2024年8月22日
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包梦恬
作品数:
8
被引量:1
H指数:1
供职机构:
哈尔滨工程大学
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发文基金:
黑龙江省杰出青年科学基金
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王颖
哈尔滨工程大学
曹菲
哈尔滨工程大学
刘云涛
哈尔滨工程大学
邵雷
哈尔滨工程大学
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机构
8篇
哈尔滨工程大...
作者
8篇
包梦恬
6篇
曹菲
6篇
王颖
2篇
邵雷
2篇
刘云涛
年份
1篇
2019
3篇
2015
1篇
2014
3篇
2013
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8
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一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法
本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1;在底层半导体衬底(1)上的左面隐埋氧化层6(A)和右面隐埋氧化层6(B);顶部硅膜(7);在顶部硅膜(7)上生长栅...
王颖
包梦恬
曹菲
胡海帆
文献传递
一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法
本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1;在底层半导体衬底(1)上的左面隐埋氧化层6(A)和右面隐埋氧化层6(B);顶部硅膜(7);在顶部硅膜(7)上生长栅...
王颖
包梦恬
曹菲
胡海帆
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一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法
本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底(1)上淀积隐埋SiO<Sub>2</Sub>层(2),在隐埋SiO<Sub>2</Sub>层(2)上淀积SiGe掩蔽膜(3);第一次...
王颖
包梦恬
曹菲
邵雷
文献传递
碳化硅LDMOS器件高压新结构研究
随着人类社会的智能化进程加速、大数据和人工智能技术的应用日益普及,对微电子器件的需求非线性增长,以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料,以其优异的物理化学性能有效改善了功率半导体器件的性能指标,解决了硅基功率半导体器件...
包梦恬
关键词:
电场强度
性能表征
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一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法
本发明提供的是一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法。包括底层半导体衬底(1),隐埋SiO<Sub>2</Sub>层(2),顶层硅膜(3),栅氧化层(4),多晶硅栅(5);其特征是:通过离子注入在顶层硅膜(3)...
王颖
包梦恬
曹菲
刘云涛
文献传递
阶梯图形化SOI MOSFET器件及其可靠性模拟研究
随着集成电路发展到深亚微米技术时代,传统体硅CMOS器件在材料技术、器件理论、器件结构以及制作工艺等方面存在诸多问题,使得基于传统体硅技术的集成电路在发展过程中受到抑制。为了解决这一难题,绝缘衬底上硅(SOI:Silic...
包梦恬
关键词:
KINK效应
可靠性分析
模拟仿真
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一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法
本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底(1)上淀积隐埋SiO<Sub>2</Sub>层(2),在隐埋SiO<Sub>2</Sub>层(2)上淀积SiGe掩蔽膜(3);第一次...
王颖
包梦恬
曹菲
邵雷
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一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法
本发明提供的是一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法。包括底层半导体衬底(1),隐埋SiO<Sub>2</Sub>层(2),顶层硅膜(3),栅氧化层(4),多晶硅栅(5);其特征是:通过离子注入在顶层硅膜(3)...
王颖
包梦恬
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