李景国
- 作品数：23 被引量：84H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术冶金工程理学更多>>
- 聚丙烯酸铵在纳米氮化钛上的定量吸附研究被引量：12
- 2002年
- 研究了聚丙烯酸铵在纳米氮化钛粉体上的定量吸附及其影响因素．实验结果表明：纳米氮化钛的等电点在ｐＨ＝３．８左右，加入分散剂ＰＡＡ－ＮＨ４后，等电点移至ｐＨ＝２附近，ＰＡＡ－ＸＨ４在纳米氮化钛上的吸附量随吸附时间的增加而增加；同时溶液的酸碱性也影响吸附量，扫描俄歇分析结果表明：ＰＡＡ－ＮＨ４吸附在纳米氮化钛颗粒表面上．
- 李景国高濂郭景坤
- 关键词：聚丙烯酸铵纳米氮化钛
- 一种纳米级氮化钛–氮化硅复合材料的制备方法
- 高濂李景国
- 本项目探讨用纳米级的氮化钛代替纳米级的氮化钛可望能减少氮化钛的用量并能形成更均匀的导电网络。在氮化硅基体中加入导电性的第二相颗粒，如TiN、TiC等，不但可以提高基体材料的韧性，而且可以使制备的复合材料具有类似金属的导电...
- 关键词：
- 关键词：氮化钛氮化硅复合材料
- TiN-Al_2O_3纳米复合材料的力学性能和导电性能被引量：32
- 2002年
- 以纳米TiN和α-Al2O3粉体为原料,采用球磨混合法制备了纳米TiN-Al2O3复合粉体,通过热压烧结得到致密烧结体.研究了纳米TiN颗粒对Al2O3材料力学性能和导电性能的影响,实验结果表明:在Al2O3基体中加入15vol％TiN纳米颗粒时,Al2O3材料的弯曲强度和断裂韧性分别从370MPa和3.4MPa·m1/2提高到690MPa和5.1MPa·m1/2,随着TiN添加量的增加,复合材料的电阻率逐渐降低,在25vol％TiN时达到最低值(6.5×10-3Ω·cm).
- 李景国高濂郭景坤
- 关键词：纳米复合材料TINAL2O3导电性能氮化钛复合陶瓷
- 二氧化钛氮化法制备纳米氮化钛
- 高濂李景国张青红孙静
- 该成果是国家重点基础发展规划项目（G1999064506）中的一部分研究内容。氮化钛是一种新型材料，具有硬度高，熔点高，化学稳定性好的优点，是一种很好的耐熔耐磨材料。另外，该材料具有良好的导电性，可用作熔盐电解的电极和电...
- 关键词：
- 关键词：直接氮化二氧化钛纳米氮化钛
- 原位氮化法制备纳米TiN-Al_2O_3复合粉体被引量：15
- 2002年
- 以化学共沉淀法制备的纳米ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３复合粉体为原料,采用原位选择性氮化的方法制备了纳米ＴｉＮ－Ａｌ２Ｏ３复合粉体．应用化学热力学原理分析、计算了氮化反应的条件和机理,研究了氮化条件对氮化反应的影响．实验结果表明,氮化反应在７００℃时开始进行,在９００℃保温５ｈ,氮化反应进行完全,ＴＥＭ照片显示纳米ＴｉＮ 颗粒均匀分布于Ａｌ２Ｏ３基体中,粒径为５０—７０ｕｍ．
- 李景国高濂郭景坤
- 关键词：氮化钛氧化铝纳米复合陶瓷
- 一种由纳米氧化铬直接氮化制备纳米氮化铬粉体的方法
- 本发明涉及一种制备纳米氮化铬粉体的方法。主要特征是以20-50nm的纳米氧化铬(Cr<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)为原料，在氨气氛中将氧化铬于管式反应炉中高温氮化直接制得纳米氮化铬粉体。通过氮化温度...
- 高濂李耀刚李景国
- 文献传递
- 二氧化钛氮化法制备纳米氮化钛粉体
- 本发明提供了一种制备纳米氮化钛粉体的方法。特征是以纳米二氧化钛为原料，在氨气氛中将二氧化钛于管式反应炉中高温氮化制得纳米氮化钛。通过选用不同形状和大小的纳米二氧化钛，以及改变氮化温度、氮化时间、氨气流量等工艺条件，可获得...
- 高濂李景国张青红孙静
- 文献传递
- 新型纳米复相陶瓷的制备和性能
- 高濂孙静靳喜海郑珊李景国李耀刚邱羽
- 该成果内容包括CrN、TiN和NbN纳米粉体的制备、高强度高导电Si3N4/TiN纳米复相陶瓷、高强度可切削的Si3N4/BN纳米复相陶瓷和高力学性能的ZTM/SiC、ZTA/LaAl11O18纳米复相陶瓷等。通过纳米复...
- 关键词：
- 关键词：纳米复相陶瓷纳米陶瓷
- 一种由纳米氧化铬直接氮化制备纳米氮化铬粉体的方法
- 本发明涉及一种制备纳米氮化铬粉体的方法。主要特征是以20－50nm的纳米氧化铬(Cr<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)为原料,在氨气氛中将氧化铬于管式反应炉中高温氮化直接制得纳米氮化铬粉体。通过氮化温度...
- 高濂李耀刚李景国
- 文献传递
- 直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜被引量：5
- 2003年
- 首先采用溶胶-凝胶法在Al_2O3_基体上制备了TiO_2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO_2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al_2O_3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h.
- 姜洪波高濂李景国
- 关键词：TIO2薄膜
