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庄漪

作品数：9 被引量：12H指数：3
供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇晶体
  • 3篇蓝宝
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇石基
  • 2篇提拉法
  • 2篇芯片
  • 2篇晶体生长
  • 2篇化物
  • 2篇铂金
  • 2篇铂金坩埚
  • 2篇衬底
  • 1篇单晶
  • 1篇导电
  • 1篇英文
  • 1篇提拉法生长
  • 1篇体缺陷
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇位错

机构

  • 9篇中国科学院上...
  • 1篇南京大学

作者

  • 9篇庄漪
  • 8篇徐军
  • 7篇彭观良
  • 7篇邹军
  • 7篇周国清
  • 7篇周圣明
  • 5篇李抒智
  • 5篇王银珍
  • 3篇吴锋
  • 3篇赵广军
  • 3篇王海丽
  • 3篇刘军芳
  • 3篇干福熹
  • 2篇刘世良
  • 2篇杨卫桥
  • 2篇蒋成勇
  • 2篇张俊计
  • 1篇王静雅
  • 1篇潘守夔
  • 1篇乔景文

传媒

  • 5篇人工晶体学报
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇1996
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究被引量：3
2005年
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γLiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料。本文首先使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3的γLiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1 xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征。结果表明LiAl1 xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γLiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1。
彭观良庄漪邹军王银珍刘世良周国清周圣明徐军干福熹
关键词：晶体生长提拉法
蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法
一种蓝宝石基氮化物芯片的减薄划片方法，包括下列步骤：成对地将蓝宝石基氮化物芯片贴成氮化物芯片夹心饼；将氮化物芯片夹心饼送入铂金坩埚并置于或悬于铂金丝上，在该坩埚内，放置带气孔的γ－LiAlO<Sub>2</Sub>和Li...
徐军彭观良周圣明周国清蒋成勇王海丽李抒智赵广军张俊计刘军芳邹军王银珍吴锋庄漪
文献传递
提拉法生长大尺寸γ-LiAlO_2单晶的研究(英文)
2005年
由于与GaN晶格失配小(约1. 4% ),γLiAlO2 单晶有望成为一种很有希望的GaN外延衬底材料。本文使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3 的γLiAlO2 单晶。对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8 )。γLiAlO2 晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解。当在空气中于1100℃退火70h,γLiAlO2 晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8 )。值得注意的是,在γLiAlO2 晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带。
彭观良邹军庄漪张涟翰周国清周圣明徐军干福熹
关键词：提拉法晶体化学稳定性
掺钛蓝宝石激光晶体中夹杂物的分析被引量：3
1996年
本文用大视场光学显微镜、电子探针观察和分析了掺钛蓝宝石激光晶体中夹杂物的形状、尺寸大小及元素组成，并提出消除和减少这些夹杂物的方法．
王浩炳张强柴耀邓佩珍乔景文庄漪
关键词：激光晶体蓝宝石晶体缺陷
c面白宝石衬底表面形貌对气相传输平衡法制备的γ-LiAlO_2层质量的影响(英文)
2005年
采用气相传输平衡(VTE)技术,在(0001)面白宝石衬底表面上成功地制备出单相-γL iA lO2层。研究了白宝石衬底表面形貌对-γL iA lO2层质量的影响,发现白宝石衬底的表面粗糙度和退火处理是两个影响-γL iA lO2层质量的重要因素。要制备高质量的-γL iA lO2层,适度的表面粗糙度是恰当的。对白宝石衬底进行退火处理,-γL iA lO2层的择优取向变差。并对其中可能的机理进行了探讨。
彭观良李抒智庄漪邹军王银珍刘世良周国清周圣明徐军干福熹
关键词：GAN衬底
β′-Gd_2(MoO_4)_3晶体生长中的过冷现象研究被引量：1
2002年
对电阻加热引上法和感应加热引上法生长 β′ Gd2 (MoO4 ) 3 晶体的实验结果进行了比较 ,分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况。研究认为组分过冷主要与生长过程中MoO3 的挥发、Gd2 (MoO4 ) 3 熔体的粘度及固液界面的温度梯度有关 。
袁清习李红军庄漪徐军徐军
关键词：晶体生长
蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法
一种蓝宝石基氮化物芯片的减薄划片方法，包括下列步骤：成对地将蓝宝石基氮化物芯片贴成氮化物芯片夹心饼；将氮化物芯片夹心饼送入铂金坩埚并置于或悬于铂金丝上，在该坩埚内，放置带气孔的γ-LiAlO<Sub>2</Sub>和Li...
徐军彭观良周圣明周国清蒋成勇王海丽李抒智赵广军张俊计刘军芳邹军王银珍吴锋庄漪
文献传递
r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究被引量：5
2005年
本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因。
彭观良周国清庄漪邹军王银珍李抒智杨卫桥周圣明徐军
关键词：温梯法位错化学腐蚀腐蚀坑
导电尖晶石型结构MgIn<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>/MgO复合衬底材料及其制备方法
一种导电尖晶石型结构MgIn<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>/MgO复合衬底材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgO单晶上设有一层MgIn<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>覆盖层构成。...
徐军彭观良周圣明周国清杭寅李抒智杨卫桥赵广军王海丽刘军芳李红军吴锋王静雅司继良庄漪邹军
文献传递
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