孙永堂
- 作品数：6 被引量：18H指数：3
- 供职机构：江苏大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金宁波市自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响被引量：3
- 2010年
- 在异质结前界面缺陷态密度Dit1和异质结背界面缺陷态密度Dit2均取不同值时,对p型单晶硅(c-Si(p))为衬底的硅异质结太阳电池的衬底电阻率ρ与电池性能的关系进行了数值研究.结果表明:衬底电阻率的最优值ρop取决于前界面缺陷态密度Dit1,且ρop随着Dit1的增大而增大;当ρ>ρop时,背界面缺陷态密度Dit2对衬底电阻率的可取值范围具有较大影响,Dit2越大衬底电阻率的可取值范围越小.
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- 一种多级联光纤光栅滤波器
- 本发明公开了一种多级联光纤光栅滤波器，主要由输入光纤、输出光纤和多级联光纤光栅组成，输入光纤的第一端接入信号光源，输入光纤的第二端与多级联光纤光栅的首端相连接，多级联光纤光栅的尾端与输出光纤的第一端相连接，输出光纤的第二...
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- 文献传递
- 基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析被引量：5
- 2010年
- 针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素。最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率。
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- 关键词：微晶硅
- 衬底参数及界面特性对硅异质结电池性能的影响被引量：5
- 2010年
- 针对a-Si∶H(n)/c-Si(p)双面异质结太阳电池结构,数值研究了不同p型单晶硅衬底厚度、氧缺陷密度、电阻率以及异质结界面缺陷态密度与电池转化效率之间的关系。结果表明:异质结界面缺陷态密度是影响电池性能的最主要因素,衬底前表面界面缺陷密度增大,主要降低开路电压和填充因子,衬底背表面界面缺陷态密度主要影响短路电流和填充因子。其次,p型硅衬底厚度减小和氧缺陷密度的增大,均导致短路电流密度下降,电池转化效率降低,特别是在界面缺陷态密度较低时,氧缺陷密度对电池性能影响较大;最后,在衬底前表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2,后表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2以及氧缺陷密度为109cm-2时,衬底电阻率存在最优值1Ω.cm。
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- 关键词：太阳电池
- 非晶硅光伏电池表面高效光陷阱结构设计被引量：7
- 2011年
- 提出一种应用于非晶硅光伏电池表面的光陷阱结构,该结构主要由衍射光栅、低折射率MgF2膜层、高折射率ZnS膜层及金属Ag反射镜组成.在标准测试条件(AM1.5,100mW/cm2和25℃)下,运用严格耦合波理论,通过计算400—1000nm波段内的1μm厚非晶硅光伏电池的吸收光子数加权平均ξAM1.5,优化光陷阱结构的设计参数.结果表明:对于电池前表面减反射结构,在衍射光栅周期为800nm、高度为160nm、占空比为0.6125、MgF2和ZnS膜层厚度分别为90和55nm时,ξAM1.5达到74.3%;在电池背表面沉积ZnS/Ag膜层后,ξAM1.5增大到76.95%.因此,该光陷阱结构可以大幅度提高非晶硅光伏电池的光电转换效率.
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- 关键词：衍射光栅减反射膜
- 基于LiNbO_3材料的可调谐光子晶体滤波特性研究
- 2010年
- 提出了含有电光材料LiNbO3的一维三元光子晶体结构,利用传输矩阵法,研究了在外电场作用下缺陷共振峰的波长可调谐滤波特性。在不改变光子晶体几何外形尺寸的情况下,通过改变施加于电光材料LiNbO3上的外电场调节其折射率,使得带隙内产生的强局域、高透射、窄宽度的缺陷共振峰发生偏移,从而实现滤波器的可调谐特性。数值模拟结果表明,在近红外波段,缺陷共振峰随外电场的增加向短波长方向线性移动;同时,在固定外电场作用下,随着入射角度的增大,光子带隙将整体向着短波长方向平移,且带隙内的缺陷共振峰随之发生同步移动。以上这些特性,可应用于近红外波段的波长可调谐滤波器件中。
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- 关键词：光子晶体可调谐滤波器电光材料传输矩阵
