揭建胜
- 作品数：117 被引量：20H指数：3
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 一种紫外-可见光双波段光电探测器件及其制备方法
- 本发明提供了一种钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构的制备方法、紫外‑可见光双波段光电探测器件及其制备方法。该钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构的制备方法包括：获得钙钛矿的二甲基甲酰胺或二甲基亚砜溶液；将上述溶液加入易...
- 张秀娟张晓宏揭建胜邓巍
- 硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池及其制备方法，其特征是在P型硅基底层的底面设置Al金属膜背电极层，作为背面引出电极；P型硅基底层位于Al金属膜背电极层之上，作为太阳能电池的基区；P型硅纳米线...
- 揭建胜谢超吴春燕王莉彭强于永强郭惠尔朱志峰
- 文献传递
- 热蒸发SiO大量合成硅纳米线及其可控p型掺杂
- 2011年
- 文章采用化学气相沉积法,以一氧化硅粉末为硅源,于1 350℃进行高温热蒸发,成功合成了大量单晶硅纳米线;并利用X-射线衍射、场发射扫描电子显微镜以及透射电子显微镜等手段对产物的形貌和微结构进行了系统表征。硅纳米线具有良好的结晶质量,直径在20～80 nm之间,长度为数十微米至数百微米,其外层通常为一层非晶硅氧化层所包裹。通过利用硼胶在高温下的扩散掺杂,进一步实现了硅纳米线的可控p型掺杂。针对单根硅纳米线器件的测量表明,硅纳米线的电导率可以从本征时的约10-7S/cm大幅提高到掺杂后的0.2 S/cm以上,且掺杂浓度可由扩散温度控制。此扩散掺杂方法简单有效,克服了氧化物辅助法生长硅纳米线电输运性质不易控制的难题,获得的p型硅纳米线有望应用于高性能硅纳米器件的研究。
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- 关键词：硅纳米线热蒸发P型掺杂电学特性
- 一种在硅基底表面上刻蚀硅金字塔的制备方法
- 本发明提供了一种在硅基底表面上刻蚀硅金字塔的制备方法，涉及光伏器件制造领域。本发明先提供一单晶硅片，并在单晶硅片的表面刻蚀出柱状体结构，之后将四甲基胍和邻苯二酚作为刻蚀液，以对表面刻蚀有柱状体结构的单晶硅片进行刻蚀，从而...
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- 一种钙钛矿单晶的制备方法以及光电器件
- 本发明提供了一种钙钛矿单晶的制备方法以及光电器件。该制备方法包括：在基底上制备获得由多个间隔开布置的微沟道组成的微沟道阵列；加热基底；将钙钛矿前驱体溶液施加到微沟道阵列中；在施加有钙钛矿前驱体溶液的基底上贴附软体刀片，并...
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- 文献传递
- 一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法
- 本发明提供了一种有机单晶微米带P‑N异质结阵列的生长方法。该方法包括：提供一基底，并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列；利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰，以获得光刻胶模板；将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入...
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- 一种单晶电致发光器件的制备方法
- 本发明提供了单晶电致发光器件的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底，基底的表面上覆盖有透明导电电极材料；对基底进行亲水修饰处理，并对处理后的基底进行图案化光刻，以获得图案化基底；在图案化基底上施加电致发光材料溶液...
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- 单层有机半导体薄膜的制备方法
- 本发明提供了一种单层有机半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：将具有烷基支链的小分子有机化合物与所述小分子有机化合物的长链同系物溶解并配置成混合溶液；将所述混合溶液旋涂在第一衬底上，并将旋涂有所述混合溶液的所述第一衬底覆盖...
- 张秀娟揭建胜姜天昊
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- 一种有机小分子单晶的制备方法及有机场效应晶体管
- 本发明提供了一种有机小分子单晶的制备方法及有机场效应晶体管。该制备方法包括如下步骤：利用光刻法制备获得图案化模板，图案化模板上具有阵列排布的多个凹槽；将有机小分子的墨水溶液打印至图案化模板的多个凹槽内，以获得有机小分子单...
- 揭建胜张秀娟张晓宏邓巍方晓辰
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- 利用电场力沉积有机无机杂化钙钛矿量子点薄膜的方法及其发光器件的构筑方法
- 本发明涉及一种利用电场力沉积有机无机杂化钙钛矿量子点薄膜的方法及其发光器件的构筑方法，制备薄膜的方法包括：步骤1）配制合成CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbXYZ溶液；步骤2）将电泳的正、负极板...
- 揭建胜邓巍张秀娟
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