游达
- 作品数：14 被引量：52H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器被引量：8
- 2006年
- 研究了Al0.1-Ga0.9N／GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0．1的AlGaN外延材料形成窗口层，使340-365nm波段的紫外光可以直接透过P区到达i区并被吸收，有效提高了这个波段的响应率与量子效率,并且研究了不同P区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响，制备了两种不同P区厚度（0．1μm和0．15μm）的器件，测试结果表明，P区的厚度对200-340nm波段光吸收的量子效率影响较大，而i区的晶体质量的提高可以有效提高340-365nm波段光吸收的量子效率,并且当P区AlGaN厚度为0．15μm时，器件的峰值响应率达到0．214A／W，在考虑表面反射时外量子效率高达85．6％，接近理论极限，并且在零偏压时暗电流密度为3．16nA／cm^2,表明器件具有非常高的信噪比。
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- 关键词：P-I-N响应光谱紫外探测器
- GaN/AlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究
- 氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料。GaN基发光管在节约能源方面有着巨大的应用前景。而使用GaN基半导体光子探测器代替真空管进行紫外探测，也有其...
- 游达
- 关键词：钝化膜极化效应紫外探测器氮化镓
- 碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究被引量：2
- 2005年
- 利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面的硫化特性进行了研究,发现溴腐蚀后的表面硫化处理可以去掉表面的氧化层,Te富集的程度大大减少,硫化处理后再长硫化锌对器件进行钝化,可以大大减少器件的表面漏电,增加器件工作电压和提高器件性能。
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- 关键词：光电子谱HGCDTE电学性质
- 高Al含量AlGaN多层外延材料的应变与位错密度研究
- 文中利用X射线三轴衍射测试手段对高Al(x≥0.45)含量p-i-n结构的AlxGa1-xN外延材料进行测试,并结合倒易空间图(RSM)和PV函数法对AlxGa1-xN外延材料进行评价.首先通过对RSM的定性分析,给出多...
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- 关键词：ALGAN
- 文献传递
- 高Al含量AlGaN多层外延材料的应变与位错密度研究被引量：5
- 2005年
- 文中利用X射线三轴衍射测试手段对高A l(x≥0.45)含量p-i-n结构的A lxGa1-xN外延材料进行测试,并结合倒易空间图(RSM)和PV函数法对A lxGa1-xN外延材料进行评价。首先通过对RSM的定性分析,给出多层外延材料中不同A l组分A lxGa1-xN材料的应变状态和位错密度等信息,然后结合PV函数法拟合了从RSM中分离出的摇摆曲线,通过拟合过程准确地计算了多层结构中不同组分的A lxGa1-xN材料的纵向和横向应变量与螺位错密度,测试及计算结果都表明:多层p-i-n结构的A lxGa1-xN外延材料的应变与位错密度与单层结构相差较大,表明层与层之间的应变和位错相互作用对各层的应变的位错密度有重要的影响。
- 游达王庆学汤英文龚海梅
- 关键词：ALGAN
- P型氮化镓表面的X射线光电子能谱研究
- 2005年
- 文章研究了P型氮化镓材料表面自然氧化,故意氧化以及盐酸处理等三种不同情况下的X射线光电子能谱(XPS)。结果发现800℃下在空气中故意氧化6m in后,P型氮化镓材料表面的镓(Ga2p3/2)峰出现较大移动,向高能端移动了0.88eV(与盐酸处理的样品相比),O1s峰向低能方向移动了0.9eV,且镓氮原子含量比最大;在空气中自然氧化和盐酸处理的两个样品峰的移动很小,各个峰的移动大约在0.1eV左右,但是用盐酸处理后的样品的含氧量有所下降,且盐酸处理的样品的镓氮原子含量比最小,镓氮的原子含量比小有利于形成镓空位,而镓空位是受主,这样镓氮原子含量比越小越有利于形成P型氮化镓欧姆接触。
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- 关键词：氮化镓
- p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器被引量：3
- 2006年
- 报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0·022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0·19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.
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- 关键词：ALGAN肖特基极化效应
- 红外焦平面可靠性封装技术被引量：10
- 2009年
- 系统研究了红外焦平面组装、封装及其可靠性技术,解决了组件结构模拟、子模块精确定位、扁平引线设计、低漏率激光焊接、杜瓦内表面气体解吸分析及其解决途径等理论与技术问题,进行了组件可靠性、器件的高能粒子辐照与激光辐照等试验,获得了一批实用化焦平面组件杜瓦和扁平引线,并均已转入工程研制.研究结果表明微型杜瓦的热负载小于250mW,真空保持寿命大于1年半.
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- 关键词：红外焦平面封装可靠性
- P-i-N结构AlGaN外延材料的高分辨X射线衍射研究
- 随着紫外探测器向太阳盲区的发展,对于AlGaN外延材料质量的要求也越来越高,本文以P-i-N结构的AlGaN多层外延材料为研究对象,利用X射线双轴衍射和三轴衍射测试手段,根据对称衍射面(002)的三轴衍射和倒空间图的测试...
- 游达龚海梅王庆学
- 关键词：紫外探测器
- 文献传递
- 空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展被引量：23
- 2006年
- 文中介绍了与空间应用有关的紫外探测。首先,介绍了美、欧等西方国家在空间天文以及行星、卫星探测等方面多年来的紫外应用情况,包括卫星探测器上搭载的紫外有效载荷;然后,评述了目前在空间使用的紫外探测器状况,以及在未来的空间应用中极具发展潜力的A lGaN紫外探测器;最后,对A lGaN紫外焦平面探测器国内外近年来的研究进展进行了阐述。
- 张燕龚海梅白云陈亮许金通汤英文游达赵德刚郭丽伟李向阳
- 关键词：紫外探测ALGAN焦平面探测器
