000年
- 利用射频反应性溅射沉积技术在掺Sn的In2 O3导电透明膜(ITO)衬底上制备了钙钛矿型Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜 .研究了沉积参量与热处理工艺对铁电薄膜结构和性能的影响 .运用X射线衍射、X射线光电子能谱和扫描电镜等技术 ,分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和表面元素化学状态 .测量了不同处理条件下薄膜的铁电性能 .结果表明 :在掺Sn的In2 O3导电透明膜衬底上可以得到表面无裂纹、化学计量比符合要求的PZT薄膜 ;薄膜中晶粒均匀分布 ,平均尺寸约 2 50nm ,呈四方状和三角状 ;溅射气氛中氧含量和退火温度对薄膜结构、化学计量比和铁电性能都有明显影响 .
- 阎鹏勋谢亮李义王君蒋生蕊
- 关键词：氧化铟溅射沉积ITO铁电薄膜
- 射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积透明导电Cd_2SnO_4薄膜被引量：4
- 1992年
- 在Ar+O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)膜。实验表明,该膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度和衬底温度,最低电阻率为2.89×10^(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率为95％。用X射线衍射测量了不同衬底温度下薄膜的结构。
- 蒋生蕊彭栋梁孙文红王万录
- 关键词：合金射频
- 弹性连续介质中氢致裂纹传播理论被引量：4
- 1992年
- 弹性连续介质中的氢原子,在裂纹应力场的诱导下发生聚集,形成氢气团,本文计算了气团分布区平均氢浓度,并将该区看作沿裂纹尖端分布的弹性夹杂,确定了夹杂的本征应变,研究了夹杂的应力场P_(ij)对裂纹位错密度的影响,求得了裂纹尖端总的应力强度因子,认为氢脆机理是氢气团增大了裂纹尖端应力强度因子,最后还讨论了氢致开裂的物理过程及氢致裂纹扩展速率,所得结果与实验符合很好。
- 蒋生蕊权宏顺
- 关键词：氢致裂纹应力场
- 热处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光电性质的影响被引量：2
- 1993年
- 在Ar、O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-In合金靶,制备了透明导电CdIn_2O_4(简称CIO)薄膜。研究了热处理对CIO薄膜的电学和光学性质的影响。实验结果表明,沉积后的热处理使CIO膜的电阻率均进一步减小,获得的薄膜最低电阻率为2.9×10^(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率约为90%。在CIO膜的透射和反射谱中,观察到大的Burstein移动,并根据CIO膜的光学数据计算的热处理前后的光隙能值分别为2.46eV和2.63eV。
- 蒋生蕊彭栋梁李斌王万录
- 关键词：光电性质
- 电化学沉积非晶NiO_xH_y膜的电致变色特性及其机理被引量：3
- 2001年
- 研究了用电化学方法在 Sn O2 基底上沉积的 Ni Ox Hy 膜电致变色特性 ,该膜是一种富氧结构 ,具有优良的变色特性 ,其透射式光密度ΔOD在可见光区可达 1以上 .Ni Ox Hy 膜在 KOH电解液中的电致变色行为是由质子的注入或萃取所决定 .H+注入并占据 Ni空位 ,会使一部分 Ni3+转化为 Ni2 + ,Ni3+的减少将导致光透性增强 ,这是因为Ni的 d电子能级在 Ni O6 八面体晶场中被分裂为 t2 g和 eg 能级 .H+的注入使 Ni3+的 t2 g能级被电子填满 ,变为 Ni2 + ,导致光学透明 .反之 ,H+ 的萃取使 t2 g能级出现空穴 ,即形成 Ni3+ 。
- 冯博学谢亮蔡兴民蒋生蕊甘润今
- 关键词：电化学沉积电致变色半导体材料
- 透明导电Cd_2SnO_4和Cdln_2O_4薄膜的塞贝克效应和红外特性研究被引量：1
- 1992年
- 报道了射频反应溅射Cd-Sn和Cd-In合金靶沉积获得的Cd_2SnO_4(简称CTO)和CdIn_2O_4(简称CIO)薄膜在0.2μm-6.0μm波长范围内的透射谱和反射谱测量结果,并对CTO和CIO膜的红外特性进行了理论分析和讨论。温差电动势(塞贝克效应)测量表明:对于CTO膜,以自由载流子与中性杂质的散射占主导地位;而对于CIO膜,则以离子化杂质的散射起支配作用。
- 彭栋梁蒋生蕊李斌王万录
- 关键词：镉
- 直流磁控溅射沉积（Ti，Al）N膜的研究被引量：13
- 1994年
- 研究了用直流磁控反应性溅射法在Ａｒ＋Ｎ２气氛中沉积（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜的工艺。（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜具有比ＴｉＮ膜高的耐磨性、硬度和高温抗氧化性。ＡＥＳ深度分析表明，由Ａｌ的选择性氧化形成的Ａｌ２Ｏ３保护层，是（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜具有优良高温抗氧化性能的原因．
- 蒋生蕊彭栋梁赵学应谢亮李强
- 关键词：磁控溅射高温氧化
- 氢致Ⅱ型裂纹扩展的位错理论
- 1993年
- 本文利用位错理论研究了Ⅱ型裂纹前方的位错塞积群和其附近形成的氢气团.并首次将氢气团看作弹性夹杂,采用合理的近似,求得了夹杂的本征应变和应力场,研究了氢气团与塞积群的交互作用,求得了塞积群的位错密度和应力强度固子,讨论了氢致开裂的物理过程和裂纹扩展速率.结果指出,氢气团促进裂纹尖端位错源开动,促进滞后塑性变形发生,提高塞积群顶端的位错密度和应力强度因子,促进该处微裂纹的形成和扩展.
- 蒋生蕊彭栋梁江向平
- 关键词：氢脆位错
