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王星昱

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇单壁
  • 2篇单壁碳纳米管
  • 2篇电场
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇气相沉积
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 2篇金属性
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇分散性

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇刘忠范
  • 2篇姜珊
  • 2篇张锦
  • 2篇张依
  • 2篇王星昱
  • 2篇张永毅

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法
本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上...
张锦张永毅张依王星昱姜珊刘忠范
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一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法
本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上...
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