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何学宇

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：辽宁大学物理学院更多>>
发文基金：辽宁省教育厅高等学校科学研究项目博士科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信自然科学总论更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 1篇电流模
  • 1篇电流模式
  • 1篇电源
  • 1篇电源芯片
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇芯片
  • 1篇晶体管
  • 1篇开关电源
  • 1篇开关电源芯片
  • 1篇击穿
  • 1篇击穿特性
  • 1篇反激
  • 1篇反激式
  • 1篇PWM
  • 1篇TCAD
  • 1篇HBT
  • 1篇ISE
  • 1篇X

机构

  • 2篇辽宁大学

作者

  • 2篇何学宇
  • 1篇王立伟
  • 1篇刘爽
  • 1篇林洪春
  • 1篇刘兴辉

传媒

  • 1篇辽宁大学学报...

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种电流模式PWM开关电源芯片的研究与设计
目前,集成PWM开关电源已在通讯、电子计算机等领域获得了广泛应用。为适应便携式电子产品对电源提出的性能要求,开关电源必须向高效率、高精度、小体积为主要方向发展。 本文的开关电源电路结合了各种先进技术,在AC/DC开...
何学宇
关键词：PWM电流模式反激式
Ge组分对Si_(1-x)Ge_x HBT反向击穿特性影响的研究
2011年
构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ge组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,但可导致晶体管的耐压降低,BVcbo、BVceo、BVebo等击穿电压均随x组分的增加而减少.本研究对利用软件实现器件的虚拟制造、以及设计中如何进行合理的组分剪裁从而获取综合性能的优化有一定意义.
刘兴辉王立伟刘爽林洪春何学宇
关键词：异质结双极晶体管
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