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王钦玉

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：北京科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇新型碳材料
  • 2篇修饰
  • 2篇真空电子
  • 2篇真空电子技术
  • 2篇碳材料
  • 2篇添加量
  • 2篇迁移率
  • 2篇轻质
  • 2篇羟基锡酸锌
  • 2篇外延法
  • 2篇吸波
  • 2篇吸波涂层
  • 2篇锡酸锌
  • 2篇烯基
  • 2篇硝酸
  • 2篇冷阴极
  • 2篇金属

机构

  • 10篇北京科技大学

作者

  • 10篇廖庆亮
  • 10篇张跃
  • 10篇王钦玉
  • 6篇张铮
  • 4篇闫小琴
  • 4篇丁一
  • 4篇齐俊杰
  • 2篇邢修君
  • 2篇黄运华
  • 2篇刘硕
  • 2篇尹艳萍
  • 2篇秦子
  • 2篇顾有松
  • 2篇白鹤
  • 2篇章龙
  • 2篇康卓
  • 2篇郭惠静

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层的制备方法
本发明涉及一种纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层及其制备方法，纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层包括纳米氧化钴/石墨烯复合粉末、环氧树脂和固化剂；所述环氧树脂的质量百分比为70%~90%，所述固化剂的质量百分比为5%~15%，所...
张跃丁一廖庆亮罗保和张铮郭惠静王钦玉闫小琴齐俊杰顾有松
一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法
本发明属于真空电子技术和新型碳材料技术的交叉领域，具体涉及一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法。场发射冷阴极由基片和发射体组成，基片作为导电基底为硅片或者金属片，发射体为石墨烯薄膜层。石墨烯薄膜层与基底紧密接触，厚度为20...
张跃王钦玉廖庆亮张铮康卓
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一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法
一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将硝酸锌和氨水溶解于去离子水配制成硝酸锌浓度为0.09～0.1mol/L、溶液pH值为9～10的反应溶液；选取含α-{Cu，...
张跃秦子黄运华齐俊杰廖庆亮王钦玉邢修君尹艳萍
利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管测量DNA杂化方法
本发明涉及利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管测量DNA的杂化方法，利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管并且固定探针DNA，进行DNA杂化的测量，实现快速、灵敏及新颖电流响应模式的DNA杂化检测的利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管...
张跃章潇慧廖庆亮刘硕王钦玉张铮
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一种场发射用铷铯掺杂金属基石墨烯冷阴极的制备方法
一种场发射用铷铯掺杂金属基石墨烯冷阴极的制备方法，属于纳米材料场发射电子材料领域。本发明旨在设计一种新型场致发射用冷阴极组份即铷铯掺杂石墨烯，并建立一种快速、可控、均匀和大面积制备致密冷阴极材料的新方法。其特征在于：以金...
张跃丁一廖庆亮闫小琴白鹤王钦玉章龙
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一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法
本发明属于真空电子技术和新型碳材料技术的交叉领域，具体涉及一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法。场发射冷阴极由基片和发射体组成，基片作为导电基底为硅片或者金属片，发射体为石墨烯薄膜层。石墨烯薄膜层与基底紧密接触，厚度为20...
张跃王钦玉廖庆亮张铮康卓
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一种纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层的制备方法
本发明涉及一种纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层及其制备方法，纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层包括纳米氧化钴/石墨烯复合粉末、环氧树脂和固化剂；所述环氧树脂的质量百分比为70%~90%，所述固化剂的质量百分比为5%~15%，所...
张跃丁一廖庆亮罗保和张铮郭惠静王钦玉闫小琴齐俊杰顾有松
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利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管测量DNA杂化方法
本发明涉及石墨烯的转移技术和DNA的固定技术，利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管（HEMT）并且固定探针DNA，进行DNA杂化的测量，实现快速、灵敏及新颖电流响应模式的DNA杂化检测的利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管测量D...
张跃章潇慧廖庆亮刘硕王钦玉张铮
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一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法
一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将硝酸锌和氨水溶解于去离子水配制成硝酸锌浓度为0.09～0.1mol/L、溶液pH值为9～10的反应溶液；选取含α-{Cu，...
张跃秦子黄运华齐俊杰廖庆亮王钦玉邢修君尹艳萍
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一种场发射用金属基铷铯掺杂石墨烯冷阴极的制备方法
一种场发射用金属基底铷铯掺杂石墨烯冷阴极的制备方法，属于纳米材料场发射电子材料领域。本发明旨在设计一种新型场致发射用冷阴极组份即铷铯掺杂石墨烯，并建立一种快速、可控、均匀和大面积制备致密冷阴极材料的新方法。其特征在于：以...
张跃丁一廖庆亮闫小琴白鹤王钦玉章龙
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