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徐庭献

作品数:12 被引量:16H指数:3
供职机构:天津大学更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇化学工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇陶瓷
  • 3篇莫来石
  • 3篇MOSI
  • 2篇导体
  • 2篇电路
  • 2篇电路基板
  • 2篇电阻
  • 2篇烧成
  • 2篇湿敏陶瓷
  • 2篇莫来石陶瓷
  • 2篇化学镀
  • 2篇基板
  • 2篇封装
  • 2篇复合材料
  • 2篇复相
  • 2篇复相材料
  • 2篇干压成型
  • 2篇高密度封装
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体陶瓷

机构

  • 12篇天津大学

作者

  • 12篇徐庭献
  • 4篇王裕斌
  • 3篇许迪春
  • 3篇靳正国
  • 3篇沈继耀
  • 3篇袁启明
  • 2篇曲远方
  • 1篇杨德安
  • 1篇徐新华
  • 1篇方春行
  • 1篇谈家琪
  • 1篇孙清池
  • 1篇梁辉
  • 1篇董向红
  • 1篇刘维跃
  • 1篇左孝杰
  • 1篇阴育新
  • 1篇侯峰

传媒

  • 2篇硅酸盐通报
  • 1篇耐火材料
  • 1篇材料工程
  • 1篇兵器材料科学...
  • 1篇热固性树脂
  • 1篇1987年中...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 2篇1999
  • 1篇1994
  • 1篇1987
  • 2篇1986
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
莫来石基陶瓷材料及其制备
一种莫来石基陶瓷材料,配料采用莫来石、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、BaCO<Sub>3</Sub>、Pb<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>、SiO<Sub>2</Sub>、Mg...
靳正国徐庭献王裕斌
文献传递
新型单一材料式温湿敏陶瓷
徐新华沈继耀徐庭献
关键词:半导体陶瓷钛酸盐电容率温度敏感性
莫来石基陶瓷材料及其制备方法
靳正国徐庭献王裕斌
一种莫来石基陶瓷材料,配料采用莫来石、Al_2O_3、BACO_3、PB_3O_4、SiO_2、MgO。采用配料、球磨、烘干、造粒、干压成型、排胶、经1500~1600℃、2~4h烧成。制成莫来石陶瓷的介电常数为6.7,...
关键词:
关键词:莫来石陶瓷材料
MoSi_2复相材料表面特性的研究被引量:3
2002年
对MoSi2 及其复相材料在高温、长时间老化后表面玻璃膜结构进行了研究。并用电学测试手段对表面玻璃膜的生成过程进行跟踪测试 ,以研究各复相材料表面玻璃膜的生成速度及机理。实验工作研究了MoSi2 及MoSi2 /SiC的氧化机理。氧化速度顺序为MoSi2 >MoSi2 /SiC。对于复相材料来讲 ,其玻璃膜的生成速度顺序为MS >MSM >MSA。
许迪春徐庭献袁启明
关键词:表面特性复相材料
莫来石基陶瓷材料及其制备方法
一种莫来石基陶瓷材料,配料采用莫来石、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、BaCO<Sub>3</Sub>、Pb<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>、SiO<Sub>2</Sub>、Mg...
靳正国徐庭献王裕斌
文献传递
Ni/PTC陶瓷复合材料的研究被引量:4
1999年
本文采用颗粒化学镀的方法制备Ni/PTC陶瓷复合材料,获得了两相分布均匀的复合粉料,确定了最佳的施镀工艺条件,提出在弱还原气氛中一次烧结,制备低室温电阻率且具有PTC效应的复合材料的新方法。
侯峰曲远方徐庭献阴育新
关键词:化学镀PTC陶瓷复合材料复合陶瓷
正温度系数陶瓷热敏电阻的制备工艺
一种半导体陶瓷热敏电阻的制备工艺,本发明采用SiO<Sub>2</Sub>或SiO<Sub>2</Sub>+Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>在合成主配方前引入工艺,使得用Fe、Mg等受主杂质含量较高...
方春行刘维跃沈继耀谈家琪徐庭献曲远方
文献传递
玻璃纤维增强双马来酰亚胺树脂基复合材料表面金属化的研究被引量:2
2001年
采用化学方法对玻璃纤维增强双马来酰亚胺树脂基复合材料的表面进行镀前处理 ,以提高金属化镀层的质量。金属化工艺过程包括 :材料的镀前处理 ,化学沉积铜 ,电镀铜和电镀光亮镍。实验结果表明 ,复合材料表面的粗化工艺对于镀层的质量具有重要的作用 ,经过适当的化学处理 ,使材料表面具有均匀适当的粗糙度 ,同时改善表面的亲水性 ,提高表面对活性钯催化剂的均匀吸附能力 。
梁辉徐庭献杨德安董向红
关键词:化学镀树脂基复合材料聚酰亚胺玻璃纤维表面金属化金属膜
压电位移材料电场E_3和应变S_1的关系被引量:3
2001年
研究了软性铌锑—锆钛酸铅Pb(Sb1/ 2 Nb1/ 2 )ZrTiO3 (简称SN)系及硬性锑锰—锆钛酸铅Pb(Mn1/ 3 Sb2 / 3 )ZrTiO3(简称MS)系压电陶瓷电场E3 和应变S1的关系。压电方程为S1=d3 1E3 ,在弱电场下为线性关系。随着电场增加 ,压电应变系数d3 1变大 ,从而不再是常数。当电场E3 增大到某一值时d3 1有极大值 ,我们称此电场为饱和电场Es。软性SN三元系压电陶瓷的退极化电场Ed 为 12 .7kV/cm ,小于它的矫顽场Ec(13.6kV/cm)以及d3 1极大值 (-45 7pC/N)时的饱和电场Es(14kV/cm)。而硬性MS三元系压电陶瓷的退极化电场Ed 和d3 1极大值 (- 2 0 2pC/N)时的饱和电场Es相等 ,均为 2 4kV/cm ,大于它的矫顽电场Ec(18.6kV/cm)。软性SN三元系压电陶瓷在较低的电场下就可产生很大的应变。
孙清池左孝杰徐庭献王裕斌
关键词:电滞回线压电陶瓷
MoSi_2基复相材料表面特性的研究被引量:1
2001年
对MoSi2 及其复相材料在高温下长时间老化后表面玻璃膜结构进行了研究 ,并用电学测试手段对表面玻璃膜的生成过程进行跟踪测试。研究了MoSi2 及MoSi2 -SiC的氧化机理 ,发现其氧化速度顺序为MoSi2 >MoSi2 -SiC。对添加氧化物的复相材料来讲 ,其玻璃膜的生成速度顺序为MoSi2 >MoSi2 -莫来石 >MoSi2 -Al2
许迪春徐庭献袁启明
关键词:MOSI2复相材料二硅化钼
共2页<12>
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