王兰花
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术电气工程更多>>
- 绝缘铁氧体表面原子氢致选区半导化及应用研究
- 王兰花
- 关键词：铁氧体半导化金属化电镀
- 一种高电阻率金属氧化物材料表面金属图案印刷方法
- 本发明属于高电阻率金属氧化物表面处理技术领域，特别涉及一种高电阻率金属氧化物材料表面金属图案印刷方法。其特征在于首先是对高电阻率氧化物材料表面进行原子氢致电导改性处理，提高氧化物材料表面的电子电导，使氧化物材料表面形成不...
- 曹江利王兰花
- 文献传递
- 氢致绝缘铁氧体材料电学改性研究
- 2010年
- 研究了在电化学原子氢作用下绝缘NiZnCu铁氧体陶瓷的电阻和介电性能变化,并研究了电化学原子氢处理所用阴极电流密度(30~120 A.m-2)和温度(20~60℃)对氢致半导化的影响。研究结果表明,在原子氢处理初期,绝缘N iZnCu铁氧体陶瓷电阻率急剧下降,出现半导化,然后随处理时间延长而下降减缓,并逐渐趋稳;介电常数随原子氢处理时间延长而逐渐增加,达到一个极大值后,又出现下降。电流密度与温度对铁氧体半导化的速率和程度的影响没有简单的单向关系。在120 A.m-2,40℃下进行原子氢处理时,铁氧体电阻率降低最快,在2 m in内从8.29×108Ω.m下降到1.32Ω.m,下降了近9个数量级,且电阻率下降趋稳后的取值最小。从氢致N iZnCu铁氧体陶瓷半导化的过程,即吸附-侵入-扩散理论解释了温度以及电流密度对半导化的影响。并从电化学原子氢对铁氧体的掺杂和化学反应作用,对NiZnCu铁氧体绝缘陶瓷电阻和介电性能的变化进行了探讨。
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- 关键词：铁氧体氢半导化介电性能
- 一种高电阻率金属氧化物材料表面金属图案印刷方法
- 本发明属于高电阻率金属氧化物表面处理技术领域，特别涉及一种高电阻率金属氧化物材料表面金属图案印刷方法。其特征在于首先是对高电阻率氧化物材料表面进行原子氢致电导改性处理，提高氧化物材料表面的电子电导，使氧化物材料表面形成不...
- 曹江利王兰花
- 一种控制金属氧化物材料表面半导化速度及程度的方法
- 本发明属于金属氧化物材料表面处理技术领域，特别涉及一种控制高电阻率金属氧化物材料表面半导化速度及程度的方法。其特征在于通过在原子氢致半导化过程中添加一种添加剂对半导化速度及程度进行控制，即在对金属氧化物材料表面进行原子氢...
- 曹江利王兰花
- 文献传递
- 一种控制金属氧化物材料表面半导化速度及程度的方法
- 本发明属于金属氧化物材料表面处理技术领域，特别涉及一种控制高电阻率金属氧化物材料表面半导化速度及程度的方法。其特征在于通过在原子氢致半导化过程中添加一种添加剂对半导化速度及程度进行控制，即在对金属氧化物材料表面进行原子氢...
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