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崔杰

作品数：76 被引量：5H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术兵器科学与技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 68篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 55篇晶体管
  • 53篇双极晶体管
  • 29篇电阻
  • 26篇发射区
  • 19篇锗硅
  • 17篇多晶
  • 17篇异质结
  • 17篇异质结双极晶...
  • 17篇锗硅异质结双...
  • 17篇发射极
  • 15篇多晶硅
  • 14篇原位掺杂
  • 14篇抬升
  • 14篇嵌入式
  • 14篇基极
  • 14篇基极电阻
  • 14篇掺杂
  • 13篇多晶硅发射区
  • 12篇自对准
  • 12篇金属硅化物

机构

  • 75篇清华大学
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 75篇崔杰
  • 64篇付军
  • 64篇王玉东
  • 62篇刘志弘
  • 57篇张伟
  • 56篇赵悦
  • 40篇吴正立
  • 40篇李高庆
  • 34篇许平
  • 6篇周卫
  • 6篇严利人
  • 4篇郑钢铁
  • 4篇王云杰
  • 4篇张伟
  • 2篇朱从益
  • 2篇蒋志
  • 2篇姚宏翔
  • 2篇刘晓屏
  • 2篇刘道广
  • 2篇彭亚涛

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇图象识别与自...
  • 1篇2011’全...

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2018
  • 2篇2016
  • 20篇2015
  • 6篇2014
  • 16篇2013
  • 15篇2012
  • 6篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇1998
  • 1篇1997
共 76 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、...
赵悦付军王玉东崔杰张伟刘志弘李高庆许平
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外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品基区-集电区结寄生电容过大的缺陷而设计。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管包括集电区、本征基区、隔离氧化层、外基区、发射区、以及侧墙。本征基区的边...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟吴正立李高庆
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侧向双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种侧向双极晶体管及其制备方法，为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射极介质层、外基区、基区介质层和衬底介质层。衬底介质层环绕发射区并延伸进入发射区。...
王玉东付军崔杰赵悦张伟刘志弘吴正立李高庆
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嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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连体IGBT器件及其加工方法
本发明公开一种连体IGBT器件，为解决现有器件开关速度不够高的问题而发明。本发明连体IGBT器件包括至少漂移区互相连通的两个IGBT器件，各IGBT器件独立引出电极。连体IGBT器件也可由四个漂移区互相连通的IGBT器件...
严利人刘道广刘志弘张伟周卫崔杰
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句法. 语义相结合的分析方法在THCEMT系统上的应用
崔杰
关键词：机器翻译句法分析语义分析知识库
嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法
本发明公开了一种嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法，为解决现有制备方法，步骤多且繁琐、生产效率低、生产成本高等问题而设计，本发明制备方法依次包括：制备第一掺杂类型的集电区、在集电区上制备第二掺杂的基区、在基区上制备介质层...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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负载调制功率放大器
本发明公开一种负载调制功率放大器，主要针对现有技术中功率放大器实现最佳性能的条件较苛刻的问题。该负载调制功率放大器包括依次串联连接的功率分配电路、功放电路、负载预匹配电路和负载电阻R<Sub>L0</Sub>；其中所述负...
彭亚涛付军王玉东崔杰崔文普
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具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、...
赵悦付军王玉东崔杰张伟刘志弘李高庆许平
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自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
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