俞征峰
- 作品数：4 被引量：11H指数：3
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省省院省校科技合作计划项目国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：动力工程及工程热物理电子电信电气工程更多>>
- 铸造多晶硅中的镍沉淀
- 本文用红外扫描电镜（SIRM）研究了快冷和慢冷条件下铸造多晶硅中的镍沉淀规律。实验发现:相对于直拉单晶硅,镍在铸造多晶硅中存在着更低的沉淀温度,大约在700℃就有明显的镍沉淀生成;低温快冷下这些镍一般在晶界上偏聚沉淀,而...
- 席珍强俞征峰杨德仁Moeller HJ
- 关键词：镍
- 文献传递
- 铸造多晶硅中热施主形成规律被引量：5
- 2005年
- 采用四探针电阻率测试仪和傅立叶红外光谱测试仪,研究了铸造多晶硅中热施主的形成规律。实验发 现,初始氧浓度高、位错密度高、碳含量低的样品中,所形成的热施主浓度较高。这表明:碳对热施主的形成 有抑制作用;位错对热施主的形成有促进作用;晶界对热施主的形成没有明显地影响,而且碳和初始氧浓度的 影响最大。实验还发现,在650℃0．5h退火处理可以消除部分原生热施主,原生热施主对于随后的热施主的形 成规律没有明显影响。
- 俞征峰席珍强杨德仁阙端麟
- 关键词：氧
- 铸造多晶硅中氧的热处理行为研究被引量：6
- 2004年
- 研究了铸造多晶硅中不同温度单步退火下氧沉淀的形成规律。实验发现 ,单步热处理工艺下铸造多晶硅中氧沉淀的形成规律和单晶硅的基本相似 ,但是在铸造多晶硅中形成氧沉淀的量明显高于直拉单晶硅中氧沉淀的量 ;在含高密度位错的单晶硅中形成氧沉淀的量远高于无位错单晶硅中氧沉淀的生成量 ,而有晶界的多晶硅中形成氧沉淀生成量仅稍微高于无晶界单晶硅中氧沉淀生成量。以上结果表明 ,铸造多晶硅中位错对氧沉淀的形成有明显的促进作用 ,而晶界则对氧沉淀的促进作用不是很显著。最后 ,基于实验结果讨论了铸造多晶硅中初始氧浓度 ,位错和晶界对氧沉淀影响的机理。
- 席珍强楼峰俞征峰杨德仁
- 关键词：氧
- 铸造多晶硅材料中氧缺陷的研究
- 目前，铸造多晶硅材料已经取代直拉单晶硅成为最主要的太阳能电池材料，但是铸造多晶硅电池的转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池的转换效率，这主要是由于铸造多晶硅中存在着高密度的缺陷和高浓度的杂质，如晶界、位错、氧、碳等。其中，...
- 俞征峰
- 关键词：氧沉淀太阳能电池电池材料
- 文献传递
