申陈海
- 作品数：6 被引量：20H指数：3
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 微晶硅薄膜沉积双因素优化和电学性质的研究
- 本文以提高微晶硅的沉积速率为目标,在研究了单一沉积参数对微晶硅薄膜沉积速率影响的基础上,主要研究了采用甚高频(75MHz)化学气相沉积时,功率密度—沉积气压双因素和硅烷浓度—气体总流量双因素对沉积速率的影响,同时对微晶硅...
- 申陈海
- 关键词：微晶硅沉积速率功率密度电学性质
- 文献传递
- 氢化微晶硅薄膜的两因素优化及高速沉积被引量：4
- 2009年
- 采用甚高频等离子体辅助化学气相沉积技术(VHF-PECVD)分别对薄膜沉积参数进行了功率密度—沉积气压和硅烷浓度—气体总流量两因素优化。主要研究沉积参数对薄膜沉积速率和结晶状况的影响,结果表明:高沉积压强下,功率密度的提高对微晶硅薄膜(μc-Si∶H)沉积速率的影响减弱,硅烷浓度和气体总流量影响作用相对增强,高硅烷浓度有利于材料的利用,最终在高压强(600Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1nm.s-1。同时,利用分步沉积法对薄膜的纵向结构均匀性进行了初步研究。
- 申陈海卢景霄陈永生郭学军
- 关键词：VHF-PECVD生长速率晶化率
- 微晶硅薄膜高速沉积及电学性质的研究被引量：3
- 2009年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在高功率密度和高压强条件下,通过改变硅烷浓度和气体总流量对薄膜沉积参数进行了两因素优化,最终在硅烷浓度为4.5%,气体总流量为100sccm条件下,获得沉积速率1.42nm/s,电导激活能0.47eV的优质硅薄膜;同时,通过单因素优化制备出沉积速率为2.1nm/s的微晶硅薄膜.利用晶粒间界势垒模型和费米能级统计偏移模型对薄膜的电学特性和传导行为分别进行了研究分析,同时初步分析了"后氧化"对薄膜电学性能的影响.
- 申陈海卢景霄陈永生
- 关键词：电学特性
- 甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究被引量：13
- 2008年
- 采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图.以0.75nm/s的高速沉积了器件质量级的微晶硅薄膜,并以该沉积速率制备出了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜电池.
- 郭学军卢景霄陈永生张庆丰文书堂郑文申陈海陈庆东
- 关键词：微晶硅薄膜
- 高气压下氢化微晶硅薄膜的高速沉积
- 2010年
- 利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500 Pa和600 Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响。研究表明:在高压强条件下,硅烷浓度和气体流量对沉积速率影响显著,而功率密度影响较弱;高沉积速率生长的薄膜孵化层较厚;电学特性较好的薄膜位于非晶/微晶过渡区。经过工艺的初步优化,在高压强(600 Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1 nm/s。
- 申陈海卢景霄陈永生郭学军陈庆东
- 关键词：VHF-PECVD电学特性
- 衬底H等离子体预处理时间对微晶硅薄膜生长的影响
- 2009年
- 本文采用VHF-PECVD技术制备了系列硅薄膜,通过椭圆偏振技术及拉曼测试手段研究了衬底表面预处理时间对微晶硅薄膜的微结构及其生长的影响。实验结果表明:随衬底预处理时间(0~10min)的延长,薄膜的晶化率从14%提高到44%;薄膜表面的硅团簇尺寸减小,在衬底预处理10min时,薄膜表面的粗糙度较小。在衬底未预处理与预处理10min时,在相同的沉积参数下,沉积两系列不同生长阶段硅薄膜的生长指数接近。原因是H等离子体预处理使衬底表面的原子氢增多,有利于成膜先驱物在衬底表面的迁移,影响薄膜的初期成核,使薄膜易于晶化。
- 丁艳丽朱志立谷锦华王志勇申陈海杨仕娥卢景霄
- 关键词：微晶硅薄膜晶化率表面粗糙度
