林青
- 作品数：12 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- SOIM新结构与自加热效益
- 为减少传统SOI器件/电路的自加热效应,本实验利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋...
- 谢欣云林青刘卫丽林成鲁
- 文献传递
- N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟
- 2003年
- 将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合。
- 林青刘相华朱鸣谢欣云林成鲁
- 关键词：氧离子离子注入硅片计算机模拟
- SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析
- 本文对Si<,1-x>Ge<,x>源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制....
- 朱鸣林青张正选林成鲁
- 关键词：SIGESOI器件浮体效应SOI器件
- 文献传递
- 多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构被引量：6
- 2003年
- 为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
- 谢欣云刘卫丽门传玲林青沈勤我林成鲁
- 关键词：绝缘埋层氮化硅薄膜SOI结构
- 部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应被引量：1
- 2005年
- 采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟 (F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力 ,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids Vgs特性和阈值电压 ,发现F具有抑制辐射感生 pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力 ,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流 .说明在SOI材料中前后Si/SiO2 界面处的F可以减少空穴陷阱密度 ,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力 .
- 李宁张国强刘忠立范楷郑中山林青张正选林成鲁
- 关键词：SIMOX氟总剂量辐射
- SOI新结构——SOI研究的新方向被引量：4
- 2002年
- SOI(silicon on insulator :绝缘体上单晶硅薄膜 )技术已取得了突破性的进展 ,但一般SOI结构是以SiO2 作为绝缘埋层 ,以硅作为顶层的半导体材料 ,这样导致了一些不利的影响 ,限制了其应用范围 .为解决这些问题和满足一些特殊器件 电路的要求 ,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点 .如SOIM ,GPSOI,GeSiOI,SionAlN ,SiCOI,GeSiOI ,SSOI等 .文章将结合作者的部分工作 ,报道SOI新结构研究的新动向及其应用 .
- 谢欣云林青门传玲安正华张苗林成鲁
- 关键词：SOI新结构硅集成电路硅材料SOI
- SOI器件的物理效应模拟及其抗总剂量辐射加固技术的研究
- SOI技术的研究是微电子领域发展的前沿课题,SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点,被誉为'21世纪的硅集成电路技术'.该论文根据国家973项目、国家自然科学基金项目、军工预研项目等国家任务的需要,开展了...
- 林青
- 关键词：自加热效应总剂量辐射效应
- 文献传递
- SOIM新结构的制备及其性能的研究被引量：3
- 2003年
- 制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
- 谢欣云林青门传玲刘卫丽徐安怀林成鲁
- 关键词：氮化硅薄膜二氧化硅薄膜
- 电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究被引量：1
- 2003年
- 应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10～35nm的锥状纳米结构,并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好。比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥。
- 谢欣云万青林青沈勤我林成鲁
- 关键词：场发射性能电子束蒸发原子力显微镜多孔硅
- SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析
- 本文对Si<,1-X>Ge<,x>源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制....
- 朱鸣林青张正选林成鲁
- 关键词：半导体器件浮体效应
- 文献传递
