崔进
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- SiCOH低k介质中低表面粗糙度沟道的刻蚀研究被引量：1
- 2014年
- 采用60 MHz/2 MHz双频率驱动的容性耦合放电等离子体技术,以C2F6/O2/Ar为刻蚀气体,开展了SiCOH低k介质中刻蚀低表面粗糙度沟道的研究。主要研究了O2/C2F6流量比对与SiCOH低k薄膜之间的刻蚀选择性的影响,以及O2/C2F6流量比、下电极功率对沟道刻蚀特性的影响。发现在O2/C2F6流量比为0.1以下时,光致抗蚀剂掩膜层与SiCOH低k薄膜之间具有较好的刻蚀选择性。对于沟道刻蚀,在O2/C2F6流量比为0.1时,下电极功率对沟道的表面粗糙度和剖面结构具有明显的影响。在下电极功率为30 W时,刻蚀的沟道底部平坦、沟道壁陡直,槽形完好,沟道底面的平均表面粗糙度降低至3.32 nm,因此,可以在SiCOH低k薄膜中刻蚀剖面结构完整的低表面粗糙度沟道。
- 钱侬叶超崔进
- 关键词：表面粗糙度
- CHF_3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的机理分析被引量：1
- 2011年
- 通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析,并通过调节刻蚀时的离子轰击能量,从实验上研究了碳氟等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的基本过程,发现刻蚀过程中SiCOH薄膜表面的C:F沉积、到达SiCOH薄膜表面的F原子密度以及传递到SiCOH薄膜表面的能量是决定SiCOH薄膜刻蚀的主要因素,符合Sankaran的碳氟等离子体刻蚀SiO2薄膜模型.在等离子体空间的CF2基团浓度较低、F基团浓度较高时,并且施加给待刻蚀薄膜的偏置功率较高时,SiCOH薄膜表面沉积的C:F薄膜层较薄,有利于等离子体空间的F基团和离子轰击薄膜的能量传递到SiCOH薄膜表面,从而使SiCOH薄膜表面的F、Si反应几率增大,实现SiCOH薄膜的有效刻蚀.
- 崔进刘卉敏邓艳红叶超
- O_2流量对O_2/C_4F_8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响
- 2011年
- 研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面.
- 刘卉敏周峰崔进邓艳红叶超
- SiCOH低k薄膜沟槽的C2F6/O2/Ar双频等离子体刻蚀研究
- 随着超大规模集成电路(ULSI)中器件密度不断提高、特征线宽不断减小，器件密度和连线密度的增加使得器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容增大，导致RC的增大，进而使得信号传输延时增加、干扰噪声增强和功率耗散增大。为了解...
- 崔进
- 关键词：多孔薄膜介电常数
- 文献传递
