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彭勃

作品数：55 被引量：69H指数：4
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金中国工程物理研究院重大预研项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 20篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 7篇机械工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 29篇加速度
  • 23篇加速度计
  • 16篇刻蚀
  • 14篇结构层
  • 13篇微加速度计
  • 10篇金属
  • 10篇感器
  • 10篇传感
  • 10篇传感器
  • 9篇掩膜
  • 9篇石英
  • 8篇易加工
  • 8篇真空封装
  • 8篇振梁加速度计
  • 8篇硅片
  • 8篇封装
  • 7篇电极
  • 7篇电容式
  • 7篇微电子
  • 7篇微电子机械

机构

  • 54篇中国工程物理...
  • 3篇中国工程物理...
  • 2篇复旦大学
  • 2篇西南科技大学
  • 1篇名古屋大学

作者

  • 55篇彭勃
  • 36篇张照云
  • 35篇苏伟
  • 28篇唐彬
  • 23篇熊壮
  • 18篇陈颖慧
  • 15篇高杨
  • 10篇刘显学
  • 10篇施志贵
  • 10篇许蔚
  • 8篇袁明权
  • 7篇李枚
  • 6篇高扬
  • 5篇苏伟
  • 4篇何晓平
  • 4篇沈朝阳
  • 3篇孙远程
  • 3篇赵龙
  • 2篇席仕伟
  • 2篇武蕊

传媒

  • 3篇传感技术学报
  • 3篇中国惯性技术...
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇信息与电子工...
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 1篇国外电子元器...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇激光技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇探测与控制学...
  • 1篇安徽工程科技...
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇第八届中国微...
  • 1篇第五届全国微...
  • 1篇2000全国...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2020
  • 5篇2019
  • 5篇2017
  • 10篇2016
  • 1篇2015
  • 7篇2014
  • 3篇2013
  • 6篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 2篇2001
  • 3篇2000
共 55 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
微机械静电伺服加速度计被引量：13
2000年
本文详细介绍了微机械静电伺服加速度计的系统工作原理、结构和线路设计特点 ,并对其封装样品作了简要的叙述。给出了用于± 4g,线性度小于 2 % ,分辨率低于 5× 1 0 - 3g的微加速度计实验结果。
彭勃何晓平苏伟
关键词：加速度计微弱信号检测微机械
一种一体式石英双振梁加速度计
本发明提供一种一体式石英双振梁加速度计，包括质量块和振梁，所述质量块通过折叠梁与固定框连接，所述振梁包括左振梁和右振梁，且所述左、右振梁与质量块构成反对称关系，所述左振梁的一端通过转接块与质量块连接，另一端通过转接块与固...
张照云苏伟唐彬高杨彭勃陈颖慧熊壮
文献传递
一种基于硅玻璃键合的SOI MEMS制备方法
本发明提供了一种基于硅玻璃键合的SOI MEMS制备方法，本发明的方法包括：在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在硅片背面进行光刻，对背面硅进行刻蚀直至绝缘层；刻蚀硅片背面暴露出的绝缘层；将硅片跟玻...
张照云施志贵彭勃高杨苏伟
文献传递
一种基于五层SOI硅片的MEMS单片集成结构
本实用新型公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成结构，包括：在硅片上采用标准的SOI？CMOS工艺完成集成电路部分的制作；在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分；在硅片背面光刻，刻蚀背面硅至绝缘层，并刻蚀暴露出的绝缘层；...
张照云唐彬苏伟陈颖慧彭勃高扬熊壮
文献传递
双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法
本发明提供了双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括：利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分，然后...
张照云彭勃施志贵高杨苏伟
文献传递
基于无掩模腐蚀技术的高性能微加速度传感器被引量：1
2016年
针对深沟槽内结构制作困难的问题,基于单晶硅各向异性腐蚀原理,推导了{100}单晶硅在KOH溶液中无掩模腐蚀过程台阶宽度与无掩模腐蚀深度之间的解析表达式,通过工艺实验确定了单晶硅{311}面与{100}面的腐蚀速率比;采用适合于三明治微加速度传感器硅芯片制作的无掩模腐蚀成型工艺流程,实现了深沟槽内悬臂梁的准确成型,研制出一种±100 gn量程的微加速度传感器。样品测试表明:运用无掩模腐蚀技术制作的微加速度传感器相对精度优于6×10^(-5),灵敏度为17.78 m V/g_n。
袁明权唐彬孙远程熊壮彭勃
关键词：微机械加工微加速度传感器各向异性腐蚀无掩模阳极键合
一种高精度低g值SOI微加速度计
本实用新型公开一种高精度低g值SOI微加速度计，包括由上至下设置的结构层、绝缘层、衬底层和基底层，绝缘层设在结构层跟衬底层之间；该结构层上设有第一质量块、可动梳齿、固定梳齿以及金属引线电极，可动梳齿一端跟第一质量块连接，...
张照云苏伟唐彬高杨彭勃陈颖慧熊壮
文献传递
高性能微惯性器件单片集成技术被引量：1
2014年
讨论了高性能微惯性器件单片集成技术。首先对单片集成MEMS技术的优势及面临的困难进行了讨论,并对目前主流的单片集成MEMS技术特点、工艺流程进行了介绍,最后,给出高性能微惯性器件单片集成技术的未来发展趋势。
张照云施志贵张慧彭勃
关键词：微机电系统单片集成
无粘连键合技术与伺服型±70g微加速度传感器被引量：1
2008年
为了解决电容极板间隙低至3μm时传感器键合封接后内部活动部件粘连失效的问题,介绍了一种利用去除部分Au层的办法来抑制小间隙键合粘连,通过严控元件表面生产质量,合理地设计伺服控制器,制作的微加速度传感器已经达到了±70g的量程,单边线性二次项系数10-6量级,残差控制在15mg以内,相对精度达到了2×10-4,达到了设计要求。
彭勃袁明权丁元萍李红武蕊张茜梅王艳丽
关键词：微加速度传感器伺服控制器量程
一体式石英双振梁加速度计及制备方法
本发明的实施例公开了一种一体式石英双振梁加速度计及制备方法，该一体式石英双振梁加速度计包括：一体成型的装配区、挠性梁、振梁、质量块及金属电极，质量块通过挠性梁及振梁连接于装配区；挠性梁的上表面与质量块上表面之间的距离等于...
张照云唐彬刘显学苏伟高彩云沈朝阳熊壮许蔚彭勃
文献传递
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