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李燕妃
作品数:
38
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张波
电子科技大学
乔明
电子科技大学
许琬
电子科技大学
吴文杰
电子科技大学
蔡林希
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作者
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李燕妃
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乔明
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张波
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许琬
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一种横向高压MOS器件及其制造方法
本发明涉及半导体功率器件技术领域,涉及一种横向高压MOS器件及其制造方法。本发明的横向高压器件,其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底中的第二导电类型半导体注入漂移区以及源区和漏区,在第二导电...
乔明
李燕妃
代刚
文帅
周锌
张波
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一种PSOI横向高压功率半导体器件
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种PSOI横向高压功率半导体器件。本发明的一种横向高压MOSFET,其特征在于,在源端下方引入第二导电类型半导体埋层,避免载流子在源端过度集中,减小器件在源端的功耗,从而改善器件的自...
乔明
李燕妃
许琬
胡利志
吴文杰
蔡林希
陈涛
张波
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一种横向恒流二极管
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种横向恒流二极管。本发明所述的横向恒流二极管,通过在N型阱区引入轻掺杂的P型区和重掺杂的P型区构成P型阱区,从而调制表面电场,提高击穿电压,同时轻掺杂的P型区可辅助耗尽N型阱区,使沟...
乔明
许琬
章文通
李燕妃
何逸涛
张昕
张波
文献传递
一种功率半导体器件及其制造方法
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法。本发明的一种功率半导体器件,其特征在于将第一类高压nLDMOS器件1、第二类高压nLDMOS器件2、第三类高压nLDMOS器件3、第四类高压nLDMOS...
乔明
李燕妃
张昕
叶珂
周锌
张波
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一种小尺寸总剂量辐射加固的LDMOS器件及制备方法
本发明公开了一种小尺寸总剂量辐射加固的LDMOS器件及制备方法,属于半导体器件技术领域。本发明所述LDMOS器件包括P型硅衬底、N型埋层、P型外延层、N型隔离区、P型体区、场氧隔离区域、N型漂移区、小尺寸硅局部氧化场板区...
谢儒彬
李燕妃
乔明
张波
一种高压集成电路的互连结构
一种高压集成电路的互连结构,属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有横向高压功率器件的高压集成电路中,采用多条窄线宽的金属连线连接横向高压功率器件的漏极(或阳极)和高压电路,多条窄线宽的金属连线共同分担横向高压功率器件所...
乔明
张昕
许琬
李燕妃
周锌
吴文杰
张波
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一种高速光电继电器
一种高速光电继电器,属于电子技术领域,涉及光电继电器。本发明针对现有内置光电控制电路的光电继电器由于放电速度慢导致继电器关断速度较慢的技术问题进行改进。采用双级或多级三极管级联构成达林顿管作为控制电路中的放电通道,级联后...
乔明
李燕妃
陈涛
许琬
蔡林希
张波
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一种横向集成SOI半导体功率器件
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种具有n<Sup>+</Sup>埋层的横向集成的准超结SOI半导体功率器件。本发明的其元胞结构包括依次层叠设置的衬底、埋氧层和SOI层,还包括高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压...
乔明
李燕妃
胡利志
吴文杰
许琬
蔡林希
陈涛
张波
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一种部分场板屏蔽的高压互连结构
一种部分场板屏蔽的高压互连结构,属于半导体功率器件技术领域。本发明用于具有高压互连线的跑道型横向功率器件中,包括双层部分多晶屏蔽场板和高压互连线;所述双层部分多晶屏蔽场板仅存在于高压互连线跨过的器件表面层中,无高压互连线...
乔明
张昕
许琬
李燕妃
周锌
吴文杰
张波
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一种快速放电的光电继电器
一种快速放电的光电继电器,属于电子技术领域。包括输入端光控信号产生电路、光控信号接收及光电转换电路、控制电路和输出电路;输入端光控信号产生电路由一个发光二极管LED(11)构成,光控信号接收及光电转换电路由一个光电二极管...
乔明
许琬
蔡林希
李燕妃
吴浩然
张昕
吴文杰
张有润
张波
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