田东升
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
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- 钨酸铅晶体中掺杂阳离子的计算机模拟
- 2007年
- 用缺陷化学方法讨论了Nd3+、Th4+、Sb5+掺杂PbWO4(PWO)中可能存在的杂质缺陷模型,用GULP软件计算了不同杂质缺陷的生成能.计算结果表明,Nd3+和Th4+将占据PWO晶体中VP2b-周围的Pb位,对VP2b-的电荷补偿抑制了PWO晶体中420 nm吸收带.Sb5+在高浓度掺杂时将占据PWO晶体中V2O+周围的W位,并由于占据W位所呈现的一价负电性补偿V2O+的正电性,使孤立的铅空位增多,引起350 nm吸收的减弱和420 nm吸收的增强.
- 田东升张启仁刘廷禹陈腾张秀彦
- 关键词：PBWO4晶体模拟计算
- 填隙氧离子对钨酸铅晶体光学性质的影响及绿光起源的研究被引量：4
- 2007年
- 应用GULP软件按照能量最低原理确定了钨酸铅(PWO)晶体中填隙氧离子的位置,再用CASTEP软件计算了完整PWO晶体和含有填隙氧离子的PWO晶体的总态密度、分态密度和吸收光谱.计算结果表明,填隙氧离子的存在不会造成PWO晶体可见光区的显著吸收;PWO晶体中的绿光中心可能起源于WO4+Oi.
- 张秀彦张启仁刘廷禹陈腾田东升
- 关键词：电子态密度
- 掺Nb^(5+)钨酸铅晶体的计算机模拟
- 2006年
- 应用GULP计算软件模拟计算了掺Nb5+的PbWO4(PWO)晶体中,Nb5+可能存在的位置以及对应的各种缺陷的生成能.通过比较生成能的大小确定了Nb5+在PWO晶体中最可能的存在方式,并对其电荷补偿机制进行了分析.计算结果表明,在掺Nb5+∶PWO中,Nb5+首先占据邻近缺氧的W6+位,但不可能由F心或F+心来作为补偿,其电荷补偿形式应为[NbO3+VO]+—[NbO4]-,改变了在晶体中与350 nm吸收带有关的氧空位V2O+的电荷补偿机制,从而抑制了350nm吸收.
- 陈腾刘廷禹张启仁田东升张秀彦
- 关键词：PBWO4晶体掺杂计算机模拟
- 二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟被引量：1
- 2006年
- 应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额.
- 张秀彦张启仁刘廷禹陈腾田东升
- 关键词：掺杂本征缺陷
- PbWO_4晶体中的填隙氧及其对晶体光学性质的影响被引量：2
- 2007年
- 运用GULP计算软件模拟计算了PbWO4(PWO)晶体中不同位置的填隙氧原子点缺陷的生成能,计算结果表明:当填隙氧原子存在于(WO4)2-的周围时,填隙氧原子点缺陷的生成能最低;进一步运用基于密度泛函理论的全数值自洽DV-Xα方法计算了包含填隙氧原子的PWO晶体的态密度,计算结果表明:当填隙氧处在(WO4)2-的周围时,容易与(WO4)2-上的一个或两个氧离子相互作用形成分子离子O22-或O34-,通过分析这些计算结果,认为PWO晶体中350nm吸收带的出现很可能与晶体中的氧分子离子有关.
- 陈腾刘廷禹张启仁田东升张秀彦易志军
- 关键词：PBWO4晶体计算机模拟态密度
