张金
- 作品数：15 被引量：25H指数：3
- 供职机构：河北工业大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学社会学更多>>
- Cu CMP平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用
- 2015年
- 研究了在铜化学机械抛光(CMP)平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用。铜CMP抛光液主要由SiO2磨料、非离子表面活性剂、螯合剂和氧化剂组成。针对不同比例螯合剂与氧化剂的协同作用,分别对抛光/静态腐蚀速率、电化学、片内非均匀性及平坦化、表面粗糙度进行了检测。通过对实验数据进行理论分析,研究表明当螯合剂与氧化剂的比例约为1∶1时,平坦化效果最好。研究为进一步优化抛光液配比,最终实现Cu CMP的全局平坦化提供了一定的理论基础。
- 闫辰奇刘玉岭张金王辰伟张燕邓海文安春燕
- 关键词：CMP螯合剂氧化剂平坦化
- 铜膜高去除速率CMP碱性抛光液的研究及其性能测定被引量：3
- 2014年
- 目的探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下,利用碱性FA/O型鳌合剂极强的鳌合能力,对铜膜进行化学机械抛光,通过调节抛光工艺参数及抛光液配比,获得超高的抛光速率和较低的表面粗糙度。结果在压力27.56 kPa,流量175 mL/min,上下盘转速105/105 r/min,pH=11.0,温度40℃,氧化剂、磨料、螯合剂体积分数分别为1%,50%,10%的条件下,经过CMP平坦化,铜膜的去除速率达2067.245 nm/min,且表面粗糙度得到明显改善。结论该工艺能获得高抛光速率。
- 李炎孙鸣李洪波刘玉岭王傲尘何彦刚闫辰奇张金
- 关键词：表面粗糙度
- 新型表面活性剂对低磨料铜化学机械抛光液性能的影响被引量：5
- 2014年
- 介绍了一种用于铜膜化学机械抛光的多元胺醇型非离子表面活性剂。研究了该表面活性剂对抛光液表面张力、黏度、粒径、抛光速率和抛光后铜的表面状态的影响。抛光液的基本组成和工艺条件为:SiO2 0.5%,H2O2 0.5%,FA/OII型螯合剂5%(以上均为体积分数),工作压力2 psi,抛头转速60 r/min,抛盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min,抛光时间3 min,抛光温度21°C。结果表明,微量表面活性剂的加入能显著降低抛光液的表面张力并大幅提高抛光液的稳定性,但对静置24 h后抛光液黏度的影响不大。表面活性剂含量为0%～2%时,随其含量增大,化学机械抛光速率减小,抛光面的粗糙度降低。
- 李炎刘玉岭李洪波唐继英樊世燕闫辰奇张金
- 关键词：铜化学机械抛光非离子表面活性剂黏度
- 螯合剂在TSV CMP中对铜膜抛光效果的影响
- 2015年
- 化学机械抛光(CMP)是硅通孔(TSV)工艺中的关键步骤之一,抛光工艺和抛光液是影响抛光效果的两大决定因素。主要研究了抛光液中螯合剂在TSV CMP中对铜膜去除速率及抛光后铜膜表面粗糙度的影响,由实验结果可知,随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,铜膜去除速率先增加后趋于平衡,螯合剂体积分数为5%时铜膜的去除速率最大,约为1 450 nm/min;随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,抛光后铜膜表面粗糙度先减小后增大,螯合剂体积分数为5%时铜膜表面粗糙度最小,约为1.77 nm。
- 洪姣刘玉岭牛新环王辰伟闫辰奇张金张燕
- 关键词：螯合剂碱性抛光液去除速率
- GLSI铝栅CMP材料与工艺的研究
- 随着GLSI的高度集成化和立体化,晶体管特征尺寸的不断缩小以及新材料的引入,对CMOS晶体管性能的要求不断提高。45nm及以下特征尺寸的CMOS晶体管制造中,铝栅结构已经取代传统的多晶硅栅。铝栅技术是微电子技术发展的核心...
- 张金
- 关键词：化学机械平坦化去除速率铝栅
- 文献传递
- 铜膜化学机械抛光工艺优化
- 2014年
- 对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175mL/min,抛光机转速为65r/min,0.5%磨料,0.5%氧化剂,7%鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善。
- 李炎刘玉岭李洪波樊世燕唐继英闫辰奇张金
- 关键词：化学机械抛光碱性抛光液磨料表面粗糙度
- H大学科技人才现状分析及引进、培养策略研究
- 当今世界，科学技术突飞猛进，知识经济迅速发展，人才作为生产力中最活跃因素的最活跃部分，已然成为科技进步最主要的推动力和先进生产力的重要开拓者，在经济社会发展中的地位和作用也日益突出。高等学校作为教人育人的重要基地，自身必...
- 张金
- 关键词：人事管理
- 文献传递
- 对比不同特性蓝宝石抛光液的CMP性能被引量：3
- 2016年
- 比较了两种不同特性蓝宝石抛光液的化学机械平坦化(CMP)性能。在蓝宝石CMP过程中,针对抛光液pH值、硅溶胶磨料粒径以及抛光液中的化学添加剂(如螯合剂和表面活性剂)的作用进行了研究,以比较材料去除速率和表面形貌。分析表明,pH值和磨料粒径是影响蓝宝石材料去除率的主要因素,螯合剂和表面活性剂分别有助于提高蓝宝石的去除速率和降低表面粗糙度。研究结果表明,低pH值、小磨料粒径和以化学作用为主的蓝宝石抛光液具有良好的CMP性能。
- 闫辰奇刘玉岭张金张文霞王辰伟何平潘国峰牛新环
- 关键词：蓝宝石抛光液去除速率表面形貌
- 不同粒径硅溶胶磨料对Cu CMP的综合影响被引量：6
- 2017年
- 结合实验数据详细地分析了基于不同粒径硅溶胶磨料的抛光液对铜化学机械平坦化(CMP)性能的表征。研究表明,磨料粒径是决定CMP效率和最终晶圆表面平坦化质量的重要因素。分析了化学机械抛光过程中的机械作用及质量传递作用。通过在铜光片及图形片上进行实验验证,结果表明,在低磨料质量分数条件下,当磨料粒径为60 nm时,可获得最优的平坦化效果,铜膜抛光速率可达623 nm/min,抛光后晶圆片内非均匀性和碟形坑高低差分别降为3.8%和75.1 nm,表面粗糙度为0.324 nm。在此基础上,为进一步建立磨料颗粒的微观动力学模型提出了一些理论基础上的建议。
- 闫辰奇刘玉岭张金张文霞王辰伟何平潘国峰牛新环
- 一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液
- 本发明公开了一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液。本发明所述抛光液中包含研磨颗粒、络合剂、氧化剂，表面活性剂、抑菌剂和水，抑菌剂的含量为重量百分比0.001～1％；研磨颗粒含量为重量百分比3～15％；络合剂的含量为重量...
- 何彦刚高宝红张保国武鹏张金刘伟娟潘国峰刘玉岭
- 文献传递
