张建伟
- 作品数：101 被引量：137H指数：8
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金长春市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程文化科学更多>>
- 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
- 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，包括：层叠设置的有源层、功能辅助层和P型DBR层，功能辅助层和P型DBR层构成台面结构；P型DBR层设置有沟道；台面结构被沟道分割成多个次台面结构；各次台面结构的上端设置有与次台面结构...
- 张星钟础宇张建伟宁永强王立军
- 增益-腔模失配型高温工作垂直腔面发射半导体激光器被引量：12
- 2013年
- 理论分析了温度对垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)工作性能的影响,利用VCSEL的增益-腔模失配理论设计了适用于高温环境下工作的VCSEL外延结构并对该结构进行了外延生长及工艺制备。理论分析表明,采用势垒高度大于0.25eV的量子阱有源区结构可以缓解高温工作时器件的载流子泄漏问题。设计了室温下增益-腔模偏离为11nm的器件结构。理论分析表明,在320K时与器件腔模对应的增益谱波长具有最大的光增益,此时器件具有最小的阈值电流。对分布式布拉格反射镜(DBR)的反射率进行了优化以进一步减小器件阈值电流。采用了一种自平坦化的台面工艺结构制作了7、9、13μm三种不同氧化口径的器件,器件在室温下的阈值电流分别为1.95、2.53、2.9mA,最大出光功率分别为0.31、1.11、1.04mW,并且输出功率的高温稳定性较好。随工作温度的升高,器件阈值电流先减小后变大,在320～330K时器件阈值达到最小值,与理论分析一致。
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- 关键词：激光器垂直腔面发射半导体激光器
- 基于双增益芯片合束的超宽带可调谐中红外激光器
- 2023年
- 设计了一种基于双增益芯片合束的超宽带可调谐中红外激光器,该激光器以Littrow结构为基础,采用中心波长分别为4.0μm和4.6μm的两个量子级联增益芯片提供光增益,通过4.2μm低通高反分束片合束后,将增益光入射到300 lines/mm的闪耀光栅形成光反馈,两个量子级联增益芯片通过交替互补的工作方式实现了3~5μm的超宽谱调谐。在25℃温控和303 mA注入电流下,该激光器在34.54°~46.50°的闪耀光栅旋转角度下工作,波长调谐范围为3779~4836 nm(包括179 nm波长调谐空白区间),最大输出光功率为14.12 mW,边模抑制比为20 dB。该激光器具有结构紧凑、调谐范围超宽的优点,可为研制便携式模块化的中红外激光器提供参考。
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- 关键词：激光器量子级联激光器闪耀光栅可调谐
- 一种发射相干激光的垂直腔面发射激光器及其制作方法
- 本申请公开了一种发射相干激光的垂直腔面发射激光器，包括由下至上依次层叠的第一布拉格反射镜层、发光层、第二布拉格反射镜层、相位控制层，且所述光束输出孔用于反射激光的表面为倾斜表面，以使发射相干激光的垂直腔面发射激光器发射相...
- 张建伟宁永强张星周寅利黄佑文曾玉刚王立军
- 文献传递
- 微型铷原子钟专用795nm垂直腔表面发射激光器被引量：10
- 2014年
- 针对铷(87 Rb)原子钟激励光源微型化和高温工作的特殊需求,设计并制备了对应铷原子能级跃迁的795nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。首先,根据k·p理论计算了InAlGaAs/AlGaAs量子阱的价带能级和材料增益,得到最优的量子阱组分和厚度;然后,采用一维传输矩阵方法设计了795nm波段的布拉格反射器(DBR),根据完整结构VCSEL器件的驻波场分布设计了掺杂分布;最后,采用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了优化的795nm VCSEL外延结构,并制备了氧化限制型非闭合台面结构的795nm顶发射器件。实验显示:封装后的75μm口径器件可在室温至85℃范围内连续工作,最高功率为17mW,激光光束呈圆形,发散角为15°,激射波长的温漂系数为0.064nm/℃;在温度为52℃、注入电流为100mA时,激射波长位于794.7nm(对应铷原子钟需要的波长),基本满足铷原子钟激励光源对波长稳定和高温工作的要求。
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- 关键词：垂直腔面发射激光器高温
- 垂直腔面发射激光器用于光致显色防伪技术试验研究
- 2014年
- 介绍了垂直腔面发射激光器及其阵列器件的功率和远场特性,研制了具有连续、重复脉冲工作方式的980nm垂直腔面发射激光光源用于荧光上转换材料的激发,并对该光源用于光致显色防伪技术进行了实验研究。
- 曹军胜张建伟
- 关键词：垂直腔面发射激光器防伪
- 单、双波长可切换的半导体激光器及其制备方法
- 本发明提供一种单、双波长可切换的半导体激光器及其制备方法，其中的半导体激光器包括外延结构，在外延结构上沿长度方向刻蚀形成脊波导，在脊波导上刻蚀形成半透半反式光栅，在外延结构上避开半透半反式光栅的位置制备形成P型电极层，P...
- 周寅利张建伟宁永强张星
- 文献传递
- 一种半导体激光器及其制作方法
- 本发明公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括：衬底，具有相对的第一表面以及第二表面；位于第一表面的图案化的外延功能层，外延功能层在第一方向上依次划分为高阶光栅耦合脊型波导、光波分束波导、脊型增益阵列波导以...
- 贾鹏陈泳屹秦莉张建伟宁永强王立军
- 高效散热型半导体激光器及其制作方法
- 本发明提供一种高效散热型半导体激光器及其制作方法，其中的半导体激光器包括衬底，在衬底上依次制备形成导电层、下波导结构层、发光层和上波导结构层，在上波导结构层上制备形成上电极，在导电层上制备形成下电极，在衬底内刻蚀形成供制...
- 张建伟周寅利张卓陈超宁永强王立军
- 文献传递
- 高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器
- 高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，为解决现有的垂直腔面发射半导体激光器光场在P型DBR一侧的高损耗、激光器的转换效率受到限制的问题，本发明提供高效率非对称光场分布的垂直腔面发射半导体...
- 张建伟宁永强秦莉刘云曾玉刚王立军
