刘雪峰
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
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- 外电场作用下Si3O3分子的基态结构及激发特性
- 2010年
- 采用杂化CIS-DFT方法,计算了不同外电场作用下Si3O3分子的基态结构参数,在此基础上研究了分子由基态到前8个激发态的激发能,吸收光谱,振子强度,跃迁矩阵元等激发特性.由计算结果可知,分子的基态结构及激发特性对外电场有着较强的依赖关系.
- 徐国亮刘雪峰谢会香刘玉芳张现周
- 关键词：外电场
- 外电场作用下Si_2O分子的激发特性被引量：2
- 2010年
- 主要对2种Si2O分子异构体的激发特性进行研究,由计算结果可知,外电场对Si2O分子的激发能,振子强度,跃迁偶极矩及吸收光谱有着显著的影响.无外电场时三角型Si2O(C2v,1A1)分子在可见光区无吸收谱,外电场作用下其在可见光区(407.18—526.93nm)有比较弱的吸收谱.直线型Si-Si-O(C∞v,3Σ-)分子在有无外电场作用时在蓝光和紫光区均有一定的吸收谱,其中比较难得的是在蓝色光区(478.88—488.59nm)呈现较强的吸收谱.
- 徐国亮刘雪峰夏要争张现周刘玉芳
- 关键词：外电场吸收谱
- 外电场作用下TiO光激发特性研究被引量：4
- 2010年
- 利用密度泛函BLYP方法优化得到了TiO分子的稳定构型,并计算了TiO分子基态在外场作用下前线轨道变化情况,然后利用杂化组态相互作用CIS-DFT方法,比较了TiO分子在外电场下的激发特性.结果表明,在一定的电场范围内,随着电场的增大,α轨道的最高占据轨道与最低空轨道能隙逐渐变小,β轨道能隙逐渐变大,同时可跃迁的低激发态跃迁波长随电场的增大而变长,高激发态波长变化相对复杂,且基态跃迁至激发态的耦合强度随外电场的增大而加强.
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- 关键词：TIO激发态外电场
- 外电场作用下Si/_xO/_y（x，y=1，2，3）分子的激发特性
- 近年来,随着对外场作用下硅基材料的发光现象的研究,探索硅基发光材料已成为解决光电子集成光源问题的关键,目前,实验上已经观测到从紫外光区到红外光区广泛的发光光谱,但是相关的理论研究还相对滞后。研究证实富硅氧化硅材料是一种重...
- 刘雪峰
- 关键词：外电场
- 文献传递
- 二氧化钛分子电致发光激发特性研究被引量：3
- 2011年
- 采用密度泛函B3P86方法优化得到了沿分子平面不同外电场作用下TiO2分子的基态稳定构型,在优化构型下利用杂化CIS(CI-Singles)-B3P86方法在6-311+G*基组水平上,研究了不同外电场下TiO2分子前六个激发态的激发能和跃迁波长等激发特性.研究结果表明,TiO2分子多个激发态满足偶极跃迁定则,跃迁光谱对应多个峰值,在分子水平上,可以增大利用太阳光的比例.在外电场作用下,能隙随电场的增大而减小,电子易从最高占据轨道跃迁到最低空轨道形成空穴,各个激发态跃迁波长均有随电场增大发生红移的趋势,最长589 nm,因而利用外电场可以控制材料的发光光谱范围在可见光区域扩展.
- 徐国亮谢会香夏要争刘雪峰刘玉芳张现周
- 关键词：TIO2电致发光跃迁波长
