方家兴
- 作品数：12 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 实现宽带高效、小尺寸低成本的内匹配器件制作方法
- 本发明公开了一种实现宽带高效、小尺寸低成本的内匹配器件制作方法，涉及微波器件的制作方法技术领域。所述方法包括以下步骤：1）栅匹配电路和漏匹配电路制作；2）匹配电容制作；3）有源芯片制作；4）装配过程：首先将栅匹配电路、漏...
- 康建磊方家兴默立冬
- 文献传递
- 基于QFN封装的X波段GaAs T/R套片设计被引量：2
- 2017年
- 基于陶瓷方形扁平无引脚(QFN)封装研制出4款X波段GaAs微波单片集成电路(MMIC),包括GaAs幅相控制多功能芯片(MFC)、功率放大器、低噪声放大器、开关限幅多功能芯片。利用QFN技术将这套芯片封装在一起,组成2GHz带宽的QFN封装收/发(T/R)组件,输出功率大于1 W,封装尺寸为9mm×9mm×1mm。通过提高GaAs MMIC的集成度、放大器单边加电、内部端口匹配,创新性地实现了微波T/R组件的小型化。这几款芯片中最复杂的X波段幅相控制多功能芯片集成了T/R开关、六位数字移相器、五位数字衰减器、增益放大器及串转并驱动器。在工作频段内,收发状态下,增益大于5dB,1dB压缩输出功率(P-1)大于7dBm,移相均方根(RMS)误差小于2.5°,衰减均方根误差小于0.3dB,回波损耗小于-12dB,裸片尺寸为4.5mm×3.0mm×0.07mm。
- 谢媛媛贾玉伟方家兴曾志周鑫赵子润
- 关键词：T/RX波段GAAS微波单片集成电路多功能芯片
- 自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路
- 本实用新型公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路，第一路与晶体管QA1的基极连接，第二路与晶体管QA2的集...
- 默立冬方家兴蔡道民王绍东汪江涛
- 文献传递
- 一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型
- 2014年
- 基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利于纵向散热,与常规型HEMT器件结构相比,热阻有了明显改善,但也增加了建模的复杂度。采用分布式建模技术,为鱼骨型器件建立了一种分布式等效电路模型,模型在1~20 GHz内与实测S参数吻合较好,表明分布式建模技术可以用于准确地模拟鱼骨型GaN HEMT器件的高频特性。
- 胡志富崔玉兴杜光伟方家兴武继斌蔡树军
- 关键词：氮化镓分布式
- 自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路
- 本发明公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路，第一路与晶体管QA1的基极连接，第二路与晶体管QA2的集电极...
- 默立冬方家兴蔡道民王绍东汪江涛
- 异质结双极型晶体管的制作方法
- 本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整多层低‑高‑低非均匀掺杂浓度和厚度的复合集电区，调节基极‑集电区电场分布；优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度，利用寄...
- 蔡道民方家兴默立冬王绍东汪江涛
- 文献传递
- 实现宽带高效、小尺寸低成本的内匹配器件制作方法
- 本发明公开了一种实现宽带高效、小尺寸低成本的内匹配器件制作方法，涉及微波器件的制作方法技术领域。所述方法包括以下步骤：1）栅匹配电路和漏匹配电路制作；2）匹配电容制作；3）有源芯片制作；4）装配过程：首先将栅匹配电路、漏...
- 康建磊方家兴默立冬
- 毫米波GaN基HEMT功率MMIC被引量：1
- 2015年
- 基于标准的Si C衬底Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺研制了毫米波段单片微波集成电路（MMIC）芯片。首先采用插入隔离层的方式得到复合沟道AlxGa1-xN/Al N/AlyGa1-yN/GaN HEMT结构。以EEHEMT模型作为粗糙模型,采用神经空间路线图的方法建立了人工神经网络模型,更好地表征了器件特性,提高了模型在毫米波下的精度。基于器件模型,进行了毫米波MMIC的设计,运用网络综合设计出简洁的电路拓扑和最优的宽带性能。芯片工艺采用0.2μm介质栅场板结构提高器件的微波性能。研制的2级功率MMIC在27-30 GHz频段,工作电压25 V时,输出功率大于2.6 W,功率附加效率大于15%,功率增益大于9 d B。
- 宋建博方家兴程知群崔玉兴张力江付兴昌高学邦
- 关键词：氮化镓毫米波人工神经网络
- 自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路
- 本发明公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路，第一路与晶体管QA1的基极连接，第二路与晶体管QA2的集电极...
- 默立冬方家兴蔡道民王绍东汪江涛
- 文献传递
- 异质结双极型晶体管的制作方法
- 本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整多层低-高-低非均匀掺杂浓度和厚度的复合集电区，调节基极-集电区电场分布；优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度，利用寄...
- 蔡道民方家兴默立冬王绍东汪江涛
