您的位置: 专家智库 > >

杨晓静

作品数:7 被引量:11H指数:2
供职机构:同济大学更多>>
发文基金:上海市教育委员会重点学科基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇介电
  • 2篇真空干燥箱
  • 2篇硼氢化
  • 2篇硼氢化钾
  • 2篇硼氢化钠
  • 2篇氢化
  • 2篇氢化钠
  • 2篇无机非金属
  • 2篇无机非金属材...
  • 2篇炉子
  • 2篇合成温度
  • 2篇方钴矿
  • 2篇非金属材料
  • 2篇SOL-GE...
  • 2篇BST薄膜
  • 1篇电性质
  • 1篇陶瓷
  • 1篇铁电
  • 1篇凝胶法
  • 1篇微波技术

机构

  • 7篇同济大学

作者

  • 7篇杨晓静
  • 5篇张良莹
  • 5篇姚熹
  • 3篇丁士华
  • 2篇吴明忠
  • 2篇张留成
  • 2篇张海军
  • 2篇吴斌
  • 2篇张德生
  • 2篇蔡克峰
  • 2篇张斌
  • 2篇张红芳
  • 2篇雷强
  • 1篇鲍际秀
  • 1篇李智
  • 1篇王疆英
  • 1篇胡晓文
  • 1篇王疆瑛
  • 1篇陈书厅
  • 1篇赵鹏

传媒

  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2007
  • 3篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
复相微晶玻璃陶瓷的制备研究
姚熹张良莹翟继卫张海军吴明忠赵鹏张德生王疆英杨晓静阎宗林张红芳鲍际秀张斌吴斌
该课题是国家自然科学基金重大项目“新型功能陶瓷材料的制备科学及其关键基础性问题”中的二级课题。研究成果主要有:铁电、铁磁微晶玻璃陶瓷作为一类新材料,基本上开发成功。对铁电、铁磁微晶玻璃陶瓷的电学、磁学性质及其电磁波的相互...
关键词:
关键词:复相微晶玻璃陶瓷
硼硅对BST薄膜结构和性能的影响被引量:1
2005年
用sol-gel法制备0.5mol/L钛酸锶钡(Ba0.7Sr0.3TiO3)前驱溶液,并在其中加入硼、硅成功地制备了室温下具有优良铁电性质的BSTS薄膜。XRD及DSC分析显示,BSTS薄膜呈现钙钛矿结构。测试结果表明,随着硼、硅的加入量增加,其εr和tgδ明显降低。当硼、硅的加入量小于10mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的低,当硼、硅的加入量大于15mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的高。
丁士华杨晓静姚熹张良莹
关键词:无机非金属材料SOL-GEL法介电常数介质损耗
铁电、铁磁纳米复合材料及其在微波技术中的应用
姚熹张良莹张海军吴明忠杨晓静张德生王疆瑛张斌吴斌张红芳陈书厅胡晓文邹新李智
1,开发成功钙钛矿型钛酸锶钡(BST)纳米晶和微米晶铁电玻璃陶瓷材料,其介电常数在100-5000,介电常数的调变范围在10%-50%,烧结温度在900-1100℃范围内可调。  2,开发成功尖晶石型镍锌铁氧体和M型、W...
关键词:
关键词:微波技术
方钴矿系热电材料的合成方法
本发明公开了一种方钴矿系热电材料的合成方法,包括如下四个步骤:(1)将N,N-二甲基甲酰胺倒入反应容器内,按比例称取钴、锑、铁、镍、锡的可溶性盐及硼氢化钠或硼氢化钾,依次加到反应容器中加盖后置于高压釜中密闭;(2)将高压...
蔡克峰丁士华杨晓静雷强张留成
文献传递
方钴矿系热电材料的合成方法
本发明公开了一种方钴矿系热电材料的合成方法,包括如下四个步骤:(1)将N,N-二甲基甲酰胺倒入反应容器内,按比例称取钴、锑、铁、镍、锡的可溶性盐及硼氢化钠或硼氢化钾,依次加到反应容器中加盖后置于高压釜中密闭;(2)将高压...
蔡克峰丁士华杨晓静雷强张留成
文献传递
Co掺杂对BST薄膜介电性能的影响被引量:6
2005年
用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了掺Co的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了Co的掺杂量x(Co)对BST薄膜的晶相结构和电学性能的影响。结果表明:随着x(Co)的增加,BST薄膜的介电常数εr,介质损耗tgδ和漏电流密度JL均降低;当x(Co)为5%时,BST薄膜的εr、tgδ、JL、可调性和品质因子分别为:228.3、0.013、3.69×10–7 A/cm2、15.4%、12.03。
高丽娜杨晓静张良莹姚熹
关键词:无机非金属材料BST薄膜CO掺杂SOL-GEL法介电性质
Ni掺杂对钛酸锶钡铁电薄膜性能的影响被引量:9
2005年
在醋酸水溶液体系中采用溶胶-凝胶法在P t/T i/S iO2/S i(100)衬底上制备了未掺杂和掺N i的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了N i的加入对BST薄膜的结构和电学性能的影响。试验结果表明,随着N i加入量的增加,BST薄膜的晶粒尺寸减小,介电常数减小,介电损耗降低;当N i的加入量在10%(摩尔分数)时,薄膜的介电常数、介电损耗、可调性和FOM分别为230.25、0.015、30.8%、20.53。研究结果表明,适量掺N i的钛酸锶钡薄膜能满足可调微波器件的要求。
张训栋杨晓静姚熹张良莹
关键词:BST薄膜
共1页<1>
聚类工具0