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黄春明

作品数:3 被引量:69H指数:2
供职机构:兰州大学物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇栅介质
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶凝胶
  • 1篇溶胶凝胶法
  • 1篇退火
  • 1篇结构特性
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇胶凝
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇高K栅介质
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇ZNO
  • 1篇AL

机构

  • 3篇兰州大学
  • 1篇西北民族大学

作者

  • 3篇王印月
  • 3篇黄春明
  • 2篇兰伟
  • 2篇刘雪芹
  • 1篇徐大印
  • 1篇唐国梅
  • 1篇方泽波
  • 1篇郭得峰
  • 1篇龚恒翔
  • 1篇耿伟刚
  • 1篇杨扬

传媒

  • 3篇物理学报

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响被引量:60
2003年
用射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜 ,通过不同温度的退火处理 ,研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的影响 .由x射线衍射得知 ,随退火温度的升高 ,晶粒逐渐变大 ,薄膜中压应力由大变小至出现张应力 .光致发光测量发现 ,样品在 4 30nm附近有一光致发光峰 ,峰的强度随退火温度升高而减弱 ,联合样品电阻率随退火温度升高而逐渐变大的测量及能级图 。
方泽波龚恒翔刘雪芹徐大印黄春明王印月
关键词:发光特性退火氧化锌薄膜半导体材料
溶胶凝胶旋转涂敷技术制备ZnO∶In薄膜的结构特性被引量:8
2006年
采用溶胶凝胶法,结合旋转涂敷技术在石英衬底上制备了210—240nm厚度的ZnO∶In薄膜.使用掠角入射X射线衍射(GI_XRD)、常规X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、原子力显微镜、光致发光谱以及不同入射角GI_XRD谱(α=1,2,3和5°)等手段,对不同掺杂浓度的ZnO∶In薄膜进行了结构分析.发现ZnO∶In薄膜内部是由大尺寸(002)晶向的无应力ZnO晶粒堆积而成,而薄膜表面主要是小尺寸的(002)和(103)晶粒,并且适量的In掺杂能有效改善ZnO薄膜内部的晶体结构特性.
兰伟刘雪芹黄春明唐国梅杨扬王印月
关键词:晶体结构溶胶凝胶法
Y掺杂Al_2O_3高k栅介质薄膜的制备及性能研究被引量:1
2005年
利用射频反应共溅射方法制备了Y掺杂Al2O3电介质薄膜,用掠入射x射线衍射检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)观察了薄膜断面和表面形貌,用高频C_V和变频C_V及J_V测量了样品的电学特性.结果表明,Y的掺入使电介质薄膜的介电常数k有了很大提高(8.14—11.8),并体现出了较好的介电特性.分析认为与氧具有较大电负性差的Y离子的加入,增大了薄膜中的金属—氧键(M—O)的强度;同时,Y的加入使Al2O3的结构和原子配位发生了改变,从而提高了离子极化对薄膜介电常数的贡献.退火前后的XRD谱均显示薄膜为非晶态;HRSEM断面和AFM形貌像显示所制备的薄膜非常平整,能够满足器件要求.
郭得峰耿伟刚兰伟黄春明王印月
关键词:高K栅介质
共1页<1>
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