您的位置： 专家智库 > >

高琰

作品数：2 被引量：14H指数：2
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇仿真
  • 2篇IGBT
  • 1篇低功耗
  • 1篇损耗
  • 1篇晶体管
  • 1篇功耗
  • 1篇关断
  • 1篇关断损耗
  • 1篇LPL

机构

  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇亢宝位
  • 2篇程序
  • 2篇高琰
  • 1篇吴郁
  • 1篇王哲
  • 1篇陆秀洪

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
一种具有新耐压层结构的IGBT被引量：2
2003年
介绍了一种具有新型耐压层结构的IGBT——低功耗IGBT。新结构用三重扩散的方法在n- 单晶片上引入了n+ 缓冲层。保留了NPT-IGBT中薄而轻掺杂的背p+层和高载流子寿命的本质优点,同时又具有PT-IGBT中n-/n+ 双层复合的薄耐压层 (即薄基区) 的优点。计算机仿真得出,新结构IGBT的关断损耗比传统的IGBT减小50%左右。针对LPL-IGBT的创新点——新耐压层结构,我们还进行了优化仿真。
高琰亢宝位程序
关键词：IGBT关断损耗仿真
低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真被引量：12
2001年
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比
吴郁陆秀洪亢宝位王哲程序高琰
关键词：仿真IGBT晶体管
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0