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亚100nm多栅MOSFET的三维模拟: 使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.; 夏志良刘晓彦刘恩峰韩汝琦; 关键词：阈值电压三维模拟短沟效应场效应晶体管; 文献传递

亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟: 利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应.; 刘弋波刘恩峰刘晓彦韩汝琦; 关键词：流体动力学阈值电压短沟效应电子温度漂移速度场效应晶体管; 文献传递

纳米级MOSFET的模拟: 利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果表明,改进后的流体动...; 刘晓彦刘恩峰杜刚刘弋波夏志良韩汝琦; 关键词：半导体器件流体动力学量子效应场效应晶体管计算机模拟; 文献传递

3-D Simulation of FINFET被引量：1: 2002年; An SOI MOSFET with FINFET structure is simulated using a 3 D simulator. I V characteristics and sub threshold characteristics,as well as the short channel effect(SCE) are carefully investigated.SCE can be well controlled by reducing fin height.Good performance can be achieved with thin height,so fin height is considered as a key parameter in device design.Simulation results show that FINFETs present performance superior to conventional single gate devices.; 刘恩峰刘晓彦韩汝琦; 关键词：FINFET

亚100nm多栅MOSFET的三维模拟被引量：2: 2003年; 使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟，对比了双栅和三栅的I-V特性，发现三栅的特性要优于双栅；减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离)，双栅和三栅结构特性之间的差距变小。; 夏志良刘晓彦刘恩峰韩汝琦; 关键词：双栅MOSFET FINFET 三维模拟短沟效应

亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟: 2003年; 利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟，比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布，并讨论了器件的短沟效应。; 刘弋波刘恩峰刘晓彦韩汝琦; 关键词：流体动力学双栅MOSFET 阈值电压短沟效应电子温度漂移速度

纳米级MOSFET的模拟: 2003年; 利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明，改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求，用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计。; 刘晓彦刘恩峰杜刚刘弋波夏志良韩汝琦; 关键词：半导体器件模拟流体动力学量子效应 MOSFET

流体力学模型在器件模拟中的应用: 该论文的研究涉及全HD模型,数值方法,量子修正项的嵌入,HD模型的验证以及超深亚微米器件的模拟,为超深亚微米半导体器件的研究提供了CAD工具.全HD的意义是在载流子的平均能量中包含动能项,因为在一般情况下,动能项被忽略了...; 刘恩峰; 关键词：漂移扩散模型玻尔兹曼方程离散化量子修正

半导体器件模拟技术的研究被引量：9: 2002年; 主要介绍了半导体器件模拟中常用的 HD模型与 DD模型和三角网格划分的常用算法。以泊松方程为例 ,简要说明了如何在三角网格上离散化方程。同时。; 刘恩峰刘晓彦韩汝琦; 关键词：模拟技术半导体器件集成电路

流体力学模型在半导体器件模拟中的应用: 本文主要介绍了半导体器件模拟中常用的流体力学模型和漂移扩散模型,以及它们的数值方法,并结合我们自己开发的软件给出了器件模拟的实例.; 刘恩峰刘晓彦林长海韩汝琦; 关键词：半导体器件漂移扩散模型; 文献传递

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刘恩峰