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任侠

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
相关领域：化学工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 4篇真空
  • 4篇真空电弧
  • 4篇横向磁场
  • 4篇磁场
  • 2篇电弧
  • 2篇电弧离子镀
  • 2篇阴极
  • 2篇真空电弧离子...
  • 2篇离子镀
  • 2篇沉积速率
  • 1篇电流
  • 1篇阴极材料
  • 1篇硬膜
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷膜
  • 1篇气相沉积
  • 1篇物理气相沉积
  • 1篇金属
  • 1篇金属液
  • 1篇核心部件

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇任侠
  • 3篇吴振华
  • 2篇黄经筒
  • 2篇游本章

传媒

  • 2篇电工电能新技...

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1989
  • 1篇1988
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
大电流多弧斑受控真空电弧蒸发源
本发明涉及的大电流多弧斑受控真空电弧蒸发源，是真空电弧离子镀膜机的核心部件，由主弧电源、阴极、含电磁线路的磁路、水冷和点弧极组成，特点：主弧电源≥150A，电磁线圈为可调电流的电磁线圈，阴极为圆形阴极或复合阴极，在≥15...
吴振华黄经筒游本章任侠
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用PVD方法沉积硬膜技术的新进展
1992年
本文叙述用PVD方法沉积硬膜技术的现状及其重要意义。重点介绍了近两年来国际上的最新进展,包括多元混合相、过渡层及复合膜层等概念的提出。对国内PVD沉积硬膜技术的发展谈了一点看法。
任侠
关键词：硬膜物理气相沉积陶瓷膜
横向磁场对真空电弧离子镀中阴极弧斑运动速度的影响被引量：2
1989年
本文就真空电弧离子镀中,横向磁场对阴极弧斑运动速度的影响进行了研究。实验中,用暂态波形存贮器采集阴极弧斑的光电信号。对弧斑运动速度进行测量的方法,是简单可靠的。所得结论对真空电弧离子镀这门新技术的进一步发展,即开发受拉电弧离子镀膜能提供一定的参考。
任侠吴振华
关键词：横向磁场电弧离子镀
横向磁场对真空电弧离子镀膜特性的影响
任侠
关键词：横向磁场真空电弧离子镀
大电流多弧斑受控真空电弧蒸发源
本发明属于薄膜沉积设备，是真空电弧离子镀膜机的核心部件。采用电磁线圈磁场控制电弧弧斑在阴极表面上的运动轨迹和速度，显著减少了蒸发源发射的金属液滴，提高了镀膜质量。蒸发源在200A以上的大电弧电流和与之相匹配的磁场下工作时...
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