李爱华
- 作品数：1 被引量：18H指数：1
- 供职机构：天津大学材料科学与工程学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 纳米氮化硅制备天线罩材料介电性能的研究被引量：18
- 2003年
- 以国产纳米氮化硅粉为原料 ,经凝胶注模成型后在流动的高纯N2 作为控制气氛的条件下 ,于 15 10℃常压烧结出相对密度为 0 .72 ,结构均一 ,抗弯强度达 89MPa且具有良好介电性能的Si3N4天线罩材料。研究了原料的纯度、烧结温度、埋烧气氛对瓷体介电性能的影响。结果表明 :纳米粉原料中含有大量的SiO2 ,可以促进坯体的烧结 ,同时对瓷体的介电性能有较大的影响。因坯体收缩 ,在致密化以前 ,其介电常数随烧结温度的升高而增大。当温度高于 15 10℃时 ,随着烧结温度的升高 ,原料中氮化的Si—O数增加 ,瓷体的宏观缺陷增加 ,相对密度降低 ,因此瓷体的介电常数趋于减小。在 15 10℃烧结温度下 ,若不加埋料时 ,坯体中有的Si—O不能被氮化 ;用石墨粉作埋料 ,则发生渗碳现象 。
- 郭文利徐廷献李爱华
- 关键词：氮化硅烧结温度介电性能
