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周守利

作品数:49 被引量:72H指数:5
供职机构:浙江工业大学更多>>
发文基金:中国博士后科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学机械工程更多>>

文献类型

  • 42篇期刊文章
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领域

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  • 2篇电气工程
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主题

  • 11篇HBT
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  • 7篇突变
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  • 5篇晶体管
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  • 4篇微带
  • 4篇微带天线
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机构

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  • 1篇湘潭大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...

作者

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传媒

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  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
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  • 1篇2011
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  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
49 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光纤通信原理多元化课堂教学模式研究被引量:5
2020年
在光纤通信原理的课堂教学中,探索多元化的教学方式,融入教师的科研工作,引入了光子晶体光纤及时间透镜成像技术2个主题,激发学生的科研兴趣.让学生了解前沿的技术动态,拓宽学生的专业视野,尤其为以后考研等进一步深造奠定基础.此外,使学生能够利用Optisystem等仿真软件搭建光纤通信系统实验平台,了解光通信系统的整体框架,各部分的基本功能,各器件的性能特点,并藉此弥补专业实验室设备陈旧、可开设实验数目有限等一系列缺陷,为培养复合型的光通信专业人才探索出新的教学模式.
郭淑琴周守利
关键词:光纤通信光子晶体光纤教学模式
考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析被引量:2
2004年
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射——扩散载流子输运机制 ,对考虑自热效应下的重掺杂 Al Ga As/Ga-As HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种 BGN模型比较得出 :为了更好描述电流传输 ,利用 Jain-Roulston的 BGN模型 ,考虑导带。
周守利崇英哲黄永清任晓敏
关键词:自热效应
基于GaAs pHEMT工艺的宽带6位数字移相器MMIC被引量:1
2023年
基于0.15μm GaAs pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)工艺,研制了一款6位数字移相器微波单片集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC).该移相器由六个基本移相位级联组成,工作频带为10~18 GHz,步进值为5.625°,移相范围为0~360°,具有64个移相态.根据最优拓扑选择理论,5.625°,11.25°,22.5°移相位采用桥T型结构,降低了移相器的插损及面积;采用开关型高低通滤波器结构实现45°,90°,180°移相位,提高了大移相位的移相精度,并有效降低了寄生调幅.实测结果表明:64态移相寄生调幅均方根误差小于0.6 dB,移相输入输出回波损耗低于-11 dB,移相均方根误差小于4.2°,基态插入损耗低于8.6 dB.芯片尺寸为3.35 mm×1.40 mm.该数字移相器具有宽频带、高移相精度、尺寸小的特点,主要用于微波相控阵T/R组件、无线通信等领域.
周守利顾磊张景乐吴建敏
关键词:宽带数字移相器微波单片集成电路
AlGaAs/GaAsHBT非等温能量平衡模型(NEB)及其数值分析被引量:3
2004年
本文探讨了包含异质结和晶格加热效应下非等温能量平衡模型(NEB),且将其用于AlGaAs/GaAsHBT的数值分析中,并在二维器件模拟器中实现。通过与用简单的模型计算得到结果比较得出:NEB模型能更好说明实验得到的结论。
周守利崇英哲黄永清任晓敏
关键词:HBT负微分电阻
基于光子晶体单向传输波导的通道下路滤波器(英文)被引量:1
2014年
基于光子晶体单向传输波导,设计了一种三端口和两种四端口结构的通道下路滤波器.为取得100%的通道下路效率,运用实时耦合模理论对这三种结构进行了分析.理论分析表明该通道下路滤波器比利用光子晶体普通介质波导设计的通道下路滤波器具有更简单的结构,降低了器件制作难度.用有限元方法对滤波器结构进行了数值仿真分析,仿真计算结果表明所设计的三种结构具有超过90%的通道下路效率,与理论分析结果相符合.
任宏亮卢瑾胡卫生姜淳吴哲夫温浩覃亚丽周守利
关键词:集成光学有限元方法光子晶体光子带隙耦合模理论
具有AlGaAs缓变结构的InGaP/GaAs HBT性能改进分析被引量:1
2008年
对改进型结构具有零导带势垒尖峰的缓变InGaP/AlGaAs/GaAs HBT器件的直流和高频特性进行了理论探讨,并同传统突变结构的InGaP/GaAs HBT的相应性能作了比较。结果表明:在低于30 nm的一定范围内的缓变层厚度下,与突变的InGaP/GaAs HBT相比,改进型结构的InGaP/AlGaAs/GaAs HBT具有更低的offset和开启电压、更强的电流驱动能力、更好的伏-安输出特性和高频特性。
周守利熊德平
关键词:异质结双极晶体管截止频率
一种基于JAVA的家装APP开发系统
本发明实施方式公开了一种基于JAVA的家装APP开发系统,系统的整体架构包括:系统总体结构、系统功能模块、系统数据库;其中系统总体结构为Spring MVC模式,所述Spring MVC模式包括Controller层、S...
周守利陆江伟
文献传递
基区重掺杂对突变AlGaAs/GaAs HBT电学性能的影响
2004年
 基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响。基于热场发射 扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAsHBT中的电流传输特性。结果表明:为了精确描述电流传输,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化。
周守利崇英哲黄永清任晓敏
基于可调谐DFB激光的片上微环谐振腔温度测量实验装置设计
2022年
为实现高精度测温,该文搭建了基于GaN微环谐振腔光芯片的温度测量实验装置,该装置通过可调谐DFB激光器结合光电探测器采集透射光谱传感信号,检测谐振波长变化实现温度测量。为确保测量精度,在DFB激光器上加载直流偏置电压,同时外加一定幅度的交流电压实现其波长调谐,并通过温度反馈控制模块保持激光器温度恒定,以避免温度引起激光器波长漂移。为精确验证温度测量效果,实验中通过温度控制模块精确调控芯片的温度。结果表明在20.0~24.5℃时测温灵敏度为37.29 pm/℃,该方法可降低微腔传感系统造价,促进微环谐振腔测温的实际应用。
任宏亮徐鹏盛卢瑾陈浩彭宏周守利张江鑫
关键词:光芯片微环谐振腔
一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法
本发明公开了一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法,以窗口层作为太阳电池有源层,在减反射结构中引入固定电荷,窗口层外表面出现感应电荷,在表面附近产生能带弯曲,阻碍少数载流子流向表面发生复合。该结构一方面增加了短波...
彭银生姚明海周守利龚树凤刘恺
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