姜山
- 作品数：17 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 半磁半导体和Hg1-xCdxTe光学性质的研究
- 姜山
- 关键词：半导体磁性半导体HG1-XCDXTE
- GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱红外探测器的光调制光谱研究
- 1994年
- 运用光调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ多量子阱红外探测器材料的调制反射谱，结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Ａｌ组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数，结合实验结果，采用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｙ模型对材料能带结构进行了理论计算，与实验结果相符．
- 杨立新姜山茅惠兵陆卫沈学础
- 关键词：多量子阱红外探测器
- Cd_(1-x)Mn_xS高压吸收光谱
- 1989年
- 采用流体静压力,在室温和低温下测量了三元混晶半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS的吸收光谱.室温下获得了Cd_(1-x)Mn_xS光吸收边的一阶和二阶压力系数,并且在吸收边尾部发现一个大的吸收带尾,随着组分x增加,压力系数下降,带尾增强,同时在高压下观察了Cd_(1-x)Mn_xS的压力相变过程.在77K下,高组分混晶Cd_0.67Mn_0.33S吸收光谱中出现两个Mn^(2+)吸收峰,测量了它们的压力系数,并用晶体场理论讨论了实验结果.
- 姜山沈学础李齐光朱浩荣居广林W.Giriat
- 关键词：吸收光谱硫化镉硫化锰
- Zn_(1-x)Co_xS和Zn_(1-x)Ni_xS新吸收谱线的测量与分析
- 1990年
- 在12K和300K下测量了半磁半导体Zn_(0.095)Co_(0.05)S和Zn_(0.97)Ni_(0.03)S的吸收光谱,分别发现3个新的吸收峰。根据晶体场理论和群论分析结果,它们分别对应于Co^(2+)的~4A_2(F)→~2T_1(H)、~4A_2(F)→~2T_1(G)和~4A_2(F)→~2T_2(P)的跃迁吸收及Ni^(2+)的~3T_1(F)→~1A_1(G),~3T_1(F)→~1T_1(G)和~3T_1(F)→~1E(G)的跃迁吸收,并用晶体场理论分析了跃迁的选择定则和跃迁的相对强度。
- 姜山居逸群马可军朱浩荣沈学础顾霞敏
- 关键词：半磁半导体
- GaAs/AlGaAs Fibonacci准周期超晶格带间跃迁的光谱研究
- 1995年
- 运用光致荧光,光调制反射和光电流谱等方法研究了11级的GaAs/AlGaAS Fibonacci准周期超晶格的带间跃迁,并用转移矩阵方法计算了Fibonacci准周期超晶格和相应的周期性超晶格的子能级和子能带.理论计算与实验结果符合得很好.
- 茅惠兵陆卫马朝晖张家明姜山沈学础
- 关键词：砷化镓ALGAAS光谱超晶格带间跃迁
- 高压下半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xSe的相变研究
- 1990年
- 利用金刚石对顶砧高压装置,并分别用光吸收和X射线衍射实验方法测量了Cd_(1-x)Mn_xSe样品在高压下的相变,发现该样品的高压相变是不可逆,常压下Cd_(1-x)Mn_xSe具有纤维锌矿结构,高压下变为NaCl结构,而卸压后成为闪锌矿结构,同时给出了Cd_(1-x)Mn_xSe样品的相变压力及其与组分x的关系。
- 姜山沈学础胡静竹
- 关键词：半磁半导体相变
- 高压下半磷半导体Zn_(1-x)Mn_xSe, Ca_(1-x)Mn_xSe和Ca_(1-x)Mn_xS吸收光谱
- 姜山
- 半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe压力光致发光研究
- 1992年
- 采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复合发光.
- 姜山沈学础李国华
- 关键词：磁性半导体光致发光
- 几类半导体和超晶格、量子阱结构中跃迁过程的光谱研究
- 沈学础单伟姜山陆卫穆耀明
- 研究几类半导体和超晶格、量子阱结构的光跃迁过程，微观电子态和声子态，是当前半导体和超晶格、量子阱物理及固体光谱学最重要的一个方面。为其应用，尤其是光电子应用提供原理、模型、科学前景和数据。有如下四方面系列新结果、新贡献：...
- 关键词：
- 关键词：半导体超晶格量子阱结构
- CdTe／Cd_（1－x）Mn_xTe：In应变层量子阱的光荧光光谱
- 1994年
- 报道了ＭＢＥ生长的ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱，低温下观察到一个由多电子－单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象，对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加，使整个发光锋具有明显的非对称性．分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制，测量了７７Ｋ下ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ样品的调制光谱，与荧光光谱进行了比较，结果进一步支持了本文的结论．还测量了费密迪奇异随温度的变化，结果表明此现象在Ⅱ—Ⅵ族半导体多量子附材料中比Ⅲ─Ｖ族材料强得多．
- 姜山张家明沈学础
- 关键词：光荧光多量子阱
