李作金
- 作品数：7 被引量：14H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 氦诱生微孔对硅二极管漏电流特性的改善
- 2003年
- 高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔。以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响。在适当的热处理温度和冷却条件下,观测到二极管反向漏电流的显著改善,部分样品漏电流可降低3个数量级。
- 唐有青李恒游志朴张坤李仁豪李作金
- 关键词：二极管漏电流
- 高性能128×128元 PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵被引量：7
- 1993年
- 设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设计思想,并就器件的性能参数进行了研究。
- 杨家德李作金杨亚生
- 关键词：焦平面列阵光腔肖特基势垒
- CCD拼接技术研究被引量：1
- 1991年
- 为满足一些特殊领域对高位数线阵CCD的需要,我们用两个线阵2048位单列CCPD进行拼接,构成了4096位CCPD。用于拼接的2048位CCPD是采用埋沟三相三层多晶硅交迭栅埋沟结构。分析研究了器件的几何结构和性能参数。测试表明:器件光谱响应范围0.4～1.1μm,转移效率大于或等于99.99％,非均匀性小于或等于±8％。最后,对拼接CCD的实际意义进行了评述。
- 李作金杨亚生黄大恒
- 关键词：电荷耦合器件CCD
- 1024位CCD模拟延迟线的研制
- 1991年
- 本文介绍了我所研制的1024位CCD模拟延迟线的基本原理和结构设计,着重讨论了器件参数及提高器件参数的途径。
- 李作金张平
- 关键词：CCD信号处理器件
- 512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器被引量：4
- 2003年
- 研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40％。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。
- 熊平周旭东邓光华李作金王颖李华高袁礼华蒋志伟
- 关键词：PTSICCD图像传感器
- 高阻p型硅大面积四象限探测器的研制被引量：1
- 2012年
- 采用PIN结构,研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明,器件响应度达到0.45A/W(λ=1.06μm),暗电流小于50nA(Vr=135V),象限间串扰低于2.5%。
- 向勇军黄烈云李作金
- 关键词：四象限探测器串扰
- 4096位线阵CCPD摄像器件被引量：1
- 1994年
- 采用双线型三相埋沟结构，设计并研制成功４０９６位线阵ＣＣＰＤ摄像器件。器件动态范围达６００：１，暗电流密度为１０ｎＡ／ｃｍ￣２。文章阐述了该器件的工作原理、结构设计和制作工艺。
- 李作金杨亚生
- 关键词：摄像器件
- 全文增补中
