您的位置： 专家智库 > >

崔建功

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：北京邮电大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 4篇GAAS
  • 3篇第一性原理
  • 3篇第一性原理计...
  • 1篇电子结构
  • 1篇调制
  • 1篇钝化
  • 1篇修饰
  • 1篇子结构
  • 1篇微系统
  • 1篇径向
  • 1篇XGA
  • 1篇表面修饰
  • 1篇掺杂
  • 1篇催化
  • 1篇X

机构

  • 4篇北京邮电大学

作者

  • 4篇崔建功
  • 3篇黄永清
  • 3篇张霞
  • 3篇任晓敏
  • 2篇颜鑫
  • 2篇李军帅

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 4篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
微系统基元结构之GaAs纳米线：制备与特性
随着半导体工艺的发展，纳米半导体材料由于其本身具有的许多块体材料所不具备的优势及其在光电子器件方面的应用潜力而开始被人们广泛研究。最近十年来，Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备及其相应光电子器件的研究发展迅速。目前为止，人们已经...
崔建功
关键词：第一性原理计算
表面悬挂键对GaAs纳米线掺杂的影响及其钝化
2014年
利用第一性原理计算方法研究了表面悬挂键对GaAs纳米线掺杂的影响及其钝化．计算结果显示，不论是闪锌矿结构还是纤锌矿结构，GaAs纳米线表面Ga原子上带正电荷的表面悬挂键都是一类稳定的缺陷，并且这种稳定性不会随着纳米线直径的变化而变化．这种表面悬挂键会形成载流子陷阱中心从而从p型掺杂的GaAs纳米线俘获空穴，使得纳米线的掺杂效率下降．和NH3相比，NO2 具有足够的电负性来俘获GaAs纳米线表面悬挂键上的未配对电子，从而有效地钝化GaAs纳米线的表面悬挂键，提高纳米线的p型掺杂效率，并且这种钝化特性不会随着纳米线直径的变化而改变．
崔建功张霞黄永清任晓敏
关键词：第一性原理计算
利用表面修饰调制GaAs纳米线的电子结构
2014年
采用第一性原理的密度泛函方法,研究了利用表面修饰来调制GaAs纳米线的电子结构.在计算中考虑了几种不同的表面钝化材料(H、F、Cl、Br和I)对GaAs纳米线电子结构的影响.计算结果表明,不同的原子修饰GaAs纳米线时对其能带结构的调制主要取决于它们对纳米线表面态的饱和能力.表面修饰不仅可以调节GaAs纳米线的能隙大小,而且也可以调制其能隙类型.GaAs纳米线的电子结构由表面效应和量子限制效应共同来决定.使用不同材料修饰表面的GaAs纳米线的能隙随直径的变化幅度并不相同.表面修饰为实现同种直径和同种结构的GaAs纳米线的能带工程提供了一种新的途径.
崔建功张霞颜鑫李军帅黄永清任晓敏
关键词：第一性原理计算表面修饰电子结构
GaAs纳米线及GaAs/In_xGa_(1-x)As/GaAs纳米线径向异质结构的无催化选区生长的实验研究被引量：1
2014年
利用无催化选区金属有机化学气相沉积(SA-MOCVD)法在GaAs(111)B衬底上分别制备了GaAs纳米线和GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线径向异质结构.系统地研究了生长条件对GaAs纳米线生长的影响.实验结果显示,GaAs纳米线的形貌和长度依赖于生长温度、AsH3的分压以及SiO2掩膜表面的圆孔直径.因此可以通过调节以上因素来得到高质量的GaAs纳米线.并且发现扩散是影响无催化选区生长GaAs纳米线的主要机理.微区光致发光谱(μ-PL)表明,GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线径向异质结构被成功合成,室温(300 K)下它的发光波长为913 nm.这些结果对于GaAs纳米线及其异质结构制备的进一步研究及其在光电子器件中的应用具有很好的参考价值.
崔建功张霞颜鑫李军帅黄永清任晓敏
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0