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缪卫国

作品数：17 被引量：116H指数：8
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 8篇化学工程
  • 4篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇冶金工程

主题

  • 13篇氮化
  • 13篇氮化铝
  • 12篇陶瓷
  • 9篇氮化铝陶瓷
  • 7篇热导率
  • 4篇流延
  • 4篇高热导率
  • 3篇烧结剂
  • 2篇低温共烧
  • 2篇氧化物
  • 2篇烧成
  • 2篇烧结特性
  • 2篇显微结构
  • 2篇流延法
  • 2篇介质损耗
  • 2篇金属
  • 2篇金属氧化物
  • 2篇晶须
  • 2篇抗弯强度
  • 2篇碱土

机构

  • 17篇清华大学
  • 1篇国防科学技术...
  • 1篇国防科技大学

作者

  • 17篇吴音
  • 17篇周和平
  • 17篇缪卫国
  • 6篇刘耀诚
  • 2篇韩巍
  • 2篇薛鸿陆
  • 2篇乔梁
  • 1篇刘希
  • 1篇陈浩
  • 1篇任福民

传媒

  • 5篇无机材料学报
  • 4篇电子元件与材...
  • 3篇硅酸盐学报
  • 2篇材料研究学报

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 6篇1998
  • 4篇1997
  • 5篇1996
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ca固溶对SrTiO_3结构的影响被引量：8
1998年
（CaxSr1-x）TiO3的晶胞体积随Ca固溶量的增大而减少．XPS研究表明，虽然这种体积减少有使原子间结合能增大的趋势，但由于TiO6八面体的倾斜旋转，造成原子间键长加长，反而使得结合能有所降低．Ca的固溶会变化，导致晶界处化学环境的变化，使晶界吸附氧含量明显增大．（CaxSr1-x）TiO3优良的压敏特性归因于晶胞体积的收缩及化学势的变化.
缪卫国吴音周和平
关键词：固溶XPS钛酸锶铁电体
AlN基片流延浆料粘度的研究被引量：15
1996年
通过对比实验研究了影响ＡｌＮ流延浆料粘度的主要因素。结果表明，环境温度或溶剂比例的增加，浆料的粘度值下降；而较小的粘度和增塑剂的减少则使粘度上升。严格控制各影响因素。
吴音缪卫国周和平
关键词：粘度电子元件
冲击波对AlN粉体性能及低温烧结特性的影响被引量：3
1997年
研究了冲击波对ＡｌＮ粉体性能的影响，并探索了以冲击波处理过的ＡｌＮ粉体为原料，添加５％（以质量计）助烧结剂的低温烧结过程。结果表明，冲击波处理ＡｌＮ粉将使晶粒产生大量的晶格畸变，从而活化了粉体。以冲击波处理的ＡｌＮ粉为原料，在１６１０℃下进行无压烧结，可得到密度为３．３３ｇ／ｃｍ３的ＡｌＮ陶瓷。
吴音缪卫国周和平韩巍薛鸿陆
关键词：冲击波氮化铝陶瓷陶瓷粉体烧成
AlN晶须的形貌及取向被引量：4
1997年
利用VLS法制备了AlN晶须，观察了诸如生长“小山”、堆垛等各种晶须形态．对AlN晶须的取向进行了研究，发现了一些不同于密排面的生长面，诸如{101n}（n＝1，2，3）．对AlN晶须的生长机制进行了初步探索，验证了螺旋位猪生长机制，并提出了斜生长机制。
缪卫国吴音周和平
关键词：晶须氮化铝晶体形貌晶体取向
低温烧结AlN陶瓷基片被引量：3
1998年
通过添加助烧结剂和改进粉体性能，进行ＡｌＮ陶瓷的低温致密化烧结。研究结果表明，添加以Ｄｙ２Ｏ３为主的助烧结剂系统，在１６５０℃下，无压烧结４ｈ，热导率高达１５６Ｗ／（ｍ·Ｋ）；而对ＡｌＮ粉体进行冲击波处理，可以提高粉体的烧结活性，使烧结温度降低２５℃。讨论了低温烧结ＡｌＮ陶瓷基片及低温共烧多层ＡｌＮ陶瓷基片的制备工艺。两步排胶法可以较好地解决金属Ｗ氧化及ＡｌＮ陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题，是制备ＡｌＮ陶瓷与金属Ｗ共烧多层基片的有效排胶方法。
周和平吴音刘耀诚缪卫国
关键词：ALN陶瓷热导率流延成型多层叠片
一种低温共烧AlN陶瓷基片的排胶技术被引量：6
1998年
介绍一种由高热导率AlN陶瓷和金属W共烧制备低温AlN陶瓷基片的排胶技术．研究了排胶过程中残余碳对AlN陶瓷基片相组成、烧结特性和微观结构的影响．结果表明：两步排胶法可以较好地解决W氧化及AlN陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题．
吴音周和平刘耀诚缪卫国
关键词：陶瓷低温共烧氮化铝陶瓷烧成
高热导率氮化铝陶瓷
本发明涉及一种高热导率氮化铝陶瓷，属陶瓷材料技术领域。该陶瓷由AlN粉和混合助烧结剂制成，所述混合助烧结剂为碱土金属氧化物和碱土金属氟化物中的任何一种，稀土金属氧化物和稀土金属氟化物中的任何一种，其配比为AlN∶混合助烧...
周和平乔梁吴音刘耀诚缪卫国
文献传递
影响AlN陶瓷热导率的本征氧缺陷被引量：12
1997年
对ＡｌＮ晶格中的铝空位、延展缺陷等进行了研究。研究表明，在固溶氧浓度较低（＜０．７５％，原子百分数）的高热导率ＡｌＮ试样中，铝空位的存在会造成ＡｌＮ晶胞局域收缩的现象，并观察到了铝空位的存在；固溶氧浓度较高（＞０．７５％）时，孤立的缺陷产生团聚，形成铝氧八面体；在氧浓度很高（＞＞０．７５％）的低热导率试样中观察到了反相区、多型体等延展缺陷。
吴音缪卫国周和平
关键词：氮化铝热导率陶瓷
纳米碳管及相关材料的电性能被引量：1
1997年
碳管是Ｃ原子按一定的排列方式形成一封闭的结构，构成有别于金刚石和石墨的Ｃ的第三种分子形式。１９９１年日本发现了碳管的一种形式——纳米碳管。这类材料具有特殊的力学、化学、磁学、电学等性能。笔者综述纳米碳管及相关材料的电学性能及应用前景，指出这类材料近期有望在复合材料中得到应用。
吴音缪卫国周和平
关键词：碳管纳米碳管纳米线
碳热还原法合成AIN晶须及其生长机理被引量：10
1998年
以Al2O3和石墨为原料，采用碳热还原法制备AIN晶须.研究了矿化剂的种类及温度等工艺对AIN晶须合成的影响结果表明，以CaF2和B2O3为矿化剂的AIN品须是以VLS机制生长的，高温下VLS机制可以转变为VS机制，同时存在两维成核及螺位错生长过程，晶须生长方向大多呈{101n}，（n=0，1，2，3）及{121m}，（m=0，1；
周和平陈浩吴音缪卫国刘希
关键词：氮化铝晶须碳热还原法
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